[發明專利]LED芯片切割方法

有效

• 申請號: 201510939718.1
• 申請日: 2015-12-16
• 公開（公告）號: CN105552029B
• 公開（公告）日: 2018-05-25
• 發明（設計）人: 王永妍
• 申請（專利權）人: 新昌縣鴻吉電子科技有限公司
• 主分類號: H01L21/78
• 分類號: H01L21/78;H01L33/00;B23K26/364
• 代理公司: 北京東方盛凡知識產權代理事務所(普通合伙) 11562
• 代理人: 宋平

本發明提供一種LED芯片切割方法，涉及半導體器件技術領域。包括以下步驟：對LED芯片進行MESA刻蝕處理；對LED芯片進行掩膜處理；將LED芯片置于激光劃片機中；將激光束進行聚焦；將LED芯片沿豎直方向向下移動；對LED芯片進行劃片處理；加工出的芯片切口為“U”字形，與傳統的加工手段產生的“V”字形切口相比，減少了異物殘留，有利于清理，保證了產品的品質。

技術領域

本發明涉及半導體器件技術領域，具體涉及一種LED芯片切割方法。

背景技術

激光切割是利用激光器所發出的高能激光，經過透鏡聚焦，在聚焦出達到極高功率密，處于其焦點處的工件受到高功率密度的激光光斑照射，會產生局部高溫，使工件材質瞬間汽化和融化，同時通過控制平臺帶動工件移動，形成一種非接觸式的新型切割模式。激光加工由于具有能量集中，熱影響區域小，無需接觸加工工件，對工件無污染，不受電磁干擾且激光束易于聚集，便于自動化控制等優點，現已廣泛應用于半導體、LED和光伏太陽能等許多領域。其中，LED芯片的切割技術受到廣泛研究。

長期以來，國內外學者都不斷提出各種方案，國內外一些科研院所和公司也對此進行大量研究和實驗，取得了一些成果。其中有以美國Newave為主的廠家，通過藍寶石作為底襯材料采用355nm、266nm 等短波長激光的切割技術，解決了藍寶石切割難度大的問題，達到了小芯片和窄切割道的目的；還有目前普遍使用的將激光水晶內雕技術運用在藍寶石切割的皮秒切割設備，提高了芯片亮度，比傳統切割技術有了較大的提高。

但是，無論是短波長激光切割還是通過皮秒切割設備切割，通過其切割后產生的切割口為“V”字形，這種“V”字形切口過于狹窄，容易殘留碎屑粉末等異物，進而影響芯片的亮度等技術參數，導致芯片漏電甚至產生擊穿現象。

發明內容

針對現有技術的不足，本發明提供了一種LED芯片切割方法，能夠解決“V”字形切口容易殘留碎屑粉末等異物的問題。

為實現以上目的，本發明通過以下技術方案予以實現：一種LED 芯片切割方法，包括以下步驟：

S1：對LED芯片進行MESA刻蝕處理；

S2：對LED芯片進行掩膜處理；

S3：將LED芯片置于激光劃片機中；

S4：將激光束進行聚焦；

S5：將LED芯片沿豎直方向向下移動；

S6：對LED芯片進行劃片處理。

所述的步驟S2中的掩膜使用的材料為SiO2。

所述的SiO2厚度為2000? 。

所述的步驟S4中的聚焦點位于LED芯片上。

所述的步驟S5中移動的距離為2-4μm。

所述的步驟S6中，進行劃片時，激光劃片機的功率比普通聚焦劃片工藝的功率增加10％-15％。

本發明提供了一種LED芯片切割方法，通過改變LED芯片與激光聚焦點的位置，產生“U”字形切口，減少了異物殘留，便于清理，從而提高產品品質。

附圖說明

為了更清楚地說明本發明實施例或現有技術中的技術方案，下面將對實施例或現有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發明的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。

圖1是本發明的加工方式示意圖；

圖2是本發明的加工結果結構示意圖；

圖3是所述的短波長激光切割加工結果結構示意圖。