[發(fā)明專利]LED芯片切割方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201510939718.1 | 申請日： | 2015-12-16 |
| 公開（公告）號： | CN105552029B | 公開（公告）日： | 2018-05-25 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 王永妍 | 申請（專利權(quán)）人： | 新昌縣鴻吉電子科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/78 | 分類號： | H01L21/78;H01L33/00;B23K26/364 |
| 代理公司： | 北京東方盛凡知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11562 | 代理人： | 宋平 |
| 地址： | 312500 浙江省*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 切割 半導(dǎo)體器件技術(shù) 激光劃片機 向下移動 異物殘留 字形切口 傳統(tǒng)的 激光束 劃片 刻蝕 豎直 掩膜 加工 聚焦 芯片 保證 | ||
【權(quán)利要求書】：
1.一種LED芯片切割方法，其特征在于包括以下步驟：
S1：對LED芯片進行MESA刻蝕處理；
S2：對LED芯片進行掩膜處理；
S3：將LED芯片置于激光劃片機中；
S4：將激光束進行聚焦；
S5：將LED芯片沿豎直方向向下移動；
S6：對LED芯片進行劃片處理；
所述的步驟S2中的掩膜使用的材料為SiO
所述的SiO
所述的步驟S4中的聚焦點位于LED芯片上；
所述的步驟S5中移動的距離為2-4μm；
所述的步驟S6中，進行劃片時，激光劃片機的功率比普通聚焦劃片工藝的功率增加10%-15%。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
