[發(fā)明專利]薄膜晶體管元件及其制造方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201510933455.3
• 申請日: 2015-12-15
• 公開（公告）號: CN105576034A
• 公開（公告）日: 2016-05-11
• 發(fā)明（設計）人: 張占東
• 申請（專利權）人: 武漢華星光電技術有限公司
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;H01L21/77;H01L21/336
• 代理公司: 深圳翼盛智成知識產(chǎn)權事務所(普通合伙) 44300
• 代理人: 黃威

1.一種薄膜晶體管元件的制造方法，其特征在于：包含下 列步驟：

在基板上形成一有源層；

對有源層進行通道摻雜；

形成一圖案化光阻層于該有源層上，其中該圖案化光阻層具 有一第一部分、一第二部分及鏤空部分，且第一部分的厚度大于 第二部分的厚度，其中第一部分覆蓋有源層的中央位置；第二部 分覆蓋于有源層的兩側；鏤空部分位于第一部分與第二部分之間 以將第一部分與第二部分隔開，且所述鏤空部分露出有源層的一 部分；

通過蝕刻使露出于所述鏤空部分的有源層厚度變薄；

移除圖案化光阻層的第二部分，以裸露出對應的有源層部 分；

對有源層的裸露部分進行高劑量離子摻雜，使較厚的有源層 形成高濃度摻雜區(qū)，較薄的有源層形成低摻雜區(qū)；

移除剩余的圖案化光阻層，并形成一柵極絕緣層；

于柵極絕緣層上形成一金屬層，并圖案化所述金屬層以定義 出柵極；

于柵極絕緣層上形成一層間電介質層以覆蓋所述柵極；

于所述層間電介質層上形成位置對應高濃度摻雜區(qū)的接觸 孔；以及

于接觸孔內形成漏/源極金屬層。

2.如權利要求1所述的薄膜晶體管元件的制造方法，其特 征在于：所述形成圖案化光阻層于該有源層上的步驟是采用半色 調掩膜工藝、灰色調掩模工藝或單狹縫掩膜工藝。

3.如權利要求1所述的薄膜晶體管元件的制造方法，其特 征在于：所述在基板上形成一有源層的步驟是在基板上沉積一非 晶硅層，并使非晶硅層結晶化成為多晶硅層，再通過掩膜工藝將 多晶硅層圖案化，從而定義出所述有源層。

4.如權利要求1所述的薄膜晶體管元件的制造方法，其特 征在于：所述使非晶硅層結晶化成為多晶硅層的方式為準分子激 光退火工藝。

5.如權利要求1所述的薄膜晶體管元件的制造方法，其特 征在于：所述移除圖案化光阻層的第二部分的步驟是采用干法灰 化工藝。

6.一種薄膜晶體管元件，其特征在于，包括：

一基板；

一有源層，形成于所述基板上，所述有源層包含高濃度摻雜 部分與低濃度摻雜部分，其中所述低濃度摻雜部分的厚度小于所 述高濃度摻雜部分。

7.如權利要求6所述的薄膜晶體管元件，其特征在于：進 一步包括一柵極絕緣層、一柵極金屬層、一層間電介質層以及一 漏/源極金屬層，依序形成于所述有源層上；其中所述層間電介 質層上形成有至少兩接觸孔，所述接觸孔位置對應所述有源層的 高濃度摻雜部分；所述漏/源極金屬層通過所述接觸孔連接至所 述有源層的高濃度摻雜部分。