[發(fā)明專利]一種制造多層復(fù)合電極薄膜的方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201510931566.0
• 申請(qǐng)日: 2015-12-13
• 公開（公告）號(hào): CN106876171A
• 公開（公告）日: 2017-06-20
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李春花
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 青島祥智電子技術(shù)有限公司
• 主分類號(hào): H01G11/86
• 分類號(hào): H01G11/86
• 代理公司: 暫無(wú)信息
• 代理人: 暫無(wú)信息

1.一種制造多層復(fù)合電極薄膜的方法，其特征在于，包括：

將第一導(dǎo)電離子鹽、氧化石墨烯和第一導(dǎo)電聚合物單體溶于去離子水中，獲得第一電解液；

將基片置于所述第一電解液中，在所述基片上電化學(xué)沉積形成導(dǎo)電聚合物/石墨烯復(fù)合薄膜；

將第二導(dǎo)電離子鹽和第二導(dǎo)電聚合物單體溶于去離子水中，獲得第二電解液；

將形成了所述導(dǎo)電聚合物/石墨烯復(fù)合薄膜的基片置于所述第二電解液中進(jìn)行電化學(xué)聚合，在所述導(dǎo)電聚合物/石墨烯復(fù)合薄膜上形成導(dǎo)電聚合物層，獲得導(dǎo)電聚合物/石墨烯/導(dǎo)電聚合物復(fù)合薄膜；

將氧化石墨烯分散于緩沖劑溶液中，獲得第三電解液；

將形成了所述導(dǎo)電聚合物/石墨烯/導(dǎo)電聚合物復(fù)合薄膜的基片置于所述第三電解液中進(jìn)行電化學(xué)還原，在所述導(dǎo)電聚合物/石墨烯/導(dǎo)電聚合物復(fù)合薄膜上形成石墨烯層，獲得導(dǎo)電聚合物/石墨烯/導(dǎo)電聚合物/石墨烯多層復(fù)合薄膜。

2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于：所述第一導(dǎo)電離子鹽是高氯酸鹽、氯化鈉或者磷酸鹽，所述第一導(dǎo)電聚合物單體是苯胺、噻吩或者吡咯。

3.如權(quán)利要求1或者2所述的方法，其特征在于：所述第二導(dǎo)電離子鹽是高氯酸鹽、氯化鈉或者磷酸鹽，所述第二導(dǎo)電聚合物單體是苯胺、噻吩或者吡咯。

4.如權(quán)利要求1或者2所述的方法，其特征在于：所述第一電解液中，氧化石墨烯的濃度為0.1至2毫克/毫升，第一導(dǎo)電離子鹽的濃度為0.2至1摩爾/升，第一導(dǎo)電離子鹽與第一導(dǎo)電聚合物單體的摩爾比為1:0.5至1:1。

5.如權(quán)利要求1或者4所述的方法，其特征在于，在所述基片上電化學(xué)沉積形成導(dǎo)電聚合物/石墨烯復(fù)合薄膜包括：使用循環(huán)伏安法在所述基片上電化學(xué)沉積形成導(dǎo)電聚合物/石墨烯復(fù)合薄膜，其中聚合電位為-1至1.6伏特，掃描速率為0.05-0.1伏特/秒。