[發明專利]用于制造半導體器件的方法在審
| 申請號: | 201510918239.1 | 申請日: | 2015-12-10 |
| 公開(公告)號: | CN105789074A | 公開(公告)日: | 2016-07-20 |
| 發明(設計)人: | 沖嶋和彥 | 申請(專利權)人: | 瑞薩電子株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/603 | 分類號: | H01L21/603 |
| 代理公司: | 北京市金杜律師事務所 11256 | 代理人: | 李輝;董典紅 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 制造 半導體器件 方法 | ||
1.一種用于制造半導體器件的方法,包括以下步驟:
(a)利用接合材料涂覆引線框的芯片安裝區域;
(b)在步驟(a)之后,在所述接合材料上方放置半導體芯片;
(c)在步驟(b)之后,在所述接合材料處于熔化狀態的情況將 工具按壓在所述半導體芯片的上表面上,然后使所述接合材料硬化; 以及
(d)在步驟(c)之后,從所述半導體芯片釋放所述工具,并通 過所述接合材料將所述半導體芯片安裝在所述芯片安裝區域上方;
其中,所述工具包括第一部分和第二部分,所述第一部分具有第 一表面作為沿著用于支撐所述芯片安裝區域的支撐部件的支撐表面 的表面,所述第二部分具有與所述第一表面相交的第二表面,并且
其中,在步驟(c)中,在所述工具的所述第一部分的所述第一 表面被按壓在所述半導體芯片的上表面上并且所述工具的所述第二 部分被按壓在所述引線框上的同時,所述接合材料被硬化。
2.根據權利要求1所述的用于制造半導體器件的方法,其中, 所述接合材料是焊料材料。
3.根據權利要求1所述的用于制造半導體器件的方法,其中, 在步驟(c)中,將所述工具一次按壓在多個所述半導體芯片的上表 面上。
4.根據權利要求1所述的用于制造半導體器件的方法,
其中,在所述引線框中以矩陣圖案布置多個半導體器件形成區 域,并且
其中,在步驟(c)中,將所述工具一次按壓至在與所述引線框 的傳送方向相交的方向上布置的一行中的半導體芯片的上表面上。
5.根據權利要求1所述的用于制造半導體器件的方法,
其中,在所述工具的所述第一表面中制作凹部,并且
其中,在步驟(c)中,將所述工具的所述第一表面中除所述凹 部之外的區域按壓在所述半導體芯片的上表面上。
6.根據權利要求1所述的用于制造半導體器件的方法,其中, 按壓方向上的所述工具的所述第二部分的所述第二表面的高度等于 所述半導體芯片的厚度與組裝所述半導體器件之后的所述接合材料 的厚度的總和。
7.根據權利要求1所述的用于制造半導體器件的方法,其中, 在步驟(c)中,將所述工具的所述第二部分按壓在所述引線框中的 半導體器件形成區域的外部部分上。
8.根據權利要求1所述的用于制造半導體器件的方法,其中, 在步驟(c)中,當處于熔化狀態的所述接合材料具有比所述接合材 料的固相溫度更高的溫度時,將所述工具按壓在所述半導體芯片上。
9.根據權利要求8所述的用于制造半導體器件的方法,其中, 在步驟(c)中,將所述工具按壓在所述半導體芯片上直到所述接合 材料的溫度變得低于所述固相溫度,然后從所述半導體芯片釋放所述 工具。
10.根據權利要求1所述的用于制造半導體器件的方法,
其中,將用于冷卻所述工具的冷卻單元耦合至所述工具。
11.一種用于制造半導體器件的方法,包括以下步驟:
(a)提供組件,所述組件具有通過焊料膏放置在引線框的芯片 安裝區域上方的半導體芯片;
(b)在步驟(a)之后,在將工具按壓在所述半導體芯片的上表 面上的同時使所述組件經過回流爐以使所述焊料膏熔化;
(c)在步驟(b)之后,從所述回流爐中取出所述組件并使所述 焊料膏硬化;以及
(d)在步驟(c)之后,從所述半導體芯片釋放所述工具,并通 過焊料材料將所述半導體芯片安裝在所述芯片安裝區域上方,
其中,所述工具包括第一部分和第二部分,所述第一部分具有第 一表面作為沿著用于支撐所述芯片安裝區域的支撐部件的支撐表面 的表面,所述第二部分具有與所述第一表面相交的第二表面,并且
其中,在步驟(b)中,在所述工具的所述第一部分的所述第一 表面被按壓在所述半導體芯片的上表面上并且所述工具的所述第二 部分被按壓在所述引線框上的同時,所述焊料膏被硬化。
12.根據權利要求11所述的用于制造半導體器件的方法,
其中,在所述引線框中以矩陣圖案布置多個半導體器件形成區 域,并且
其中,在步驟(b)中,將所述工具一次按壓在多行中的所述半 導體芯片的上表面上,每一行都包括在與用于所述引線框的傳送方向 相交的方向上布置的多個半導體芯片。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





