[發明專利]晶片材料去除

有效

• 申請號: 201510916882.0
• 申請日: 2015-12-10
• 公開（公告）號: CN105702602B
• 公開（公告）日: 2019-10-11
• 發明（設計）人: 薩沙·默勒;托馬斯·羅勒德;古伊多·阿爾貝曼;馬丁·拉普克;哈特莫特·布寧
• 申請（專利權）人: 恩智浦有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 倪斌

一個示例公開了用于晶片材料去除的系統，該系統包括：晶片結構圖，識別具有第一位置的第一器件結構和具有第二位置的第二器件結構；材料去除控制器，耦接至所述結構圖，并且具有材料去除波束功率電平輸出信號和材料去除波束接通/關斷狀態輸出信號；其中，材料去除控制器被配置為選擇與第一位置相對應的第一材料去除波束功率電平和第一材料去除波束接通/關斷狀態；并且其中，材料去除控制器被配置為選擇與第二位置相對應的第二材料去除波束功率電平和第二材料去除波束接通/關斷狀態。另一個示例公開了一種物品，包括至少一個非瞬時性有形機器可讀存儲介質，該非瞬時性有形機器可讀存儲介質包含用于晶片材料去除可執行機器指令。

技術領域

現在討論用于晶片材料去除的系統、方法、裝置、設備、物品物品和計算機可讀介質的各種示例實施例。

背景技術

特定晶片材料(例如硅)的機械鋸切(例如刀片切割)可以是在晶片上分離設備的有效方式。然而，其它材料(例如相對易碎的低K材料)的機械鋸切可以導致對晶片器件和結構的附帶損害，由此影響晶片產量。這樣的損害可能甚至對超低K電介質材料造成更大的損害。

制備的晶片還可以包括在芯片切割時需要被切斷的各種結構。例如，鋸切線(sawlane)的空的部分可以散布有充滿過程控制模塊(PCM)或金屬瓦結構的鋸切線。制造PCM以便監測技術專用參數，例如CMO中的V_th和雙極型中的V_be。這些結構可以與生產的芯片一起設置在晶片上的具體位置，使得可以實現更接近的查看過程變化。

在另一個示例中，需要切斷多凸起晶片中的整個集成電路結構。這樣的MPW需要一次切斷空的鋸切線和全高的金屬密度器件結構二者。

機械鋸切的材料(例如金屬)還可能堵塞鋸的刀片，并因此需要更頻繁的刀片清潔和/或替換。

發明內容

根據示例實施例，一種用于晶片材料去除的系統包括：晶片結構圖，識別具有第一位置的第一器件結構和具有第二位置的第二器件結構；材料去除控制器，耦接至所述結構圖，并且具有材料去除波束功率電平輸出信號和材料去除波束接通/關斷狀態輸出信號；其中，所述材料去除控制器被配置為選擇與第一位置相對應的第一材料去除波束功率電平和第一材料去除波束接通/關斷狀態；并且所述材料去除控制器被配置為選擇與第二位置相對應的第二材料去除波束功率電平和第二材料去除波束接通/關斷狀態。

在另一個示例實施例中，該系統是以下中的至少一個：用于晶片開槽的系統或用于晶片切割的系統。

在另一個示例實施例中，晶片結構圖基于來自以下中的至少一個的信息來識別器件結構和位置：晶片刻線(reticle)的集合或晶片表面的掃描。

在另一個示例實施例中，晶片結構圖與第一器件結構相關聯：器件結構屬性；器件結構起始位置；以及器件結構停止位置。

在另一個示例實施例中，器件結構屬性是以下中的至少一個：器件結構厚度、器件結構密度、器件結構材料、器件結構深度或器件結構層的數量。

在另一個示例實施例中，第一器件結構是以下中的至少一個：鋸切線、鋸切線交叉點、過程控制設備、低K電介質材料、材料結構、多層結構、集成電路、氧化層或聚合物層。

另一個示例實施例還包括晶片材料去除圖，該晶片材料去除圖識別與第一位置的一部分相對應的先前材料去除位置；其中，該材料去除控制器被配置為選擇與先前材料去除位置相對應的第三材料去除波束功率電平和第三材料去除波束接通/關斷狀態；并且其中，第三材料去除波束功率電平小于第一材料去除波束功率電平。

在另一個示例實施例中，與第一位置的一部分相對應的先前材料去除位置是鋸切線交叉點。

在另一個示例實施例中，材料去除控制器被配置為選擇與在先前材料去除位置處的器件結構深度相對應的第三材料去除波束功率電平和第三材料去除波束接通/關斷狀態。