[發明專利]晶片材料去除

有效

• 申請號: 201510916882.0
• 申請日: 2015-12-10
• 公開（公告）號: CN105702602B
• 公開（公告）日: 2019-10-11
• 發明（設計）人: 薩沙·默勒;托馬斯·羅勒德;古伊多·阿爾貝曼;馬丁·拉普克;哈特莫特·布寧
• 申請（專利權）人: 恩智浦有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 倪斌

1.一種用于晶片材料去除的系統，包括：

晶片結構圖，識別具有第一位置的第一器件結構和具有第二位置的第二器件結構；

材料去除控制器，耦接至所述結構圖，并且具有材料去除波束功率電平輸出信號和材料去除波束接通/關斷狀態輸出信號；

其中，所述材料去除控制器被配置為選擇與所述第一位置相對應的第一材料去除波束功率電平和第一材料去除波束接通/關斷狀態，其中以第一材料去除波束功率電平去除第一材料到第一深度；并且

其中，所述材料去除控制器被配置為選擇與所述第二位置相對應的第二材料去除波束功率電平和第二材料去除波束接通/關斷狀態；其中第二材料包括金屬，以及以第二材料去除波束功率電平去除第二材料到與第一深度相等的第二深度，所述第二材料去除波束功率電平大于所述第一材料去除波束功率電平；

其中，與所述第一位置的一部分相對應的第一材料去除位置是鋸切線交叉點；

其中，所述材料去除控制器被配置為選擇與在所述第一材料去除位置處的器件結構深度相對應的第三材料去除波束功率電平和所述第三材料去除波束接通/關斷狀態。

2.根據權利要求1所述的系統：

其中，所述系統是以下中的至少一個：用于晶片開槽的系統或用于晶片切割的系統。

3.根據權利要求1所述的系統：

其中，所述晶片結構圖基于來自以下中的至少一個的信息來識別所述器件結構和位置：晶片刻線的集合或晶片表面的掃描。

4.根據權利要求1所述的系統，其中，所述晶片結構圖與第一器件結構的器件結構屬性；器件結構起始位置；以及器件結構停止位置相關聯。

5.根據權利要求4所述的系統：

其中，所述器件結構屬性是以下中的至少一個：器件結構厚度、器件結構密度、器件結構材料、器件結構深度或器件結構層的數量。

6.根據權利要求1所述的系統：

其中，所述第一器件結構是以下中的至少一個：鋸切線、鋸切線交叉點、過程控制設備、低k電介質材料、材料結構、多層結構、集成電路、氧化層或聚合物層。

7.根據權利要求1所述的系統：

還包括材料去除設備，被配置為生成材料去除波束；

其中所述材料去除設備包括材料去除波束功率電平調制器，耦接用于接收所述材料去除波束功率電平輸出信號，并且對其進行響應來改變所述材料去除波束功率電平；并且

其中，所述材料去除設備包括材料去除波束接通/關斷狀態調制器，耦接用于接收所述材料去除波束接通/關斷狀態輸出信號，并對其進行響應來接通或關斷所述材料去除波束。

8.根據權利要求7所述的系統：

其中，所述材料去除設備是以下中的至少一個：切割設備或開槽設備。

9.根據權利要求7所述的系統：

其中，所述材料去除波束是以下中的至少一個：激光束、離子束、等離子束、水波束、普通粒子束或兩種或兩種以上波束的組合。