[發(fā)明專利]一種具有高發(fā)光效率的發(fā)光二極管

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201510912084.0
• 申請日: 2015-12-11
• 公開（公告）號: CN105355768A
• 公開（公告）日: 2016-02-24
• 發(fā)明（設計）人: 林志偉;陳凱軒;張永;卓祥景;姜偉;方天足;陳亮
• 申請（專利權）人: 廈門乾照光電股份有限公司
• 主分類號: H01L33/64
• 分類號: H01L33/64;H01L33/52;H01L33/44
• 代理公司: 揚州市錦江專利事務所 32106
• 代理人: 江平

1.一種具有高發(fā)光效率的發(fā)光二極管，包括襯底，在襯底上依次設置緩沖層、非故意摻雜層、n型導電層、有源區(qū)、電子阻擋層、p型導電層、p型歐姆接觸層和ITO透明導電層，在n型導電層上連接n電極，在n電極側面和外延層側面設置電極隔離層，在p型導電層上連接p電極，在芯片表面設置芯片保護層；其特征在于在朝向緩沖層的襯底表面設置形貌不同的PSS表面圖形，在p電極設置區(qū)域的襯底上的PSS表面圖形較其它區(qū)域大，且隨著遠離p電極設置區(qū)域，PSS表面圖形呈現(xiàn)漸變減小的規(guī)律；在p電極下方設置位錯阻擋層，所述位錯阻擋層設置在p電極設置區(qū)域內的ITO透明導電層以下至部分n型導電層；在位錯阻擋層下方設置位錯線密集區(qū)，所述位錯線密集區(qū)設置在p電極設置區(qū)域內的部分n型導電層以下至非故意摻雜層。

2.根據權利要求1所述發(fā)光二極管，其特征在于：所述位錯線密集區(qū)的面積不超過p電極面積的80%。

3.根據權利要求1所述發(fā)光二極管，其特征在于：所述位錯阻擋層上表面與p型歐姆接觸層齊平。

4.根據權利要求1所述發(fā)光二極管，其特征在于：在ITO透明導電層上的p電極區(qū)域不超過p電極總面積的10%。