[發明專利]晶片的加工方法

在審

• 申請號: 201510901141.5
• 申請日: 2015-12-09
• 公開（公告）號: CN105702628A
• 公開（公告）日: 2016-06-22
• 發明（設計）人: 中村勝;松岡祐哉
• 申請（專利權）人: 株式會社迪思科
• 主分類號: H01L21/78
• 分類號: H01L21/78;B24B7/22
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 李輝;于靖帥

技術領域

本發明涉及晶片的加工方法，在該晶片中，在正面上多條分割預定線形成為格子 狀，并且在由該多條分割預定線劃分出的多個區域中形成有器件，沿著分割預定線分 割該晶片。

背景技術

在半導體器件制造工藝中，在作為大致圓板形狀的半導體晶片的正面上通過排列 成格子狀的分割預定線劃分出多個區域，在該劃分出的區域中形成IC、LSI等器件。 通過沿著分割預定線將以這種方式形成的半導體晶片切斷，而對形成有器件的區域進 行分割從而制造出各個器件芯片。

上述的沿著半導體晶片的分割預定線進行的切斷通常是通過被稱為劃片鋸的切 削裝置而進行的。該切削裝置具有：卡盤工作臺，其保持半導體晶片或光器件晶片等 被加工物；切削構件，其用于對保持在該卡盤工作臺上的被加工物進行切削；以及切 削進給構件，其用于使卡盤工作臺與切削構件相對地移動。切削構件包含主軸單元， 該主軸單元具有主軸、裝配于該主軸的切削刀具以及對主軸進行旋轉驅動的電動機。 切削刀具由圓盤狀的基臺和裝配于該基臺的側面外周部的環狀的切刃構成，切刃例如 通過電鑄將粒徑3μm左右的金剛石磨粒固定于基臺并形成為厚度20μm左右。

而且，由于切削刀具具有20μm左右的厚度，因此作為劃分器件的分割預定線， 其寬度需要為50μm左右，存在分割預定線相對于晶片的面積所占的面積比率較大， 生產性變差這樣的問題。

另一方面，近年來，作為對半導體晶片等晶片進行分割的方法，如下的被稱為內 部加工的激光加工方法也被實用化：使用對于晶片具有透過性的波長的脈沖激光光 線，將聚光點定位在應該進行分割的區域的內部而照射脈沖激光光線。使用了這種被 稱作內部加工的激光加工方法的分割方法是如下的技術：使聚光點從晶片的一個面側 對準至內部而照射對于晶片具有透過性的波長的脈沖激光光線，在晶片的內部沿著分 割預定線連續地形成改質層，沿著因形成該改質層而導致強度降低的分割預定線施加 外力，由此將晶片斷裂并分割(例如，參照專利文獻1)。

作為像上述那樣對沿著分割預定線形成改質層的晶片的分割預定線施加外力并 將晶片分割成各個器件芯片的方法，在下述專利文獻2中公開了如下技術：通過將沿 著分割預定線形成有改質層的晶片粘貼在裝配于環狀的框架的劃片帶上，并擴展劃片 帶而對晶片施加拉力，沿著形成有改質層且強度降低的分割預定線將晶片分割成各個 器件芯片。

并且，在下述專利文獻3中公開了如下技術：在沿著分割預定線連續地形成改質 層的晶片的正面上粘貼保護帶，將保護帶側保持在卡盤工作臺上，然后對于晶片的背 面一邊供給磨削水一邊進行磨削而將其形成為規定的厚度并且將晶片分割成各個器 件芯片。

專利文獻1：日本特開2004-160493號公報

專利文獻2：日本特開2005-223282號公報

專利文獻3：日本特開2013-165229號公報

然而，如果在沿著分割預定線連續地形成有改質層的晶片的正面上粘貼保護帶， 并將保護帶側保持在卡盤工作臺上而對于晶片的背面一邊磨削水一邊進行磨削由此 將其形成為規定的厚度并且將晶片分割成各個器件芯片，則存在如下的問題：磨削水 從被分割成各個器件芯片的間隙侵入而污染器件芯片的側面和正面從而使器件芯片 的品質降低。

并且，如果在已被分割成各個器件芯片的晶片的背面上裝配粘接膜并且粘貼劃片 帶，并通過擴展該劃片帶而沿著各個器件芯片將粘接膜斷裂，則存在如下的問題：由 于粘接膜形成為比晶片稍大，因此粘接膜的外周部會破碎而飛散并附著于器件芯片的 正面而使器件芯片的品質降低。

發明內容

本發明是鑒于上述情況而完成的，其主要的技術課題在于提供一種晶片的加工方 法，當在沿著分割預定線形成有改質層的晶片的正面上粘貼保護帶，并將保護帶側保 持在卡盤工作臺上而對于晶片的背面一邊供給磨削水一邊進行磨削而將其形成為規 定的厚度并且將晶片分割成各個器件芯片時，能夠在不污染器件芯片的側面和正面的 情況下實施。