[發明專利]晶片的加工方法在審
| 申請號: | 201510901141.5 | 申請日: | 2015-12-09 |
| 公開(公告)號: | CN105702628A | 公開(公告)日: | 2016-06-22 |
| 發明(設計)人: | 中村勝;松岡祐哉 | 申請(專利權)人: | 株式會社迪思科 |
| 主分類號: | H01L21/78 | 分類號: | H01L21/78;B24B7/22 |
| 代理公司: | 北京三友知識產權代理有限公司 11127 | 代理人: | 李輝;于靖帥 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 晶片 加工 方法 | ||
1.一種晶片的加工方法,該晶片中,在正面上以格子狀形成有多條分割預定線, 并且在由該多條分割預定線劃分出的各區域中形成有器件,沿著該分割預定線將該晶 片分割成各個器件芯片,該晶片的加工方法的特征在于,具有如下的工序:
保護膜形成工序,在晶片的正面上包覆液狀樹脂而形成保護膜,該液狀樹脂因照 射紫外線而硬化;
保護膜硬化工序,對該保護膜照射紫外線而使保護膜硬化;
保護帶粘貼工序,在該保護膜的表面上粘貼保護帶;
改質層形成工序,將聚光點定位在晶片內部而沿著該分割預定線照射對于晶片具 有透過性的波長的激光光線,在晶片的內部沿著該分割預定線形成改質層;以及
背面磨削工序,在實施了該保護帶粘貼工序和該改質層形成工序之后,一邊供給 磨削水一邊對晶片的背面進行磨削而將晶片薄化至規定的厚度,并且以該改質層作為 斷裂起點而沿著分割預定線將晶片分割成各個器件芯片。
2.根據權利要求1所述的晶片的加工方法,其中,該晶片的加工方法還具有如 下的工序:
粘接膜斷裂工序,在實施了該背面磨削工序之后,在已被分割成各個器件芯片的 晶片的背面上粘貼粘接膜并且在該粘接膜上粘貼劃片帶,從晶片的正面將該保護帶剝 離,通過擴展該劃片帶而將該粘接膜沿著各個器件芯片斷裂;以及
保護膜去除工序,對實施了該粘接膜斷裂工序的各個器件芯片的正面供給清洗液 而去除該保護膜。
3.根據權利要求2所述的晶片的加工方法,其中,
該液狀樹脂由水溶性樹脂構成,在該保護膜去除工序中供給清洗水而去除該保護 膜。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





