[發明專利]半導體裝置及固態攝像裝置

在審

• 申請號: 201510897480.0
• 申請日: 2015-12-08
• 公開（公告）號: CN105702692A
• 公開（公告）日: 2016-06-22
• 發明（設計）人: 河野光貴
• 申請（專利權）人: 株式會社東芝
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 張世俊

相關申請案

本申請案享有以日本專利申請2014-249703號(申請日：2014年12月10日)為基礎 申請案的優先權。本申請案通過參照所述基礎申請案而包含基礎申請案的全部內容。

技術領域

本發明的實施方式涉及一種半導體裝置及固態攝像裝置。

背景技術

作為WLCSP(WaferLevelChipScalePackage)類型的半導體裝置的一例，已知有如 下固態攝像裝置，所述固態攝像裝置含有具有像素部的傳感器部、呈環狀形成于所述傳 感器部上的粘結層、及配置于粘結層上的玻璃基板。這種WLCSP類型的固態攝像裝置 中，在傳感器部的下表面側，隔著絕緣膜而形成有與像素部電連接的配線。此外，以接 觸包含所述配線在內的絕緣膜的方式形成阻焊劑膜。阻焊劑膜是以覆蓋配線的方式形 成，因此能保護配線。

這種現有WLCSP類型的固態攝像裝置中，與對含有金屬的配線的密接強度相比， 阻焊劑膜對絕緣膜的密接強度極其微弱。因此，固態攝像裝置的制造步驟中固態攝像裝 置受損，且固態攝像裝置制造后固態攝像裝置受到來自外部的損傷，使得絕緣膜產生裂 痕、缺陷、龜裂等，由于所述理由而有阻焊劑膜從絕緣膜剝落、固態攝像裝置的可靠性 下降等問題。

發明內容

本發明的實施方式提供一種能抑制可靠性下降的半導體裝置及固態攝像裝置。

實施方式的半導體裝置具備：半導體基板，具有元件部；絕緣膜，設于所述半導體 基板的主面上；配線，設于所述絕緣膜上，與所述元件部電連接；凹凸部，設于所述半 導體基板的所述主面側；及保護膜，以接觸所述配線及所述凹凸部，且接觸所述絕緣膜 的方式設置。

附圖說明

圖1是第1實施例的固態攝像裝置的一剖視圖。

圖2是將第1實施例的固態攝像裝置的下表面的一部分放大表示的俯視圖。

圖3是用來說明配線形成區域的定義的圖。

圖4是第2實施例的固態攝像裝置的一剖視圖。

圖5A是將第2實施例的固態攝像裝置的下表面的一部分放大表示的俯視圖。

圖5B是將第2實施例的第1變化例的固態攝像裝置的下表面的一部分放大表示的 俯視圖。

圖6是第2實施例的第2變化例的固態攝像裝置的一剖視圖。

圖7是第3實施例的固態攝像裝置的一剖視圖。

圖8是將第3實施例的固態攝像裝置的下表面的一部分放大表示的俯視圖。

具體實施方式

以下參照附圖來詳細說明實施例的半導體裝置。在以下的各實施例的說明中，詳細 地說明作為半導體裝置的一例的WLCSP(WaferLevelChipScalePackage)類型的固態攝 像裝置。另外，所謂WLCSP類型的固態攝像裝置，是指維持半導體晶片狀態批次制造 多個固態攝像裝置，最后將半導體晶片等切斷而形成的固態攝像裝置。以下，將WLCSP 類型的固態攝像裝置稱為固態攝像裝置。

＜第1實施例＞

圖1是表示第1實施例的固態攝像裝置的一剖視圖。此外，圖2是將第1實施例的 固態攝像裝置的下表面的一部分放大表示的俯視圖。

圖1及圖2所示的固態攝像裝置10具有傳感器部11、設于所述傳感器部11上的粘 結層12、及透明基板13，所述透明基板13經由所述粘結層12而設于傳感器部11的上 方。

傳感器部11是通過在作為半導體基板14的一主面的上表面側，設置作為元件部的 像素部15而構成。半導體基板14的像素部15具有多個受光部15a。半導體基板14是 含有例如硅的硅基板，多個受光部15a分別為例如光電二極管層。多個受光部15a在半 導體基板14的上表面的大致中央部二維排列。

傳感器部11中，在半導體基板14的上表面上設有配線層16。配線層16是以如下 方式構成的多層配線層：遍及多個層(例如2層)而層疊的多個內部配線17利用層間絕緣 膜18而相互絕緣。在所述配線層16的內部，設有與配線層16的內部配線17電連接的 多個內部電極19。多個內部配線17及多個內部電極19分別含有例如Al、或Cu等金屬 材料，層間絕緣膜18含有例如SiO₂等。

另外，為了抑制對內部配線17接收入射光的妨礙，配線層16的內部配線17設為 并不覆蓋形成于半導體基板14的上表面的受光部15a的正上方。