[發明專利]半導體裝置及固態攝像裝置在審
| 申請號: | 201510897480.0 | 申請日: | 2015-12-08 |
| 公開(公告)號: | CN105702692A | 公開(公告)日: | 2016-06-22 |
| 發明(設計)人: | 河野光貴 | 申請(專利權)人: | 株式會社東芝 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146 |
| 代理公司: | 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287 | 代理人: | 張世俊 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 半導體 裝置 固態 攝像 | ||
1.一種半導體裝置,其特征在于具備:
半導體基板,具有元件部;
絕緣膜,設于所述半導體基板的主面上;
配線,設于所述絕緣膜上,與所述元件部電連接;
凹凸部,設于所述半導體基板的所述主面側;及
保護膜,以接觸所述配線及所述凹凸部,且接觸所述絕緣膜的方式設置。
2.根據權利要求1所述的半導體裝置,其特征在于:所述凹凸部是設于所述絕緣膜上 的凸部。
3.根據權利要求2所述的半導體裝置,其特征在于:所述凸部是含有金屬配線的虛設 配線。
4.根據權利要求3所述的半導體裝置,其特征在于:具有多個所述配線,
具有配線形成區域,設于所述半導體基板的所述主面側,由將所述多個配線的 若干邊連結形成的外周閉合,且內部包含所有的所述配線,
所述虛設配線設于所述配線形成區域的周圍。
5.根據權利要求4所述的半導體裝置,其特征在于:所述虛設配線為沿著所述半導體 基板的所述主面的外周的環形狀。
6.根據權利要求4所述的半導體裝置,其特征在于:所述虛設配線為被分割后的環形 狀。
7.根據權利要求1所述的半導體裝置,其特征在于:所述凹凸部含有設于所述絕緣膜 的槽。
8.根據權利要求7所述的半導體裝置,其特征在于:具有多個所述配線,
具有配線形成區域,設于所述半導體基板的所述主面側,由將所述多個配線的 若干邊連結形成的外周閉合,且內部包含所有的所述配線,
所述槽設于所述配線形成區域的周圍。
9.根據權利要求8所述的半導體裝置,其特征在于:所述槽為沿著所述半導體基板的 所述主面的外周的環形狀。
10.根據權利要求8所述的半導體裝置,其特征在于:所述槽為分割后的環形狀。
11.根據權利要求8所述的半導體裝置,其特征在于:所述槽貫穿所述絕緣膜。
12.根據權利要求8所述的半導體裝置,其特征在于:所述槽以貫穿所述絕緣膜,到達 所述半導體基板的內部的方式設置。
13.一種半導體裝置,其特征在于具備:
半導體基板,具有元件部;
絕緣膜,設于所述半導體基板的主面上;
多個配線,設于所述絕緣膜上,分別與所述元件部電連接;及
保護膜,以只覆蓋配線形成區域的方式設置,所述配線形成區域是在所述半導 體基板的所述主面側,由將所述多個配線的若干邊上的線連結形成的外周,以內部 包含所有的所述配線的方式封閉的一區域。
14.一種固態攝像裝置,其特征在于具備:
半導體基板,在一主面側具有像素部;
絕緣膜,設于所述半導體基板的另一主面上;
配線,設于所述絕緣膜上,與所述像素部電連接;
凹凸部,設于所述半導體基板的所述另一主面側;及
保護膜,以接觸所述配線及所述凹凸部,且接觸所述絕緣膜的方式設置。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





