[發明專利]齊納二極管的制作方法和LED封裝器件有效
| 申請號: | 201510875472.6 | 申請日: | 2015-12-02 |
| 公開(公告)號: | CN105390395B | 公開(公告)日: | 2018-08-31 |
| 發明(設計)人: | 姚述光;萬垂銘;姜志榮;曾照明;區偉能;肖國偉 | 申請(專利權)人: | 廣東晶科電子股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/329 | 分類號: | H01L21/329;H01L29/866;H01L33/60 |
| 代理公司: | 廣州新諾專利商標事務所有限公司 44100 | 代理人: | 肖云 |
| 地址: | 511458 廣*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 齊納二極管 制作方法 led 封裝 器件 | ||
1.齊納二極管的制作方法,其特征在于,包括:
在一基板上載設一臨時載體,所述臨時載體包括有用于將臨時載體粘接在基板上的第一接觸層、用于將齊納二極管粘接在臨時載體上的第二接觸層,所述第二接觸層設置在第一接觸層上;
將齊納二極管均勻排布在該臨時載體的第二接觸層;
在均勻排布有齊納二極管的臨時載體上涂覆白色反光膠并固化,使齊納二極管表面形成一白色反光膠層;
研磨去掉齊納二極管的電極表面的白色反光膠層;
去掉所述臨時載體和基板;
切割得到四周帶有反光膠層的齊納二極管單體。
2.根據權利要求1所述的齊納二極管的制作方法,其特征在于:
所述第一接觸層具有粘性,所述第二接觸層具有粘性,且所述第一接觸層的粘度大于第二接觸層的粘度。
3.根據權利要求2所述的齊納二極管的制作方法,其特征在于:
在去掉所述臨時載體和基板之前,還包括:通過紫外光照射的方式降低或消除所述第一、第二接觸層的粘度的步驟。
4.根據權利要求3所述的齊納二極管的制作方法,其特征在于:
所述基板為可透紫外光基板。
5.根據權利要求2所述的齊納二極管的制作方法,其特征在于:
在去掉所述臨時載體和基板之前,還包括:通過加熱的方式降低或消除所述第一、第二接觸層的粘性的步驟。
6.根據權利要求3-5任一項所述的齊納二極管的制作方法,其特征在于:
所述第一、第二接觸層的粘度降低幅度為40%以上。
7.根據權利要求1所述的齊納二極管的制作方法,其特征在于:
所述第一、第二接觸層的材料為硅膠、環氧樹脂、丙烯酸甲酯中的一種或多種。
8.根據權利要求1所述的齊納二極管的制作方法,其特征在于:
所述白色反光膠為不透明熱固性膠體,其硬度為邵氏40A-80D,反射率不小于50%。
9.LED封裝器件,其特征在于:包括有通過權利要求1-8所述方法制作的齊納二極管。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





