[發(fā)明專利]一種1D位場異常曲線構(gòu)建2D位場異常剖面的方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201510870525.5
• 申請日: 2015-12-01
• 公開（公告）號(hào): CN105425307A
• 公開（公告）日: 2016-03-23
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 沈鴻雁;嚴(yán)月英
• 申請（專利權(quán)）人: 西安石油大學(xué)
• 主分類號(hào): G01V3/38
• 分類號(hào): G01V3/38;G01V1/30
• 代理公司: 西安西達(dá)專利代理有限責(zé)任公司 61202
• 代理人: 第五思軍

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明屬于位場數(shù)據(jù)處理技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種1D位場異常曲線構(gòu)建2D位場異常剖面的方法。

背景技術(shù)

位場包括重力場、磁場和電場，位場的異常是來自不同深度、不同尺度場源體綜合響應(yīng)及共同疊加的結(jié)果。受位場勘探方法理論自身的限制，野外位場數(shù)據(jù)采集難以獲得深度(維)信息，致使位場異常的地質(zhì)解釋不夠直觀，從而增大了位場資料地質(zhì)解釋工作的難度，并降低了地質(zhì)解釋的準(zhǔn)確性。

發(fā)明內(nèi)容

為了克服上述現(xiàn)有技術(shù)的不足，本發(fā)明的目的在于提出了一種1D位場異常曲線構(gòu)建2D位場異常剖面的方法，該方法具有異常信息展示直觀，易于地質(zhì)解釋的優(yōu)點(diǎn)。

為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明采用的技術(shù)方案是：一種1D位場異常曲線構(gòu)建2D位場異常剖面的方法，包括如下步驟：

第一步，將含有m個(gè)采樣點(diǎn)，點(diǎn)距為Δx的一維位場異常數(shù)據(jù)讀取到一維數(shù)組f中；

第二步，對一維數(shù)組f進(jìn)行一維離散小波多尺度分解，一維離散小波多尺度分解正變換為：

W(a,b)=1|a|Σi=0m-1ψ*(i·Δx-ba)f(i·Δx),a≠0]]>

式中，ψ稱為基本小波(也稱為母小波)；ψ^*為ψ的共軛函數(shù)；a表示伸縮系數(shù)，反映特定基函數(shù)的寬度(也叫做尺度)；b表示平移系數(shù)，指定沿x軸平移的位置，且并令a₀＝2，b₀＝1，j∈Z，k∈Z；Δx為點(diǎn)距；i＝0，2，…，m-1，為采樣序號(hào)；

第三步，分別提取每一尺度小波細(xì)節(jié)的高頻分量，并進(jìn)行一維離散小波反變換，一維離散小波多尺度分解反變換為：

f(x)=Σj=-∞+∞Σk=-∞+∞W(j,k)ψ(2-jx-k)]]>