[發(fā)明專利]晶片加工用帶

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201510870409.3
• 申請(qǐng)日: 2015-12-02
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN105694745B
• 公開(kāi)（公告）日: 2018-10-09
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 杉山二朗;青山真沙美;佐久間登;大田鄉(xiāng)史;木村和寬
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 古河電氣工業(yè)株式會(huì)社
• 主分類號(hào): C09J7/20
• 分類號(hào): C09J7/20;H01L21/683
• 代理公司: 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021
• 代理人: 劉建

本發(fā)明的課題在于提供一種晶片加工用帶，其可以減少標(biāo)簽痕跡的產(chǎn)生，且可以不論膠粘劑層的厚度如何地選擇支承構(gòu)件，同時(shí)可以減少在膠粘劑層與粘合膜之間卷入空氣。其特征在于，具有：長(zhǎng)的脫模膜(11)；膠粘劑層(12)，設(shè)置在脫模膜(11)的第1面上、且具有規(guī)定的平面形狀；粘合膜(13)，具有標(biāo)簽部(13a)和包圍標(biāo)簽部(13a)的外側(cè)的周邊部(13b)，標(biāo)簽部(13a)以覆蓋膠粘劑層(12)、且在膠粘劑層(12)的周?chē)c脫模膜(11)接觸的方式設(shè)置，并且具有規(guī)定的平面形狀；以及支承構(gòu)件(14)，設(shè)置在脫模膜(11)的與第1面相反的第2面上，并且在包含與膠粘劑層(12)對(duì)應(yīng)的部分、且不包含與標(biāo)簽部(13a)的在所述脫模膜(11)的短邊方向上的端部對(duì)應(yīng)的部分的區(qū)域內(nèi)，沿脫模膜(11)的長(zhǎng)邊方向設(shè)置。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及晶片加工用帶，特別是涉及具有芯片切割帶和芯片接合膜的2個(gè)功能的晶片加工用帶。

背景技術(shù)

最近，正在開(kāi)發(fā)一種芯片切割-芯片接合帶，其兼具將半導(dǎo)體晶片切斷分離(芯片切割)為各個(gè)芯片時(shí)用于固定半導(dǎo)體晶片的芯片切割帶、和用于將切斷后的半導(dǎo)體芯片粘接于引線框或封裝基板等、或者在堆疊封裝中用于將半導(dǎo)體芯片彼此層疊、粘接的芯片接合膜(也稱為芯片貼裝膜)的2個(gè)功能。

作為這樣的芯片切割-芯片接合帶，考慮到向晶片的貼附、芯片切割時(shí)的向貼片環(huán)框的安裝等的操作性，有時(shí)實(shí)施了預(yù)切割加工。

在圖4和圖5中示出預(yù)切割加工后的芯片切割-芯片接合帶的例子。圖4是表示將芯片切割-芯片接合帶卷繞為卷筒狀的狀態(tài)的圖，圖5(a)是芯片切割-芯片接合帶的俯視圖，圖5(b)是基于圖5(a)的線B-B的剖面圖。芯片切割-芯片接合帶50包含脫模膜51、膠粘劑層52和粘合膜53。膠粘劑層52加工為與晶片的形狀對(duì)應(yīng)的圓形，具有圓形標(biāo)簽形狀。粘合膜53中除去了與芯片切割用的貼片環(huán)框的形狀對(duì)應(yīng)的圓形部分的周邊區(qū)域，如圖所示，具有圓形標(biāo)簽部53a和包圍其外側(cè)的周邊部53b。膠粘劑層52與粘合膜53的圓形標(biāo)簽部53a以將其中心對(duì)齊的方式層疊，另外，粘合膜53的圓形標(biāo)簽部53a覆蓋膠粘劑層52且在其周?chē)c脫模膜51接觸。

將晶片芯片切割時(shí)，從層疊狀態(tài)的膠粘劑層52和粘合膜53剝離脫模膜51，如圖6所示，在膠粘劑層52上貼附半導(dǎo)體晶片W的背面，在粘合膜53的圓形標(biāo)簽部53a的外周部粘合固定芯片切割用貼片環(huán)框R。在該狀態(tài)下將半導(dǎo)體晶片W芯片切割，之后，對(duì)粘合膜53實(shí)施紫外線照射等固化處理后拾取半導(dǎo)體芯片。此時(shí)，粘合膜53由于固化處理而粘合力降低，因此容易從膠粘劑層52剝離，在背面附著了膠粘劑層52的狀態(tài)下拾取半導(dǎo)體芯片。附著于半導(dǎo)體芯片的背面的膠粘劑層52在之后將半導(dǎo)體芯片粘接于引線框、封裝基板、或其他半導(dǎo)體芯片時(shí)，作為芯片接合膜起作用。

另外，就像上述那樣的芯片切割-芯片接合帶50而言，膠粘劑層52與粘合膜53的圓形標(biāo)簽部53a層疊的部分比粘合膜53的周邊部53b厚。因此，作為制品卷繞成卷筒狀時(shí)，膠粘劑層52與粘合膜53的圓形標(biāo)簽部53a的層疊部分、與粘合膜53的周邊部53a的高度差相互重疊，發(fā)生在柔軟的膠粘劑層52表面轉(zhuǎn)印高度差的現(xiàn)象，即圖7所示的那樣的轉(zhuǎn)印痕(也稱為標(biāo)簽痕跡、皺紋、或卷繞痕跡)。這樣的轉(zhuǎn)印痕的產(chǎn)生特別是在膠粘劑層52由柔軟的樹(shù)脂形成的情況、存在厚度的情況和帶50的卷繞數(shù)多的情況等顯著。然后，若產(chǎn)生轉(zhuǎn)印痕，則存在由膠粘劑層與半導(dǎo)體晶片的粘接不良導(dǎo)致在晶片的加工時(shí)產(chǎn)生不良情況的可能性。

為了解決這樣的問(wèn)題，正在開(kāi)發(fā)一種晶片加工用帶，其為脫模膜的與設(shè)置了膠粘劑層和粘合膜的第1面相反的第2面上、且在脫模膜的短邊方向的兩端部設(shè)置了支承構(gòu)件(例如，參照專利文獻(xiàn)1)。這樣的晶片加工用帶設(shè)置了支承構(gòu)件，因此在將晶片加工用帶卷繞為卷筒狀時(shí)，可以將對(duì)帶施加的卷繞壓力分散、或集中于支承構(gòu)件，因此，可以抑制向膠粘劑層的轉(zhuǎn)印跡的形成。

現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)1：日本專利第4360653號(hào)公報(bào)

發(fā)明內(nèi)容