[發明專利]無鉛壓電薄膜的制備方法在審
| 申請號: | 201510869543.1 | 申請日: | 2015-12-01 |
| 公開(公告)號: | CN105349975A | 公開(公告)日: | 2016-02-24 |
| 發明(設計)人: | 遲慶國;馬濤;陳陽;董久峰;劉剛;王暄 | 申請(專利權)人: | 哈爾濱理工大學 |
| 主分類號: | C23C20/08 | 分類號: | C23C20/08 |
| 代理公司: | 哈爾濱市松花江專利商標事務所 23109 | 代理人: | 侯靜 |
| 地址: | 150080 黑龍*** | 國省代碼: | 黑龍江;23 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 壓電 薄膜 制備 方法 | ||
技術領域
本發明涉及一種高取向無鉛壓電薄膜的制備方法。
背景技術
目前應用廣泛的鐵電材料通常含鉛比例較高,對環境和人類健康是一致命威脅。無鉛NKBT具有較高的室溫居里溫度和強的電學性能,如鐵電性、熱釋電性等。溶膠凝膠法制備的NKBT薄膜具有極好的電學特性。NKBT薄膜目前已廣泛應用于各類電力電子設備,如熱釋電紅外輻射探測器,因為設備基于NKBT薄膜具有一些重要優勢:如室溫操作、從近紫外光到遠紅外光譜響應快、靈敏度好、成本低、簡單的設備結構等。
發明內容
本發明的目的是為了解決傳統鐵電性能優異薄膜含鉛的技術問題,提供了一種無鉛壓電薄膜的制備方法。
無鉛壓電薄膜的制備方法如下:
一、將醋酸鈉、醋酸鉀和硝酸鉍加入醋酸中,然后在溫度為55℃~65℃條件下,攪拌速度為500r/min~700r/min的條件下攪拌20min~40min,得到A溶液;
將鈦酸四丁酯加入乙二醇甲醚和乙酰丙酮的混合溶液,在室溫下控制轉速為500r/min~700r/min攪拌20min~40min,再加入甲酰胺,繼續攪拌20min~40min,得到B溶液;
將冷卻至室溫的A溶液和B溶液混合均勻,得到C溶液,再加入乙二醇甲醚,調整C溶液的濃度為0.2mol/L~0.3mol/L,再在室溫下控制攪拌速度為500r/min~700r/min攪拌20min~40min,然后陳化24h,得到鈦酸鉍鈉鉀溶膠,
其中醋酸鈉與醋酸的比例為(0.046~0.049)g:1mL、醋酸鉀與醋酸的比例為(0.011~0.013)g:1mL、硝酸鉍與醋酸的比例為(0.321~0.323)g:1mL;乙二醇甲醚與鈦酸四丁酯的摩爾比為(3.55~5.24):1,乙酰丙酮與鈦酸四丁酯的摩爾比為(0.98~1.11):1,甲酰胺與鈦酸四丁酯的摩爾比為(0.48~0.65):1;
二、把硝酸鑭和醋酸鎳加入乙二醇甲醚中,然后在溫度55℃~65℃,轉速為500r/min~700r/min,攪拌20min~40min,最后添加乙二醇甲醚調節溶膠濃度為0.02~0.08mol/L,陳化24h后,得到鎳酸鑭溶膠,其中硝酸鑭與乙二醇甲醚的比例為(0.034~0.038)g:1mL,醋酸鎳與乙二醇甲醚的比例為(0.019~0.023)g:1mL;
三、利用勻膠機在Pt/Ti/SiO2/Si襯底上,旋凃一層鎳酸鑭溶膠,勻膠機轉速為3500r/s~4500r/s,旋涂時間為12~18s,然后置于溫度為350℃~400℃的平板加熱器上預熱2min~4min,然后在550~650℃下快速退火處理30min,即得到晶化的LNO種子層;
四、在晶化的LNO種子層上旋凃一層鈦酸鉍鈉鉀溶膠,置于溫度為400℃~500℃的平板加熱器上預熱30s~90s,得到NKBT薄膜;
五、按照步驟四的操作步驟重復5~7次,即得到LNO種子層調控的多層NKBT薄膜,勻膠機轉速為3500r/s~4500r/s,旋涂時間為12~18s;
六、將制備好的LNO種子層調控的多層NKBT非晶態濕膜,在450℃~700℃進行快速退火處理,退火時間為2min~4min,得到無鉛壓電薄膜。
本發明的有益效果:
一、從保護環境和可持續發展的角度來講,本發明制備的薄膜體系內重金屬鉛含量為零,屬于可持續發展和無污染材料。
二、本發明提供了一種優質的種子層薄膜,即LNO薄膜,該薄膜和NKBT薄膜一樣都是鈣鈦礦結構的薄膜,該薄膜不僅晶化溫度低,與Pt襯底有恰到好處的晶格錯配,可以大大緩解后期薄膜晶化過程中Pt襯底對NKBT薄膜的影響;并且LNO薄膜與NKBT薄膜參數匹配,可以更好的為NKBT薄膜提供更多的形核質點,使NKBT薄膜低溫晶化大幅度降低。
三、本發明中通過LNO優化的NKBT薄膜實現低溫晶化,純NKBT薄膜的晶化溫度一般高達700℃,而通過LNO種子層薄膜的優化調控后,NKBT薄膜的晶化溫度低至450℃,這對薄膜能實現微型化、集成化來說是一個最基本的條件。而且通過LNO種子層的調控,NKBT薄膜的鐵電、壓電、熱釋電性都有大幅度提高,并且LNO種子層更好的緩解Pt襯底和NKBT薄膜的晶格差異而產生的位錯,使薄膜體系的漏電流降低,進而從本質上增大了薄膜耐疲勞性和使用壽命。
四、本發明工藝、設備非常簡單,所用原材料均為市場所售、價格低廉、成本較低,易于器件集成,適合于工業化生產。
附圖說明
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