[發明專利]光器件晶片的加工方法在審
| 申請號: | 201510868645.1 | 申請日: | 2015-12-02 |
| 公開(公告)號: | CN105679708A | 公開(公告)日: | 2016-06-15 |
| 發明(設計)人: | 大島龍司 | 申請(專利權)人: | 株式會社迪思科 |
| 主分類號: | H01L21/78 | 分類號: | H01L21/78;H01L33/00 |
| 代理公司: | 北京三友知識產權代理有限公司 11127 | 代理人: | 李輝;金玲 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 器件 晶片 加工 方法 | ||
技術領域
本發明涉及覆蓋有樹脂的光器件晶片的加工方法。
背景技術
在生產白色LED等的情況下,在光器件晶片上的發光層的正面上,進行包含提 升光特性的熒光材料粒子等的透光性成型樹脂的成型。此后,為了消除LED等的發 出色的差異,需要進行透光性成型樹脂層的旋削,使得樹脂層正面的變得平坦。作為 該旋削工序,使具有金剛石的切削部的刀具旋轉并作用于光器件晶片上,并且對發光 層正面上的透光性成型樹脂全面地進行旋削,從而使其變得平坦,以將透光性成型樹 脂精加工為期望的厚度。而且,用于該旋削中的刀具的切削部通常使用單晶的金剛石 (例如,參照專利文獻1)。
專利文獻1:日本特開2012-114366號公報
對于透光性成型樹脂的層,需要進行用于使其變得平坦的旋削工序,因而在成型 的階段,將其形成為具備某種程度的厚度(作為一例為1mm左右)。而且,為了使光 器件晶片上的電極等露出,需要將該較厚的透光性成型樹脂層旋削至規定的厚度(作 為一例約為100μm左右)。然而,這種旋削需要較長時間,此外,用于旋削的切削部 也會隨著旋削時間變長而發生消耗,因此會產生頻繁更換切削部的需要。因此,在僅 使用單晶金剛石的切削部進行的旋削中,成本變高成為問題。
發明內容
于是,本發明的目的在于,在對光器件晶片的透光性成型樹脂進行旋削的情況下, 保證旋削后的成型樹脂層正面的平坦度等的加工品質,并且可抑制旋削部的消耗量并 實現加工的高速化。
用于達成上述目的的本發明提供一種光器件晶片的加工方法,該光器件晶片在發 光層上形成有多個光器件,并且在該發光層的正面上覆蓋有提升光特性的透光性成型 樹脂,其特征在于,包括:第1旋削工序,使具有切削部的刀具旋轉并作用于光器件 晶片的該透光性成型樹脂上,對該透光性成型樹脂進行旋削,對該透光性成型樹脂進 行粗旋削,其中,該切削部是由包含金剛石的燒結體形成的;以及第2旋削工序,在 該第1旋削工序之后,使具有金剛石單晶的切削部的刀具旋轉并作用于光器件晶片的 該透光性成型樹脂上,對該透光性成型樹脂進行旋削,將該透光性成型樹脂精加工為 期望的厚度。
在所述金剛石中優選添加有硼。
發明的效果
在本發明中,首先利用由包含金剛石的燒結體形成的切削部對光器件晶片的透光 性成型樹脂層進行粗旋削(第1旋削工序),接著,通過由金剛石單晶構成的切削部 進行用于提高平坦度等的精密旋削(第2旋削工序),從而能夠使透光性成型樹脂層 的正面高精度地變得平坦,并且可抑制具有單晶金剛石的切削部的刀具的消耗量并實 現成本削減。
此外,通過在金剛石中添加硼,從而可對切削部賦予優良的固體潤滑性和散熱性。 由此,在第1旋削工序和/或第2旋削工序中能夠更為平滑地旋削透光性成型樹脂層, 可提升旋削速度。此外,還能夠抑制第1旋削工序和/或第2旋削工序中使用的刀具 的消耗。
附圖說明
圖1是光器件晶片的正面側的立體圖。
圖2是旋削加工前的光器件晶片的局部放大剖視圖。
圖3是表示用于旋削加工中的旋削裝置的一個實施方式的立體圖。
圖4是刀具的分解立體圖。
圖5是表示旋削光器件晶片的狀態的側面圖。
圖6是表示旋削光器件晶片的狀態的平面圖。
圖7是第1旋削工序中的光器件晶片和刀具的局部放大剖視圖。
圖8是第2旋削工序中的光器件晶片和刀具的局部放大剖視圖。
圖9是第2旋削工序后的光器件晶片的局部放大剖視圖。
標號說明
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于株式會社迪思科,未經株式會社迪思科許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201510868645.1/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:便于與支架連接的新型照相機
- 下一篇:一種伸縮桿、自拍桿
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





