[發明專利]光器件晶片的加工方法在審
| 申請號: | 201510868645.1 | 申請日: | 2015-12-02 |
| 公開(公告)號: | CN105679708A | 公開(公告)日: | 2016-06-15 |
| 發明(設計)人: | 大島龍司 | 申請(專利權)人: | 株式會社迪思科 |
| 主分類號: | H01L21/78 | 分類號: | H01L21/78;H01L33/00 |
| 代理公司: | 北京三友知識產權代理有限公司 11127 | 代理人: | 李輝;金玲 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 器件 晶片 加工 方法 | ||
1.一種光器件晶片的加工方法,該光器件晶片在發光層上形成有多個光器件, 并且在該發光層的正面上覆蓋有提升光特性的透光性成型樹脂,
該加工方法的特征在于,包括:
第1旋削工序,使具有切削部的刀具旋轉并作用于光器件晶片的該透光性成型樹 脂上,對該透光性成型樹脂進行旋削,來對該透光性成型樹脂進行粗旋削,其中,該 切削部是由包含金剛石的燒結體形成的;以及
第2旋削工序,在該第1旋削工序之后,使具有金剛石單晶的切削部的刀具旋轉 并作用于光器件晶片的該透光性成型樹脂上,對該透光性成型樹脂進行旋削,來將該 透光性成型樹脂精加工為期望的厚度。
2.根據權利要求1所述的光器件晶片的加工方法,其特征在于,
在所述金剛石中添加有硼。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





