[發(fā)明專利]板級(jí)射頻電流的時(shí)域測(cè)量、測(cè)量校準(zhǔn)及校準(zhǔn)驗(yàn)證系統(tǒng)在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201510867967.4 | 申請(qǐng)日: | 2015-11-30 |
| 公開(公告)號(hào): | CN105425014A | 公開(公告)日: | 2016-03-23 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 方文嘯;丘海迷;陳義強(qiáng);劉遠(yuǎn);陳立輝;黃云;恩云飛 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 工業(yè)和信息化部電子第五研究所 |
| 主分類號(hào): | G01R19/00 | 分類號(hào): | G01R19/00 |
| 代理公司: | 廣州華進(jìn)聯(lián)合專利商標(biāo)代理有限公司 44224 | 代理人: | 王程 |
| 地址: | 510610 廣東*** | 國(guó)省代碼: | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 射頻 電流 時(shí)域 測(cè)量 校準(zhǔn) 驗(yàn)證 系統(tǒng) | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及板級(jí)射頻電流技術(shù)領(lǐng)域,特別是涉及一種板級(jí)射頻電流的時(shí)域測(cè)量、測(cè)量校準(zhǔn)及校準(zhǔn)驗(yàn)證系統(tǒng)。
背景技術(shù)
所謂時(shí)域測(cè)量,就是測(cè)量變量隨時(shí)間的變化數(shù)據(jù)。現(xiàn)有技術(shù)中板級(jí)射頻電流時(shí)域測(cè)試需要直接接觸被測(cè)點(diǎn),這種直接接觸會(huì)干預(yù)被測(cè)系統(tǒng),例如修改系統(tǒng)或者停止系統(tǒng)。隨著被測(cè)對(duì)象的日益復(fù)雜,直接接觸測(cè)試電流帶來(lái)越來(lái)越多的問題。
發(fā)明內(nèi)容
基于上述情況,本發(fā)明提出了一種板級(jí)射頻電流的時(shí)域測(cè)量、測(cè)量校準(zhǔn)及校準(zhǔn)驗(yàn)證系統(tǒng),在測(cè)量之前進(jìn)行校準(zhǔn)、校準(zhǔn)驗(yàn)證,并采用非接觸的方式測(cè)試板級(jí)射頻電流,適合實(shí)際應(yīng)用。
為了實(shí)現(xiàn)上述目的,本發(fā)明技術(shù)方案的實(shí)施例為:
一種板級(jí)射頻電流的時(shí)域測(cè)量校準(zhǔn)系統(tǒng),包括磁場(chǎng)探頭、網(wǎng)絡(luò)分析儀、負(fù)載、處理器;
所述磁場(chǎng)探頭的輸出端連接所述網(wǎng)絡(luò)分析儀的端口一,微帶線測(cè)試板的微帶線的一端連接所述網(wǎng)絡(luò)分析儀的端口二,所述微帶線的另一端連接所述負(fù)載,所述處理器用于根據(jù)所述網(wǎng)絡(luò)分析儀測(cè)量的數(shù)據(jù)得到校準(zhǔn)因子,所述負(fù)載的阻值與所述微帶線特征阻抗匹配。
一種板級(jí)射頻電流的時(shí)域測(cè)量校準(zhǔn)驗(yàn)證系統(tǒng),包括磁場(chǎng)探頭、任意波形發(fā)生器、示波器、處理器;
所述磁場(chǎng)探頭的輸出端連接所述示波器的通道一,微帶線測(cè)試板的微帶線的一端連接所述示波器的通道二,所述微帶線的另一端連接所述任意波形發(fā)生器的輸出端,所述處理器用于根據(jù)所述示波器測(cè)量的數(shù)據(jù)驗(yàn)證校準(zhǔn)因子的正確性,所述示波器的內(nèi)部阻抗和所述任意波形發(fā)生器的內(nèi)部阻抗與所述微帶線特征阻抗匹配。
一種板級(jí)射頻電流的時(shí)域測(cè)量系統(tǒng),包括磁場(chǎng)探頭、示波器、處理器;
所述磁場(chǎng)探頭的輸出端連接所述示波器的通道一,待測(cè)板級(jí)射頻電流設(shè)置在微帶線測(cè)試板的微帶線處,所述處理器用于根據(jù)所述示波器測(cè)量的數(shù)據(jù)得到待測(cè)板級(jí)射頻電流值,所述示波器的內(nèi)部阻抗與所述微帶線特征阻抗匹配。
與現(xiàn)有技術(shù)相比,本發(fā)明的有益效果為:本發(fā)明板級(jí)射頻電流的時(shí)域測(cè)量、測(cè)量校準(zhǔn)及校準(zhǔn)驗(yàn)證系統(tǒng),在測(cè)量之前進(jìn)行校準(zhǔn)、校準(zhǔn)驗(yàn)證,提高后面電流測(cè)量結(jié)果的準(zhǔn)確性,同時(shí)采用非接觸的方式測(cè)試板級(jí)射頻電流,不會(huì)干預(yù)被測(cè)系統(tǒng),保證被測(cè)系統(tǒng)的正常運(yùn)行,適合實(shí)際應(yīng)用。
附圖說明
圖1為一個(gè)實(shí)施例中板級(jí)射頻電流的時(shí)域測(cè)量校準(zhǔn)系統(tǒng)結(jié)構(gòu)示意圖;
圖2為一個(gè)實(shí)施例中板級(jí)射頻電流的時(shí)域測(cè)量校準(zhǔn)驗(yàn)證系統(tǒng)結(jié)構(gòu)示意圖;
圖3為一個(gè)實(shí)施例中板級(jí)射頻電流的時(shí)域測(cè)量系統(tǒng)結(jié)構(gòu)示意圖;
圖4為一個(gè)實(shí)施例中校準(zhǔn)因子K(ω)示意圖;
圖5為一個(gè)實(shí)施例中測(cè)量得到的待測(cè)板級(jí)射頻電流I(t)示意圖;
圖6為一個(gè)實(shí)施例中實(shí)際待測(cè)板級(jí)射頻電流I′(t)示意圖。
具體實(shí)施方式
為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白,以下結(jié)合附圖及實(shí)施例,對(duì)本發(fā)明進(jìn)行進(jìn)一步的詳細(xì)說明。應(yīng)當(dāng)理解,此處所描述的具體實(shí)施方式僅僅用以解釋本發(fā)明,并不限定本發(fā)明的保護(hù)范圍。
一個(gè)實(shí)施例中板級(jí)射頻電流的時(shí)域測(cè)量校準(zhǔn)系統(tǒng),包括磁場(chǎng)探頭、網(wǎng)絡(luò)分析儀、負(fù)載、處理器;
如圖1所示,所述磁場(chǎng)探頭的輸出端連接所述網(wǎng)絡(luò)分析儀的端口一,微帶線測(cè)試板的微帶線的一端連接所述網(wǎng)絡(luò)分析儀的端口二,所述微帶線的另一端連接所述負(fù)載,所述處理器用于根據(jù)所述網(wǎng)絡(luò)分析儀測(cè)量的數(shù)據(jù)得到校準(zhǔn)因子,所述負(fù)載的阻值與所述微帶線特征阻抗匹配。
從以上描述可知,本發(fā)明板級(jí)射頻電流的時(shí)域測(cè)量校準(zhǔn)系統(tǒng)在測(cè)量前進(jìn)行校準(zhǔn),保證后續(xù)測(cè)量結(jié)果的準(zhǔn)確性。
其中,所述處理器根據(jù)公式K(ω)=S12*Z0得到校準(zhǔn)因子K(ω),其中S12為所述網(wǎng)絡(luò)分析儀上測(cè)量得到的傳輸系數(shù),Z0為所述微帶線特征阻抗,簡(jiǎn)單、準(zhǔn)確,適合應(yīng)用。
此外,在一個(gè)具體示例中,所述板級(jí)射頻電流的時(shí)域測(cè)量校準(zhǔn)系統(tǒng)還包括夾具、支架和樣品臺(tái),所述磁場(chǎng)探頭固定在所述夾具上,所述夾具固定在所述支架上,所述微帶線測(cè)試板固定在所述樣品臺(tái)上;夾具固定在支架上后可以隨意轉(zhuǎn)動(dòng)角度,整個(gè)探頭垂直于樣品臺(tái),方便后續(xù)操作,滿足實(shí)際需求。
一個(gè)實(shí)施例中板級(jí)射頻電流的時(shí)域測(cè)量校準(zhǔn)驗(yàn)證系統(tǒng),包括磁場(chǎng)探頭、任意波形發(fā)生器、示波器、處理器;
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于工業(yè)和信息化部電子第五研究所,未經(jīng)工業(yè)和信息化部電子第五研究所許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
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