[發(fā)明專利]引線框的制造方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201510859485.4 | 申請日: | 2015-11-30 |
| 公開(公告)號: | CN105655259A | 公開(公告)日: | 2016-06-08 |
| 發(fā)明(設計)人: | 高橋俊弘 | 申請(專利權)人: | 友立材料株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/48 | 分類號: | H01L21/48 |
| 代理公司: | 北京銀龍知識產(chǎn)權代理有限公司 11243 | 代理人: | 張敬強;嚴星鐵 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 引線 制造 方法 | ||
本發(fā)明的目的在于提供一種能夠不使工序數(shù)、制造成本增加而僅對需要的位置實施表面粗化處理的引線框的制造方法。一種具有通過半蝕刻加工而形成的凹部(14),并且表面局部地進行粗化處理的引線框(15)的制造方法,在上述方法中,具有:使用具有半蝕刻加工用圖案(84)和貫通蝕刻加工用圖案(83)的掩模(80)對金屬板(10)進行蝕刻,在該金屬板形成上述凹部和貫通圖案(13)的蝕刻工序;將上述半蝕刻加工用圖案變形為粗化處理用的開口(82)的掩模變形工序;以及使用上述半蝕刻加工用圖案變形為上述粗化處理用的開口的上述掩模(80a)對上述金屬板進行粗化處理的粗化處理工序。
技術領域
本發(fā)明涉及引線框的制造方法,特別是涉及對表面實施粗化處理的引線框的制造方法。
背景技術
以往,在搭載半導體元件并對其進行了樹脂密封的半導體封裝所使用的引線框中,在以提高與樹脂的密接力為目的而對引線框進行粗化處理的情況下,首先,對成為材料的金屬材料表背面整體進行粗化處理,而后使用該材料成形引線框。在該情況下,形成引線框的蝕刻加工面或沖壓加工面形成未進行粗化處理的引線框。
另外,當在形成引線框形狀后實施粗化處理的情況下,形成了表背面與側面整面被粗化的引線框。
在任一種方法中,均存在如下問題,即、由于引線框表面被粗化,所以在需要光澤度的引線框中,即使對表面實施電鍍,也存在無法獲得所要求的光澤度的情況。另外,在搭載半導體元件的部分(PAD部)中,也存在如下問題,即、存在用于粘接搭載的半導體元件的糊劑從PAD部流出的情況。
針對上述的問題,在專利文獻1中,公開了先形成電鍍層,而后將該電鍍層設為掩模并利用蝕刻液對引線框進行粗化的技術。
現(xiàn)有技術文獻
專利文獻
專利文獻1:日本特開2008-187045號公報
發(fā)明內(nèi)容
然而,在專利文獻1所記載的結構中,存在電鍍面按照所要求的電鍍的種類而粗化的情況,存在也需要選定蝕刻液的情況進而存在并非通用的問題。另外,也需要在不需要粗化的部分形成電鍍層,因此也存在導致成本上漲的問題。
然而,近年來,要求半導體封裝的小型、輕薄化,因此產(chǎn)生因該封裝所使用的樹脂與引線框因熱膨脹系數(shù)的差異等而從其邊界面產(chǎn)生剝離的問題。例如,在QFN(Quad FlatNon-Leaded)類型的封裝中,被使用的引線框的側面與表面和樹脂連接,背面露出至封裝下表面,因此引線框的表面?zhèn)葟谋苊庥糜诖钶d并粘接半導體元件的糊劑流出的問題這點考慮而不需要粗化。相同地,需要通過引線結合而與半導體元件電連接的部位也因結合而不需要粗化。而且,在與樹脂連接的側面以及如上所述不對半導體元件的粘接、結合產(chǎn)生影響的部位需要表面粗化。
然而,在形成覆蓋引線框的表面與背面的掩模對側面進行粗化的方法、將對整個面進行了粗化的引線框的表面恢復平坦的方法中,工序數(shù)的增加、成本上漲較為明顯,從而無法保持原樣地采用這些方法。
因此,本發(fā)明的目的在于提供一種能夠不使工序數(shù)、制造成本增加地僅對需要的部位實施表面粗化處理的引線框的制造方法。
為了實現(xiàn)上述目的,本發(fā)明的一方案提供一種引線框的制造方法,該引線框具有通過半蝕刻加工而形成的凹部,并且表面局部地被粗化處理,上述引線框的制造方法的特征在于,具有:使用具有半蝕刻加工用圖案和貫通蝕刻加工用圖案的掩模對金屬板進行蝕刻,在該金屬板形成上述凹部和貫通圖案的蝕刻工序;將上述半蝕刻加工用圖案變形為粗化處理用的開口的掩模變形工序;以及使用上述半蝕刻加工用圖案變形為上述粗化處理用的開口的上述掩模,對上述金屬板進行粗化處理的粗化處理工序。
本發(fā)明的效果如下。
根據(jù)本發(fā)明,能夠獲得不追加新的工序,而僅對需要的區(qū)域實施粗化處理的引線框。
附圖說明
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





