[發明專利]引線框的制造方法在審
| 申請號: | 201510859485.4 | 申請日: | 2015-11-30 |
| 公開(公告)號: | CN105655259A | 公開(公告)日: | 2016-06-08 |
| 發明(設計)人: | 高橋俊弘 | 申請(專利權)人: | 友立材料株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/48 | 分類號: | H01L21/48 |
| 代理公司: | 北京銀龍知識產權代理有限公司 11243 | 代理人: | 張敬強;嚴星鐵 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 引線 制造 方法 | ||
1.一種引線框的制造方法,該引線框具有通過半蝕刻加工而形成的凹部,并且表面局部地被粗化處理,上述引線框的制造方法的特征在于,具有:
在金屬板上形成基于抗蝕劑的電鍍掩膜,僅在預定區域局部地形成電鍍層的工序;
除去上述電鍍掩膜的工序;
形成具有覆蓋已形成的上述電鍍層的半蝕刻加工用圖案和貫通蝕刻加工用圖案的第一掩模的工序;
使用上述第一掩模對上述金屬板進行蝕刻,在該金屬板形成上述凹部和貫通圖案的蝕刻工序;
將上述半蝕刻加工用圖案變形為粗化處理用的開口的第一掩模變形工序;
使用上述半蝕刻加工用圖案變形為上述粗化處理用的開口的上述第一掩模,對上述金屬板進行粗化處理的粗化處理工序;以及
除去變形后的上述第一掩膜的工序。
2.根據權利要求1所述的引線框的制造方法,其特征在于,
上述半蝕刻加工用圖案具有在覆蓋上述凹部的區域內交替地形成了開口部和掩模部的圖案。
3.根據權利要求1或2所述的引線框的制造方法,其特征在于,
上述貫通蝕刻加工用圖案是與上述引線框的外形對應的圖案。
4.根據權利要求1或2所述的引線框的制造方法,其特征在于,
具有上述半蝕刻加工用圖案和貫通蝕刻加工用圖案的第一掩模只用于上述金屬板的一個面。
5.根據權利要求4所述的引線框的制造方法,其特征在于,
在上述金屬板的另一個面使用具有上述貫通蝕刻加工用圖案并且不具有上述半蝕刻加工用圖案的第二掩模,
上述蝕刻工序中的上述金屬板的蝕刻是從上述金屬板的兩面同時進行。
6.根據權利要求1或2所述的引線框的制造方法,其特征在于,
對上述金屬板進行粗化處理的工序是通過向被上述第一掩模覆蓋的上述金屬板供給粗化處理液來進行。
7.根據權利要求1或2所述的引線框的制造方法,其特征在于,
上述電鍍掩膜以及上述第一掩模是通過對形成于上述金屬板的表面的抗蝕層進行圖案刻畫而形成。
8.根據權利要求1或2所述的引線框的制造方法,其特征在于,
通過在上述蝕刻工序中形成的貫通圖案,形成能夠搭載半導體元件的半導體元件搭載部和能夠進行引線結合連接的端子部,
上述凹部形成于上述半導體元件搭載部和上述端子部的至少一方。
9.根據權利要求8所述的引線框的制造方法,其特征在于,
上述粗化處理工序是對上述半導體元件搭載部以及上述端子部的側面和上述凹部的表面實施。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





