[發(fā)明專利]晶片的生成方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201510854879.0 | 申請日： | 2015-11-30 |
| 公開（公告）號： | CN105665948B | 公開（公告）日： | 2019-04-19 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 平田和也;高橋邦充;西野曜子 | 申請（專利權(quán)）人： | 株式會社迪思科 |
| 主分類號： | B23K26/53 | 分類號： | B23K26/53;B23K26/08;B23K101/40 |
| 代理公司： | 北京三友知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11127 | 代理人： | 李輝;于靖帥 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 晶片 生成 方法 | ||
提供晶片的生成方法，從錠高效地生成晶片。晶片的生成方法具有：分離起點(diǎn)形成步驟，將對于六方晶單晶錠具有透過性的波長的激光束聚光點(diǎn)定位在距正面相當(dāng)于要生成的晶片厚度的深度，使聚光點(diǎn)與錠相對地移動而對正面照射激光束，形成與正面平行的改質(zhì)層和從改質(zhì)層伸長的裂痕而形成分離起點(diǎn)；晶片剝離步驟，在實(shí)施了分離起點(diǎn)形成步驟之后，從分離起點(diǎn)將相當(dāng)于晶片的厚度的板狀物從錠剝離而生成晶片，分離起點(diǎn)形成步驟包含：改質(zhì)層形成步驟，c軸相對于正面的垂線傾斜偏離角，使激光束的聚光點(diǎn)沿著與在正面和c面之間形成偏離角的方向垂直的方向相對地移動而形成直線狀的改質(zhì)層；轉(zhuǎn)位步驟，在形成偏離角的方向上使聚光點(diǎn)相對地移動而轉(zhuǎn)位規(guī)定的量。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及晶片的生成方法，將六方晶單晶錠切片成晶片狀。
背景技術(shù)
在以硅等作為原材料的晶片的正面上層疊功能層，在該功能層上在通過多個分割預(yù)定線劃分出的區(qū)域中形成有IC、LSI等各種器件。并且，通過切削裝置、激光加工裝置等加工裝置對晶片的分割預(yù)定線實(shí)施加工，將晶片分割成各個器件芯片，分割得到的器件芯片廣泛應(yīng)用于移動電話、個人計算機(jī)等各種電子設(shè)備。
并且，在以SiC、GaN等六方晶單晶作為材料的晶片的正面上層疊有功能層，在所層疊的功能層上通過形成為格子狀的多條分割預(yù)定線進(jìn)行劃分而形成有功率器件或者LED、LD等光器件。
形成有器件的晶片通常是利用線切割對錠進(jìn)行切片而生成的，對切片得到的晶片的正面背面進(jìn)行研磨而精加工成鏡面(例如，參照日本特開2000-94221號公報)。
在該線切割中，將直徑約為100～300μm的鋼琴絲等一根金屬絲纏繞在通常設(shè)置于二～四條間隔輔助輥上的多個槽中，按照一定間距彼此平行配置且使金屬絲在一定方向或者雙向上行進(jìn)，將錠切片成多個晶片。
但是，當(dāng)利用線切割將錠切斷，并對正面背面進(jìn)行研磨而生成晶片時，會浪費(fèi)錠的70～80％，存在不經(jīng)濟(jì)這樣的問題。特別是SiC、GaN等六方晶單晶錠的莫氏硬度較高，利用線切割而進(jìn)行的切斷很困難，花費(fèi)相當(dāng)長的時間，生產(chǎn)性較差，在高效地生成晶片方面存在課題。
為了解決這些問題，在日本特開2013-49461號公報中記載了如下技術(shù)：將對于SiC具有透過性的波長的激光束的聚光點(diǎn)定位在六方晶單晶錠的內(nèi)部而進(jìn)行照射，在切斷預(yù)定面上形成改質(zhì)層和裂痕，并施加外力而沿著形成有改質(zhì)層和裂痕的切斷預(yù)定面割斷晶片，從錠分離晶片。
在該公開公報所記載的技術(shù)中，以脈沖激光束的第一照射點(diǎn)和距該第一照射點(diǎn)最近的第二照射點(diǎn)處于規(guī)定的位置的方式，將脈沖激光束的聚光點(diǎn)沿著切斷預(yù)定面呈螺旋狀照射，或者呈直線狀照射，而在錠的切斷預(yù)定面上形成非常高密度的改質(zhì)層和裂痕。
專利文獻(xiàn)1：日本特開2000-94221號公報
專利文獻(xiàn)2：日本特開2013-49461號公報
但是，在專利文獻(xiàn)2所記載的錠的切斷方法中，激光束的照射方法相對于錠呈螺旋狀或者直線狀，對于在直線狀的情況下掃描激光束的方向則沒有任何規(guī)定。
在專利文獻(xiàn)2所記載的錠的切斷方法中，將激光束的第一照射點(diǎn)與距該第一照射點(diǎn)最近的第二照射點(diǎn)之間的間距設(shè)定為1μm～10μm。該間距是從改質(zhì)層產(chǎn)生的裂紋沿著c面延伸的間距。
由于以這種方式照射激光束時的間距非常小，因此不論激光束的照射方法是螺旋狀或者直線狀，都需要以非常小的間距間隔照射激光束，存在無法充分實(shí)現(xiàn)生產(chǎn)性的提高這樣的問題。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是鑒于這樣的點(diǎn)而完成的，其目的在于，提供一種晶片的生成方法，能夠高效地從錠生成晶片。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于株式會社迪思科，未經(jīng)株式會社迪思科許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201510854879.0/2.html，轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
