[發明專利]晶片的生成方法

有效

• 申請號: 201510854879.0
• 申請日: 2015-11-30
• 公開（公告）號: CN105665948B
• 公開（公告）日: 2019-04-19
• 發明（設計）人: 平田和也;高橋邦充;西野曜子
• 申請（專利權）人: 株式會社迪思科
• 主分類號: B23K26/53
• 分類號: B23K26/53;B23K26/08;B23K101/40
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 李輝;于靖帥

1.一種晶片的生成方法，從六方晶單晶錠生成晶片，該六方晶單晶錠具有：第一面和位于該第一面的相反側的第二面；從該第一面至該第二面的c軸；以及與該c軸垂直的c面，該晶片的生成方法的特征在于，具有如下的步驟：

分離起點形成步驟，將對于六方晶單晶錠具有透過性的波長的激光束的聚光點定位在距該第一面相當于要生成的晶片的厚度的深度，并且使該聚光點與該六方晶單晶錠相對地移動而對該第一面照射該激光束，形成與該第一面平行的改質層和從該改質層伸長的裂痕而形成分離起點；以及

晶片剝離步驟，在實施了該分離起點形成步驟之后，從該分離起點將相當于晶片的厚度的板狀物從該六方晶單晶錠剝離而生成六方晶單晶晶片，

該分離起點形成步驟包含如下的步驟：

改質層形成步驟，該c軸相對于該第一面的垂線傾斜偏離角，使激光束的聚光點沿著與在該第一面和該c面之間形成偏離角的方向垂直的方向相對地移動而形成直線狀的改質層；以及

轉位步驟，在形成該偏離角的方向上使該聚光點相對地移動而轉位規定的量。

2.根據權利要求1所述的晶片的生成方法，其中，

該分離起點形成步驟還包含轉位量設定步驟，對從直線狀的改質層起在該c面方向上傳播而形成的裂痕的寬度進行測量，并設定聚光點的轉位量。

3.根據權利要求2所述的晶片的生成方法，其中，

在該轉位量設定步驟中，在將從直線狀的改質層起在該c面方向上傳播而形成在該改質層的單側的裂痕的寬度設為W的情況下，所設定的轉位量為W以上2W以下。

4.根據權利要求3所述的晶片的生成方法，其中，

在該分離起點形成步驟中還包括空打步驟，在該空打步驟中，將聚光點的轉位量設定為W以下而掃描激光束以進行空打，直到激光束的聚光點被定位于六方晶單晶錠而形成最初的改質層為止。

5.根據權利要求1至4中的任意一項所述的晶片的生成方法，其中，

該分離起點形成步驟利用往路和返路而實施，當利用往路在六方晶單晶錠中形成了改質層之后，轉位規定的量，并利用返路在六方晶單晶錠中形成改質層。

6.根據權利要求1至4中的任意一項所述的晶片的生成方法，其中，

六方晶單晶錠從SiC錠或者GaN錠中進行選擇。

7.根據權利要求5所述的晶片的生成方法，其中，

六方晶單晶錠從SiC錠或者GaN錠中進行選擇。