[發明專利]一種閃存糾錯方法和裝置

有效

• 申請號: 201510852721.X
• 申請日: 2015-11-30
• 公開（公告）號: CN106816179B
• 公開（公告）日: 2020-12-25
• 發明（設計）人: 曾雁星;沈建強;王工藝
• 申請（專利權）人: 華為技術有限公司
• 主分類號: G11C29/42
• 分類號: G11C29/42
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205
• 代理人: 馬爽;黃健

本發明提供一種閃存糾錯方法和裝置，包括：確定采用第n+1讀電壓閾值讀取閃存頁得到的數據和采用第m讀電壓閾值讀取閃存頁得到的數據中的第一數據位，第一數據位為采用第n+1讀電壓閾值讀取閃存頁得到的數據中與采用第m讀電壓閾值讀取閃存頁得到的數據中相同數據位對應的數據不同的數據位，進而降低采用第n+1讀電壓閾值讀取閃存頁得到的數據中的第一數據位的可信度；根據調整后的第一數據位的可信度，對采用第n+1讀電壓閾值讀取閃存頁得到的數據進行糾錯譯碼。其中，聯合使用兩次讀取的同一閃存頁得到的數據，降低數據位不同的數據對應的數據位的可信度，從而有效提高了糾錯譯碼的成功率，使得SSD存儲系統的性能大幅提升。

技術領域

本發明涉及計算機技術，尤其涉及一種閃存糾錯方法和裝置。

背景技術

隨著閃存技術的不斷成熟，其被廣泛應用于固態存儲領域。但是閃存中保存的數據，可能存在若干比特位的錯誤，如果直接將閃存物理頁中讀出的數據返回給上層業務，就可能造成業務失敗。

為了保證返回給上層業務的數據是正確有效的，需要對業務數據進行錯誤檢查和糾正(Error Correcting Code，簡稱為：ECC)保護，即對業務數據進行ECC編碼，然后將ECC編碼后的數據寫入閃存。每當讀取數據時，對從閃存中讀取出來的數據進行錯誤檢查和糾正，從而提升業務數據的可靠性。

但ECC保護的糾錯能力有一定的范圍，只能在頁面數據中出現比特位錯誤數量不超過一定的上限時才有效。如果所讀取的介質顆粒中發生錯誤的比特的個數超過了ECC糾錯碼的糾錯能力，則糾錯碼將無法恢復原始存儲的數據信息，導致存儲信息的丟失。

為了避免存儲信息的丟失，現有技術中常用的解決方案是Read retry，即如果用默認的讀電壓閾值讀取介質顆粒的狀態后用糾錯碼無法恢復原始信息時，通過調整讀電壓閾值，再次進行讀取介質顆粒的狀態并用糾錯碼恢復原始信息的機制。

現有技術需要多次調整讀電壓閾值進行嘗試性的讀取數據，從而造成了讀時延的成倍增加(通常從微秒量級增加到毫秒量級)，導致SSD存儲系統性能的大幅降低。

發明內容

本發明實施例提供一種閃存糾錯方法和裝置，以克服現有技術中由于讀時延的成倍增加而導致的SSD存儲系統大幅降低的問題。

第一方面，本發明實施例提供一種閃存糾錯方法，包括：步驟101：在對采用第n讀電壓閾值讀取的閃存頁數據進行糾錯譯碼失敗后，采用第n+1讀電壓閾值讀取閃存頁的數據，其中，第n+1讀取電壓閾值與第n讀電壓閾值不同，n為大于等于1的正整數；步驟102：確定采用第n+1讀電壓閾值讀取閃存頁得到的數據和采用第m讀電壓閾值讀取閃存頁得到的數據中的第一數據位，第一數據位為采用第n+1讀電壓閾值讀取閃存頁得到的數據中與采用第m讀電壓閾值讀取閃存頁得到的數據中相同數據位對應的數據不同的數據位，m為大于等于1且小于等于n的正整數；步驟103：降低采用第n+1讀電壓閾值讀取閃存頁得到的數據中的第一數據位的可信度，可信度為第一數據位對應的置信度的絕對值；步驟104：根據調整后的第一數據位的可信度，對采用第n+1讀電壓閾值讀取閃存頁得到的數據進行糾錯譯碼。

在本實施例中，聯合使用兩次讀取的同一閃存頁得到的數據，降低數據位不同的數據對應的數據位的可信度，從而有效提高了糾錯譯碼的成功率，減小了讀時延，使得SSD存儲系統的性能大幅提升。

在前述第一方面的一些實施例中，還可以包括：確定采用第n+1讀電壓閾值讀取閃存頁得到的數據和采用第m讀電壓閾值讀取閃存頁得到的數據中的第二數據位，第二數據位為采用第n+1讀電壓閾值讀取閃存頁得到的數據中與采用第m讀電壓閾值讀取閃存頁得到的數據中相同數據位對應的數據相同的數據位；然后，提高采用第n+1讀電壓閾值讀取閃存頁得到的數據中的第二數據位的可信度。