[發明專利]一種閃存糾錯方法和裝置

有效

• 申請號: 201510852721.X
• 申請日: 2015-11-30
• 公開（公告）號: CN106816179B
• 公開（公告）日: 2020-12-25
• 發明（設計）人: 曾雁星;沈建強;王工藝
• 申請（專利權）人: 華為技術有限公司
• 主分類號: G11C29/42
• 分類號: G11C29/42
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205
• 代理人: 馬爽;黃健

1.一種閃存糾錯方法，其特征在于，包括：

在對采用第n讀電壓閾值讀取的閃存頁數據進行糾錯譯碼失敗后，采用第n+1讀電壓閾值讀取閃存頁的數據，所述第n+1讀取電壓閾值與所述第n讀電壓閾值不同，n為大于等于1的正整數；

確定所述采用第n+1讀電壓閾值讀取所述閃存頁得到的數據和采用第m讀電壓閾值讀取所述閃存頁得到的數據中的第一數據位，所述第一數據位為所述采用第n+1讀電壓閾值讀取所述閃存頁得到的數據中與所述采用第m讀電壓閾值讀取所述閃存頁得到的數據中相同數據位對應的數據不同的數據位，m為大于等于1且小于等于n的正整數；

降低所述采用第n+1讀電壓閾值讀取所述閃存頁得到的數據中的所述第一數據位的可信度，所述可信度為所述第一數據位對應的置信度的絕對值；

根據調整后的所述第一數據位的可信度，對所述采用第n+1讀電壓閾值讀取所述閃存頁得到的數據進行糾錯譯碼。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，還包括：

確定所述采用第n+1讀電壓閾值讀取所述閃存頁得到的數據和所述采用第m讀電壓閾值讀取所述閃存頁得到的數據中的第二數據位，所述第二數據位為所述采用第n+1讀電壓閾值讀取所述閃存頁得到的數據中與所述采用第m讀電壓閾值讀取所述閃存頁得到的數據中相同數據位對應的數據相同的數據位；

提高所述采用第n+1讀電壓閾值讀取所述閃存頁得到的數據中的所述第二數據位的可信度。

3.根據權利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述確定所述采用第n+1讀電壓閾值讀取所述閃存頁得到的數據和所述采用第m讀電壓閾值讀取所述閃存頁得到的數據中的第一數據位，包括：

將所述采用第n+1讀電壓閾值讀取所述閃存頁得到的數據和所述采用第m讀電壓閾值讀取所述閃存頁得到的數據進行異或運算得到聯合數據；

若所述聯合數據中的數據位的值為1，則確定該數據位為所述第一數據位。

4.根據權利要求1或2所述的方法，其特征在于，根據調整后的所述第一數據位的可信度，對所述采用第n+1讀電壓閾值讀取所述閃存頁得到的數據進行糾錯譯碼之后，還包括：

若糾錯譯碼成功，

則將所述第n+1讀電壓閾值修改為預設讀電壓閾值；

若糾錯譯碼不成功，

則確定第n+2讀電壓閾值，對所述采用第n+2讀電壓閾值讀取所述閃存頁得到的數據進行可信度調整和糾錯譯碼。

5.根據權利要求4所述的方法，其特征在于，所述采用第n+1讀電壓閾值讀取閃存頁的數據包括：

確定所述n+1的值不大于預設閾值，采用第n+1讀電壓閾值讀取閃存頁的數據。

6.根據權利要求1、2、5中任一項所述的方法，其特征在于，所述根據調整后的所述第一數據位的可信度，對所述采用第n+1讀電壓閾值讀取所述閃存頁得到的數據進行糾錯譯碼，包括：

采用低密度奇偶校驗碼LDPC對所述采用第n+1讀電壓閾值讀取所述閃存頁得到的數據進行糾錯譯碼。

7.一種閃存糾錯裝置，其特征在于，包括：

讀取模塊，用于在對采用第n讀電壓閾值讀取的閃存頁數據進行糾錯譯碼失敗后，采用第n+1讀電壓閾值讀取閃存頁的數據，所述第n+1讀取電壓閾值與所述第n讀電壓閾值不同，n為大于等于1的正整數；

確定模塊，用于確定所述采用第n+1讀電壓閾值讀取所述閃存頁得到的數據和采用第m讀電壓閾值讀取所述閃存頁得到的數據中的第一數據位，所述第一數據位為所述采用第n+1讀電壓閾值讀取所述閃存頁得到的數據中與所述采用第m讀電壓閾值讀取所述閃存頁得到的數據中相同數據位對應的數據不同的數據位，m為大于等于1且小于等于n的正整數；

可信度調整模塊，用于降低所述采用第n+1讀電壓閾值讀取所述閃存頁得到的數據中的所述第一數據位的可信度，所述可信度為所述第一數據位對應的置信度的絕對值；

譯碼模塊，用于根據調整后的所述第一數據位的可信度，對所述采用第n+1讀電壓閾值讀取所述閃存頁得到的數據進行糾錯譯碼。