[發(fā)明專利]LAVACOAT型的預清潔與預熱在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201510850103.1 | 申請日: | 2009-09-30 |
| 公開(公告)號: | CN105470114A | 公開(公告)日: | 2016-04-06 |
| 發(fā)明(設計)人: | 布里恩·T·韋斯特;溫德爾·小博伊德;薩曼莎·潭 | 申請(專利權)人: | 應用材料公司 |
| 主分類號: | H01L21/02 | 分類號: | H01L21/02;H01L21/203;H01L21/205;H01L21/3065;C23C14/22;C23C14/34;C23C16/44 |
| 代理公司: | 北京律誠同業(yè)知識產(chǎn)權代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金國;趙靜 |
| 地址: | 美國加利*** | 國省代碼: | 美國;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | lavacoat 清潔 預熱 | ||
本申請是申請日為2009年09月30日、申請?zhí)枮?00980139666.2、發(fā) 明名稱為“LAVACOAT型的預清潔與預熱”的發(fā)明專利申請的分案申 請。
技術領域
本發(fā)明的實施例一般而言是關于使用電磁輻射束以改變材料的表面的 方法。更具體的,本發(fā)明的實施例是關于在處理腔室中所用的部件的表面 改變前使用電磁束的表面制備的方法。
背景技術
隨著持續(xù)以減小的尺寸來生產(chǎn)集成電路裝置,這些裝置的制造由于污 染而變得更易受降低產(chǎn)量的影響。因此,生產(chǎn)集成電路裝置,尤其具有較 小實體尺寸的那些集成電路裝置,需要比先前認為所必需的更大程度地控 制污染。
集成電路裝置的污染可在薄膜沉積、蝕刻或其它半導體生產(chǎn)處理期 間,由諸如碰撞于基板上的不需要的雜散粒子的來源引起。通常,集成電 路裝置的制造包括諸如物理氣相沉積(PVD)濺射腔室、化學氣相沉積 (CVD)腔室、等離子體蝕刻腔室等的腔室的使用。在沉積及蝕刻處理的 過程期間,材料通常從氣相冷凝至腔室中的各種內(nèi)部表面上及腔室部件上 以形成位于腔室及部件表面上的固體塊狀物。經(jīng)冷凝的外來物質(zhì)積聚于表 面上且傾向于在晶圓處理順序中或晶圓處理順序期間從表面分離或剝落。 經(jīng)分離的外來物質(zhì)隨后可碰撞到晶圓基板及其上的裝置上并將該晶圓基板 及其上的裝置污染。時常必須丟棄經(jīng)污染的裝置,從而降低了處理的制造 產(chǎn)量。
為了防止已冷凝于處理腔室部件的表面上的外來物質(zhì)的分離,可紋理 化這些表面以使得形成于這些表面上的冷凝外來物質(zhì)對表面的粘著力增強 且較不可能分離及污染晶圓基板。
一種該紋理化處理將部件曝露于定向能量,其足以熔融及再成形部件 表面上的材料,以形成紋理化表面。
然而,在紋理化部件之前,存在于部件表面上的沉積物以及作為紋理 化處理的副產(chǎn)物而冷凝于部件表面上的有時可觀數(shù)量的再沉積金屬及金屬 氧化物可影響紋理形成及在紋理化處理期間從所形成的空穴噴射出的回焊 材料與部件表面的粘著力。此外,來自紋理化處理的濺潑可留下松散粘著 至所涂布的金屬氧化物及仍未紋理化的表面的小片金屬,因而降低那些位 置中的最終紋理的質(zhì)量。
此外,目前的紋理化處理可能不能由單程的紋理化能量束來產(chǎn)生足夠 的紋理形狀及尺寸。此外,在一些狀況下,若部件表面太冷,則自部件噴 射出的材料可能無法充分熔合至該表面。
因此,需要一種改良的紋理化處理。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的實施例提供一種在由電磁束改變部件表面之前使用電磁束進 行表面制備的方法。本文所述的實施例為待紋理化的表面提供優(yōu)良預清潔 而作為紋理化處理的整體部分,因而消除來自對部件的操縱或所蒸發(fā)的材 料、所噴射的材料再沉積至部件表面之后清潔污染的機會。本文所述的實 施例進一步強化目前的紋理化方法,以包括在能量束越過待紋理化的表面 上后,立即使得該通過紋理化,因而預熱表面以改良紋理形成及所噴射材 料與部件表面的熔合。
在一個實施例中,提供一種對用于半導體處理腔室中的部件的表面提 供紋理的方法。該方法包含在該部件的表面上界定多個區(qū)域、將電磁束移 動至多個區(qū)域中的第一區(qū)域、橫跨該第一區(qū)域的表面掃描該電磁束以加熱 該第一區(qū)域的表面,及橫跨該第一區(qū)域的經(jīng)加熱的表面掃描該電磁束以形 成特征結(jié)構。
在另一個實施例中,提供一種對用于半導體處理腔室中的部件的表面 提供紋理的方法。該方法包含以電磁束掃描橫跨部件表面的多個區(qū)域中的 第一區(qū)域歷時第一時間周期,以預清潔該部件的該第一區(qū)域的該表面而不 熔融該部件,及以該電磁束掃描橫跨該部件表面的該第一區(qū)域歷時第二時 間周期,以在該部件表面的該第一區(qū)域上形成特征結(jié)構,其中該第二時間 周期在該第一時間周期完成之后立即發(fā)生。
在又一個實施例中,提供一種對用于半導體處理腔室中的部件的表面 提供紋理的方法。該方法包含以電磁束掃描橫跨該部件表面的多個區(qū)域中 的第一區(qū)域歷時第一時間周期,以熔融該部件表面,及以該電磁束掃描橫 跨該部件表面的該第一區(qū)域歷時第二時間周期,以在該部件表面的該第一 區(qū)域上形成特征結(jié)構,其中該第二時間周期在該第一時間周期之后立即發(fā) 生。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





