[發明專利]LAVACOAT型的預清潔與預熱

在審

• 申請號: 201510850103.1
• 申請日: 2009-09-30
• 公開（公告）號: CN105470114A
• 公開（公告）日: 2016-04-06
• 發明（設計）人: 布里恩·T·韋斯特;溫德爾·小博伊德;薩曼莎·潭
• 申請（專利權）人: 應用材料公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L21/203;H01L21/205;H01L21/3065;C23C14/22;C23C14/34;C23C16/44
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006
• 代理人: 徐金國;趙靜

1.一種對用于半導體處理腔室中的部件的表面提供紋理的方法，包含 以下步驟：

在所述部件的所述表面上界定多個區域，其中所述多個區域的每個區 域包含多個單元；

將電磁束移動至所述多個區域中的第一區域；

散焦所述電磁束；

橫跨所述第一區域的表面掃描經散焦的電磁束以加熱所述第一區域的 所述表面，其中橫跨所述第一區域的表面掃描經散焦的電磁束以加熱所述 第一區域的所述表面的步驟包含以下步驟：將所述第一區域的所述表面熔 融至預定深度；

重新聚焦所述電磁束；及

橫跨所述第一區域的經加熱的表面掃描經重新聚焦的電磁束，以在所 述多個單元的每個單元中形成特征結構。

2.根據權利要求1所述的方法，還包含以下步驟：在所述表面上逐個 區域地重復所述移動所述電磁束、散焦所述電磁束、掃描經散焦的電磁束 以加熱所述表面、重新聚焦所述電磁束以及掃描經重新聚焦的電磁束以在 所述多個單元的每個單元中形成特征結構的步驟，直到已紋理化了所述部 件的所要量。

3.根據權利要求1所述的方法，還包含以下步驟：

將所述電磁束移動至所述多個區域中的第二區域；

散焦所述電磁束；

橫跨所述第二區域的表面掃描經散焦的電磁束，以加熱所述第二區域 的所述表面；及

重新聚焦所述電磁束；及

橫跨所述第二區域的經加熱的表面掃描經重新聚焦的電磁束，以形成 特征結構。

4.根據權利要求1所述的方法，其中，橫跨所述第一區域的所述表面 掃描以形成特征結構的所述電磁束具有的功率密度，比橫跨所述第一區域 的表面掃描以加熱所述區域的所述電磁束的功率密度大。

5.根據權利要求1所述的方法，其中，橫跨所述第一區域的表面掃描 所述電磁束以加熱所述第一區域的步驟包含以下步驟：以相對于所述部件 的行進速度移動所述電磁束，因此所述電磁束不熔融所述區域的所述表面 而從所述表面移除污染物。

6.根據權利要求5所述的方法，其中，相對于所述部件的所述行進速 度介于每秒10米與每秒100米之間。

7.根據權利要求1所述的方法，其中，橫跨所述第一區域的所述經加 熱的表面掃描所述電磁束以形成特征結構的步驟還包含以下步驟：以介于 每秒0.5米與每秒4米之間的行進速度移動所述電磁束。

8.根據權利要求1所述的方法，其中，所述部件包含選自以下材料所 構成的群組的材料：鋼、不銹鋼、鉭、鎢、鈦、銅、鋁、鎳、金、銀、氧 化鋁、氮化鋁、硅、氮化硅、氧化硅、碳化硅、藍寶石(Al₂O₃)、氧化 釔、三氧化二釔及其組合。

9.根據權利要求1所述的方法，其中，所述部件包含選自以下材料所 構成的群組的材料：金、銀、鋁硅、鍺、鍺硅、氮化硼、氧化鋁、氮化 鋁、硅、氮化硅、氧化硅、碳化硅、氧化釔、三氧化二釔及其組合。

10.根據權利要求1所述的方法，其中，所形成的所述特征結構選自 凹陷、突出及其組合所構成的群組。

11.根據權利要求1所述的方法，其中，所述方法在真空腔室中執 行，因此經磨耗的沉積物再沉積于其它表面上或通過真空泵從所述真空腔 室移除。