[發明專利]半導體器件、功率半導體器件及加工半導體器件的方法

有效

• 申請號: 201510849708.9
• 申請日: 2015-11-27
• 公開（公告）號: CN105655313B
• 公開（公告）日: 2018-10-26
• 發明（設計）人: J·希爾森貝克;T·弗蘭克;J·P·康拉斯;R·拉普
• 申請（專利權）人: 英飛凌科技股份有限公司
• 主分類號: H01L23/488
• 分類號: H01L23/488
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 鄭立柱

本發明涉及一種半導體器件。根據各個實施例，一種半導體器件可包括形成在半導體器件的表面處的層堆疊，層堆疊包括具有第一金屬或金屬合金的金屬化層以及覆蓋金屬化層的保護層，保護層包括第二金屬或金屬合金，其中第二金屬或金屬合金比第一金屬或金屬合金的貴金屬性更低。

技術領域

各個實施例總體涉及半導體器件、功率半導體器件及加工半導體器件的方法。

背景技術

通常，在半導體技術中加工半導體基板、半導體晶片或其他合適載體，以形成集成電路或基于至少一個集成電路結構的半導體器件。半導體晶片可用于在晶片表面加工多個集成電路，并且在加工之后，可將晶片切片以由晶片提供多個芯模(die)或芯片。最后，從晶片單一化出來的芯模或芯片(稱為裸芯模或裸芯片)可在封裝工藝中封裝，其中芯模或芯片可封包在支撐材料中或殼體中，以防止例如物理損傷和/或腐蝕。殼體(也稱為封裝或外殼)還可支撐用于將器件連接至例如電路板的電連接部件。通常，芯模或芯片包括用于控制或操作集成電路的金屬化部分。集成電路結構的端子(例如場效應晶體管的源極端子、漏極端子和/或柵極端子，或者雙極晶體管的發射極端子、集電極端子和/或基極端子，或者二極管的端子)可由金屬化部分接觸，以控制或操作集成電路結構。金屬化部分可包括前側金屬化部分和/或后側金屬化部分。此外，金屬化部分可包括圖案化金屬或圖案化金屬材料(通常在銅技術或鋁技術中提供)，該圖案化金屬或圖案化金屬材料可提供一個或多個電觸頭(接觸焊盤)和引線。此外，金屬化部分可與單個集成電路結構(例如晶體管或二極管)電接觸。可替換地，金屬化部分可與芯片的多個集成電路結構(例如多個晶體管或多個二極管)電接觸，其中金屬化部分由于特定的引線結構而可支持或可提供芯片的功能。

發明內容

根據各個實施例，半導體器件可包括：形成于半導體器件表面的層堆疊，該層堆疊包括：包括第一金屬或金屬合金的金屬化層；覆蓋金屬化層的保護層，該保護層包括第二金屬或金屬合金，其中第二金屬或金屬合金比第一金屬或金屬合金的貴金屬性更低的金屬或金屬合金。

附圖說明

附圖中，相似參考符號在所有不同的視圖中總體指代相同部件。附圖并非必然按比例繪制，相反，總體著重于示出本發明的原理。在下文描述中，參照附圖描述本發明的各個實施例，附圖中：

圖1A以示意性截面圖示出了根據各個實施例的半導體器件；

圖1B和圖1C分別以示意性截面圖示出了根據各個實施例的半導體器件；

圖2A和圖2B分別以示意性截面圖示出了根據各個實施例的半導體器件；

圖3A和圖3B分別以示意性截面圖示出了根據各個實施例的半導體器件；

圖4以示意性截面圖示出了根據各個實施例的半導體器件；

圖5以示意性截面圖示出了根據各個實施例的半導體器件；

圖6A以示意性流程圖示出了根據各個實施例的用于加工半導體器件的方法；

圖6B以示意性流程圖示出了根據各個實施例的用于加工半導體器件的方法；并且

圖7A至圖7E以示意性截面圖示出了處于根據各個實施例的加工過程中各個階段的半導體器件。

具體實施方式

下文詳細描述參照附圖，附圖以示意的方式示出了可實施本發明的特定細節和實施例。

本文使用的詞語“示例性”是指“用作實例、例子或示意”。本文描述為“示例性”的任何實施例或設計并非必要地解釋為相對于其他實施例或設計而言是優選的或有利的。