[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件、功率半導(dǎo)體器件及加工半導(dǎo)體器件的方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201510849708.9
• 申請日: 2015-11-27
• 公開（公告）號: CN105655313B
• 公開（公告）日: 2018-10-26
• 發(fā)明（設(shè)計）人: J·希爾森貝克;T·弗蘭克;J·P·康拉斯;R·拉普
• 申請（專利權(quán)）人: 英飛凌科技股份有限公司
• 主分類號: H01L23/488
• 分類號: H01L23/488
• 代理公司: 北京市金杜律師事務(wù)所 11256
• 代理人: 鄭立柱

1.一種半導(dǎo)體器件，包括：

層堆疊，被形成在所述半導(dǎo)體器件的表面處，所述層堆疊包括：

金屬化層，所述金屬化層包括鋁合金；以及

保護(hù)層，直接地布置在所述金屬化層上，所述保護(hù)層包括金屬或金屬合金，其中所述金屬或金屬合金比所述鋁合金的貴金屬性更低。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述金屬化層為最終金屬化層。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述金屬化層配置成功率金屬化層，以承載大于1安的電流。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述半導(dǎo)體器件包括半導(dǎo)體器件的以下組中的至少一種半導(dǎo)體器件，該組由以下組成：

二極管；

雙極晶體管；

場效應(yīng)晶體管；

絕緣柵雙極晶體管；以及

晶閘管。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述半導(dǎo)體器件配置成功率半導(dǎo)體器件，以處理大于1安的電流或大于20伏的電壓中的至少一個。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，進(jìn)一步包括導(dǎo)電襯層或?qū)щ姅U(kuò)散阻擋層中的至少一個，其中所述金屬化層被布置在所述導(dǎo)電襯層或所述導(dǎo)電擴(kuò)散阻擋層中的所述至少一個上。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，進(jìn)一步包括至少部分地覆蓋所述保護(hù)層的封裝層。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述封裝層包括聚合物。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，第一金屬或金屬合金包括第一標(biāo)準(zhǔn)電極電勢，而第二金屬或金屬合金包括第二標(biāo)準(zhǔn)電極電勢，其中所述第一標(biāo)準(zhǔn)電極電勢大于所述第二標(biāo)準(zhǔn)電極電勢。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述第一標(biāo)準(zhǔn)電極電勢大于或等于-1.66伏。

11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述第二標(biāo)準(zhǔn)電極電勢小于或等于-1.66伏。

12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，所述鋁合金包括鋁以及比鋁貴金屬性更高的至少一種金屬或類金屬。

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述鋁合金包括鋁合金的以下組中的至少一種鋁合金，該組由以下組成：

鋁/銅合金，

鋁/鎂合金，

鋁/鋅合金，

鋁/硅合金，

鋁/硅/銅合金，

鋁/錫合金。

14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述保護(hù)層包括鋁或鎂中的至少一個。

15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述金屬化層由鋁/銅合金制成，而所述保護(hù)層由鋁制成。

16.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述金屬化層具有大于或等于1微米的厚度。

17.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述保護(hù)層具有比所述金屬化層的厚度更小的厚度。

18.一種半導(dǎo)體器件，包括：

最終金屬化層，包括鋁合金；以及

保護(hù)層，直接地布置在所述最終金屬化層上，所述保護(hù)層包括金屬或金屬合金，其中所述金屬或金屬合金比鋁合金的貴金屬性更低。

19.一種功率半導(dǎo)體器件，包括：

功率金屬化層，包括接觸焊盤；所述接觸焊盤包括鋁/銅合金；以及

至少95％純度的鋁覆蓋層，直接地布置在所述功率金屬化層的所述接觸焊盤上。