[發明專利]薄膜晶體管在審
| 申請號: | 201510847930.5 | 申請日: | 2012-12-21 |
| 公開(公告)號: | CN105261655A | 公開(公告)日: | 2016-01-20 |
| 發明(設計)人: | 奚鵬博;陳鈺琪 | 申請(專利權)人: | 友達光電股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L29/786 | 分類號: | H01L29/786;H01L29/06;H01L27/12 |
| 代理公司: | 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006 | 代理人: | 梁揮;尚群 |
| 地址: | 中國臺灣新竹科*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 薄膜晶體管 | ||
本申請為分案申請,其母案的申請號為:201210564587.X,申請日為:2012年12月21日,申請人為:友達光電股份有限公司,發明名稱為:像素結構及薄膜晶體管。
技術領域
本發明關于一種像素結構與薄膜晶體管,尤指一種具有電容補償結構的像素結構與薄膜晶體管。
背景技術
主動矩陣式(activematrix)顯示面板包括多個個呈矩陣排列的像素結構所構成,且各像素結構主要包括薄膜晶體管、顯示元件與儲存電容等元件。顯示面板的薄膜晶體管、顯示元件與儲存電容等元件的制作將多層膜層包括例如導電層、半導體層與介電層等依序利用沉積、光刻及蝕刻等工藝加以形成。然而,由于光刻工藝無法避免地會具有對位誤差,因此實際制作出的元件的各膜層間的相對位置亦會產生一定的偏差。特別是對于大尺寸顯示面板而言,由于光罩的尺寸小于基板的尺寸,因此同一膜層的圖案必須經歷數次的光刻工藝才可定義出。在此狀況下,對于同一顯示面板而言,不同區域的像素結構內的薄膜晶體管的特性或儲存電容值會因為對位誤差而不一致,而嚴重影響顯示品質。
發明內容
本發明的目的之一在于提供一種具有電容補償結構的像素結構與薄膜晶體管。
本發明的一實施例提供一種像素結構,包括一第一薄膜晶體管、一第二薄膜晶體管與一儲存電容。第一薄膜晶體管具有一第一柵極、一第一源極、一第一漏極與一第一半導體層,且第一源極與第一漏極接觸第一半導體層。第二薄膜晶體管具有一第二柵極、一第二源極、一第二漏極與一第二半導體層,第二源極與第二漏極接觸第二半導體層,且第二柵極具有一第一側邊面對第一柵極,以及一第二側邊遠離第一柵極。第二柵極連接第一源極,第二半導體層具有一第一突出部與一第二突出部沿一第一方向分別突出于第二柵極的第一側邊與第二側邊,第一突出部的面積實質上小于第二突出部的面積,且第二半導體層不與第一半導體層接觸。儲存電容具有一上電極、一下電極與一夾設于上電極與下電極間的絕緣層。上電極由第二源極與部分第二半導體層所構成,下電極由部分第二柵極所構成,且絕緣層更設置于第一薄膜晶體管的第一柵極與第一半導體層之間以及設置于第二薄膜晶體管的第二柵極與第二半導體層之間。
該第一突出部具有一第一長度與一第一寬度,該第二突出部具有一第二長度與一第二寬度,該第一突出部的該第一寬度實質上等于該第二突出部的該第二寬度,且該第一突出部突出于該第二柵極的該第一側邊的該第一長度實質上小于該第二突出部突出于該第二柵極的該第二側邊的該第二長度。
該第一長度實質上介于1微米與3微米之間,且該第二長度實質上介于1微米與5微米之間。
該第一薄膜晶體管、該第二薄膜晶體管與該儲存電容皆還包括一介電層,設置于該第一薄膜晶體管的該絕緣層上、于該第二薄膜晶體管的該絕緣層上以及于該儲存電容的該絕緣層上,其中,該介電層具有多個個開口,分別暴露出該第一薄膜晶體管的部分該第一半導體層、該第二薄膜晶體管的部分該第二半導體層與該儲存電容的部分該第二半導體層,以使得該第一源極與該第一漏極經由部分該等開口與該第一半導體層接觸以及使得該第二源極與該第二漏極經由部分該等開口與該第二半導體層接觸。
該第一薄膜晶體管的該第一柵極連接至一柵極線,以及該第一漏極連接至一數據線。
該第二薄膜晶體管的該第二漏極連接至一電源線。
還包括一光電轉換元件,與該第二薄膜晶體管的該第二源極連接。
該第一半導體層與該第二半導體層的材料包括氧化物半導體。本發明的另一實施例提供一種薄膜晶體管,包括一柵極、一電容補償結構、一半導體層、一介電層、一漏極,以及一源極。柵極設置于一基板上且連接至一柵極線。電容補償結構設置于基板上,且電容補償結構電性連接至柵極,其中電容補償結構具有一第一側邊面對柵極以及一第二側邊遠離柵極。半導體層設置于基板上且覆蓋部分柵極,其中半導體層至少延伸重疊于電容補償結構的第一側邊。介電層設置于基板上,且介電層具有一第一開口及一第二開口分別暴露出位于柵極處的部分半導體層。漏極設置于基板上且經由第一開口接觸半導體層。源極設置于基板上且經由第二開口接觸半導體層。
該半導體層重疊于該電容補償結構的該第一側邊具有一重疊區,該重疊區垂直投影于該基板上具有一長度與一寬度,該長度實質上介于1微米至5微米之間。
該電容補償結構具有一第一延伸部,以及一連接至該第一延伸部與該柵極線的第一本體部。
該源極具有一第二延伸部,以及一連接至該第二延伸部的第二本體部。
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