[發明專利]薄膜晶體管

在審

• 申請號: 201510847930.5
• 申請日: 2012-12-21
• 公開（公告）號: CN105261655A
• 公開（公告）日: 2016-01-20
• 發明（設計）人: 奚鵬博;陳鈺琪
• 申請（專利權）人: 友達光電股份有限公司
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;H01L29/06;H01L27/12
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006
• 代理人: 梁揮;尚群

1.一種薄膜晶體管，包括：

一柵極，設置于一基板上且連接至一柵極線；

一電容補償結構，設置于該基板上，且該電容補償結構電性連接至該柵極，其特征在于，該電容補償結構具有一第一側邊面對該柵極以及一第二側邊遠離該柵極，該電容補償結構具有一第一延伸部，以及一連接至該第一延伸部與該柵極線的第一本體部；

一半導體層，設置于該基板上且覆蓋部分該柵極，其中，該半導體層至少延伸重疊于該電容補償結構的該第一側邊；

一介電層，設置于該基板上，且該介電層具有一第一開口及一第二開口分別暴露出位于該柵極處的部分該半導體層；

一漏極，設置于該基板上且經由該第一開口接觸該半導體層；以及

一源極，設置于該基板上且經由該第二開口接觸該半導體層。

2.如權利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，該半導體層重疊于該電容補償結構的該第一側邊具有一重疊區，該重疊區垂直投影于該基板上具有一長度與一寬度，該長度介于1微米至5微米之間。

3.如權利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，該源極具有一第二延伸部，以及一連接至該第二延伸部的第二本體部。

4.如權利要求3所述的薄膜晶體管，其特征在于，該第一延伸部平行于該第二延伸部，且該第一延伸部與該第二延伸部垂直投影于該基板上具有一間隔，其中該間隔介于6微米與8微米之間。

5.如權利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，該半導體層的材料包括氧化物半導體。

6.如權利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，該源極與該電容補償結構不重疊。