[發(fā)明專利]一種研磨墊及其使用周期檢測(cè)方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201510837390.2 | 申請(qǐng)日: | 2015-11-26 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN105500183B | 公開(kāi)(公告)日: | 2018-08-10 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 戴文俊 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 上海集成電路研發(fā)中心有限公司 |
| 主分類號(hào): | B24B37/24 | 分類號(hào): | B24B37/24;B24B37/34;B24B49/00;B24B53/017 |
| 代理公司: | 上海天辰知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人: | 吳世華;尹英 |
| 地址: | 201210 上*** | 國(guó)省代碼: | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 研磨 及其 使用 周期 檢測(cè) 方法 | ||
本發(fā)明公開(kāi)了一種研磨墊及其使用周期檢測(cè)方法,通過(guò)將兩種強(qiáng)度及粗糙度不同的材料層疊在一起組合成為一張研磨墊,在對(duì)研磨墊進(jìn)行修整時(shí),通過(guò)動(dòng)態(tài)收集扭矩回饋信息,當(dāng)位于上層的研磨層逐漸消耗、位于下層的基板栓體露出時(shí),動(dòng)態(tài)收集的扭矩回饋信息將發(fā)生趨勢(shì)變化,即可通過(guò)研磨設(shè)備內(nèi)設(shè)的算法及判定標(biāo)準(zhǔn)得出相應(yīng)研磨墊使用周期是否達(dá)到的判斷,避免了傳統(tǒng)依靠收集研磨墊的研磨時(shí)間或/和研磨的晶圓個(gè)數(shù)一種或兩種信息來(lái)判斷研磨墊使用周期的是否達(dá)到的不準(zhǔn)確判斷方法,從而可以使研磨墊的使用周期最大化,有效降低成本。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體集成電路設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域,更具體地,涉及一種可以檢測(cè)使用周期的研磨墊及其使用周期的檢測(cè)方法。
背景技術(shù)
在晶圓制造中,隨著制程技術(shù)的升級(jí)、導(dǎo)線與柵極尺寸的縮小,光刻(Lithography)技術(shù)對(duì)晶圓表面平坦程度(Non-uniformity)的要求越來(lái)越高,因而化學(xué)機(jī)械研磨(Chemical Mechanical Polishing,簡(jiǎn)稱CMP)工藝得到了廣泛的應(yīng)用。
在半導(dǎo)體領(lǐng)域,化學(xué)機(jī)械研磨已成為半導(dǎo)體工藝流程中不可或缺的一環(huán)。在化學(xué)機(jī)械研磨工藝中,通過(guò)研磨臺(tái)面帶動(dòng)研磨墊旋轉(zhuǎn),并通過(guò)研磨液分配臂向研磨墊噴射研磨液;同時(shí),以研磨頭保持待研磨的晶圓,將晶圓的待研磨面按壓在研磨墊上并作相對(duì)轉(zhuǎn)動(dòng),對(duì)晶圓進(jìn)行研磨處理并使其平坦化。
由于研磨速率、研磨墊摩擦系數(shù)與研磨時(shí)間呈相同的變化趨勢(shì),均是隨著研磨時(shí)間的增加而急劇的降低,因此對(duì)研磨墊的損耗進(jìn)行及時(shí)有效的監(jiān)測(cè)就非常必要了。
在現(xiàn)有技術(shù)條件下,研磨墊的使用壽命主要按照以下方式定義:
1)定義研磨墊的研磨時(shí)間;
2)定義使用研磨墊研磨的晶圓個(gè)數(shù);
3)同時(shí)定義研磨墊的研磨時(shí)間和使用研磨墊研磨的晶圓個(gè)數(shù),且將先到者定義為使用壽命。
但是,上述監(jiān)測(cè)方式有一定的局限性。當(dāng)對(duì)不同的晶圓進(jìn)行研磨工藝時(shí),由于不同產(chǎn)品的晶圓其膜質(zhì)和研磨壓力的不同會(huì)造成對(duì)研磨墊不同的損耗,因此在相同的研磨時(shí)間下?lián)p耗會(huì)有很大的不同。同樣,在相同的研磨晶圓個(gè)數(shù)的前提下,如果研磨的是不同產(chǎn)品的晶圓,其對(duì)研磨墊的損耗也會(huì)不同。
因此,目前的研磨墊監(jiān)測(cè)方法針對(duì)不同晶圓在同一個(gè)研磨墊上進(jìn)行研磨工藝時(shí),不能實(shí)時(shí)檢測(cè)研磨墊的磨損情況,進(jìn)而造成研磨墊不能得到充分的利用,增大了生產(chǎn)成本。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)存在的上述缺陷,提供一種研磨墊及其使用周期檢測(cè)方法,可實(shí)時(shí)檢測(cè)研磨墊的磨損情況,并可準(zhǔn)確判斷研磨墊的使用周期是否達(dá)到。
為實(shí)現(xiàn)上述目的,本發(fā)明的技術(shù)方案如下:
一種研磨墊,所述研磨墊包括上下密合設(shè)置的研磨層和基板復(fù)合層,所述研磨層具有小于基板的強(qiáng)度及粗糙度,所述基板具有向上伸入研磨層內(nèi)并均勻分布的多數(shù)個(gè)栓體;其中,在采用所述研磨墊進(jìn)行研磨時(shí),當(dāng)研磨層因被磨損而消耗、基板上的栓體開(kāi)始逐漸裸露出來(lái)時(shí),利用具有不同強(qiáng)度及粗糙度復(fù)合層的研磨墊所產(chǎn)生的扭矩變化特性,根據(jù)設(shè)定的閾值和判定標(biāo)準(zhǔn)以判斷研磨墊是否達(dá)到使用周期。
優(yōu)選地,所述栓體為錐形體。
優(yōu)選地,所述栓體錐形體的頂角不小于60度。
優(yōu)選地,所述栓體頂部具有弧形倒角。
優(yōu)選地,所述研磨層或基板采用超高分子量聚乙烯纖維、芳香族聚酯纖維或聚乙烯醇聚酯纖維材料制作。
優(yōu)選地,所述基板的楊氏模量和硬度大于研磨層。
優(yōu)選地,所述基板的楊氏模量不小于1000cN/dtex,所述研磨層的楊氏模量不小于450cN/dtex;所述基板的肖氏硬度不小于50。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于上海集成電路研發(fā)中心有限公司,未經(jīng)上海集成電路研發(fā)中心有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買(mǎi)此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201510837390.2/2.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來(lái)源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 上一篇:一種傳輸架支承桿
- 下一篇:一種立式側(cè)邊磨床





