[發明專利]陣列基板、顯示器及陣列基板的制備方法

在審

• 申請號: 201510833783.6
• 申請日: 2015-11-25
• 公開（公告）號: CN105304652A
• 公開（公告）日: 2016-02-03
• 發明（設計）人: 劉洋
• 申請（專利權）人: 深圳市華星光電技術有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L21/77;H01L29/786;H01L21/34
• 代理公司: 廣州三環專利代理有限公司 44202
• 代理人: 郝傳鑫;熊永強

技術領域

本發明涉及顯示領域，尤其涉及一種陣列基板、顯示器及陣列基板的制備方法。

背景技術

金屬氧化物半導體薄膜晶體管以其良好的器件性能，較低的工藝成本，被認為是下一代平板顯示中的關鍵技術。然而，隨著顯示器性能的提高，包括高分辨率，窄邊框技術等，都對陣列基板中的薄膜晶體管的性能，包括穩定性提出更高的要求。相比目前高端顯示器常用的低溫多晶硅技術，較低穩定性限制了金屬氧化物半導體薄膜晶體管應用于驅動電路在玻璃上的集成化等，影響了顯示器的穩定性。

發明內容

本發明提供一種陣列基板，顯示器及陣列基板的制備方法，以提高顯示器的穩定性。

本發明提供一種陣列基板，所述陣列基板包括呈矩陣分布的多個金屬氧化物半導體薄膜晶體管，所述金屬氧化物半導體薄膜晶體管包括：

基板；

柵極，所述柵極設置在所述基板的一個表面上；

柵極絕緣層，所述柵極絕緣層覆蓋所述柵極上；

有源層圖形，所述有源層圖形覆蓋在所述柵極絕緣層上；

源極及漏極，所述源極及漏極設置于所述有源層圖形上，且分別位于所述柵極的兩側；

第一覆蓋層，所述第一覆蓋層設置于所述有源層圖形上，且與所述有源層圖形電連接，所述第一覆蓋層未與所述源極及漏極接觸；其中，所述第一覆蓋層的金屬材質比所述有源層圖形中的金屬材質活潑；

鈍化層，所述鈍化層覆蓋在所述第一覆蓋層、源極、漏極及有源層圖形上。

其中，所述陣列基板還包括第二覆蓋層，所述第二覆蓋層設置于所述第一覆蓋層與所述鈍化層之間，用于保護第一覆蓋層。

其中，所述第二覆蓋層為金屬材質，所述第一覆蓋層的金屬材質比所述第二覆蓋層的金屬材質活潑。

其中，所述第二覆蓋層為絕緣材質。

其中，所述第一覆蓋層的金屬材質為元素周期表中的第IIA及IVA族材料。

本發明還提供一種顯示器，所述顯示器包括上述的陣列基板。

本發明還提供一種陣列基板的制備方法，所述陣列基板的制備方法包括：

提供一基板；

在所述基板上沉積金屬膜層，以形成柵極，從而得到第一半成基板；

在所述第一半成基板上沉積柵極絕緣層，從而得到第二半成基板；

在所述第二半成基板上沉積有源層，以形成有源層圖形，從而得到第三半成基板；

在所述第三半成基板上沉積覆蓋層，從而得到第四半成基板，其中，所述覆蓋層位于所述有源層圖形上，所述覆蓋層的金屬材質比所述有源層圖形40的金屬材質活潑；

在所述第四半成基板上沉積金屬膜層，以形成源極及漏極，以得到第五基板，其中，所述源極及漏極設置于所述有源層圖形上，且分別位于所述柵極的兩側，所述覆蓋層未與所述源極及漏極接觸；

在所述第五基板上沉積鈍化層，以使所述鈍化層覆蓋所述覆蓋層、源極、漏極及有源層圖形，從而得到所述陣列基板。

其中，所述步驟“在所述第三半成基板上沉積覆蓋層”包括以下步驟：

在所述第三半成基板上沉積第一子覆蓋層；其中，所述第一覆蓋層為金屬材質；

在所述第一覆蓋層上沉積第二子覆蓋層，用于保護第一覆蓋層，其中，所述第一覆蓋層與所述第二覆蓋層構成所述覆蓋層。

其中，所述第二子覆蓋層為金屬材質，所述第一子覆蓋層的金屬材質比所述第二子覆蓋層的金屬材質活潑。

其中，所述第一子覆蓋層的金屬材質為元素周期表中的第IIA及IVA族材料。

本發明的陣列基板包括基板、柵極、柵極絕緣層、有源層圖形、源極、漏極、第一覆蓋層及鈍化層，所述柵極設置在所述基板的一個表面上；所述柵極絕緣層覆蓋所述柵極上；所述有源層圖形覆蓋在所述柵極絕緣層上；所述源極及漏極設置于所述有源層圖形上，且分別位于所述柵極的兩側；所述第一覆蓋層設置于所述有源層圖形上，且與所述有源層圖形電連接，所述第一覆蓋層未與所述源極及漏極接觸；其中，所述第一覆蓋層的金屬材質比所述有源層圖形中的金屬材質活潑；所述鈍化層覆蓋在所述第一覆蓋層、源極、漏極及有源層圖形上。因此，由于所述第一覆蓋層中主要采用相對所述有源層圖形中的金屬原子較活潑的材料，一方面能夠俘獲所述有源層圖形中未形成穩定化學鍵的氧原子，一方面氧空位增加提高載流子濃度，另一方面所述有源層圖形中游離的氧原子減少，氧含量變化小，所述陣列基板的穩定性提高，即具有較高的器件性能。

附圖說明