[發明專利]陣列基板、顯示器及陣列基板的制備方法

在審

• 申請號: 201510833783.6
• 申請日: 2015-11-25
• 公開（公告）號: CN105304652A
• 公開（公告）日: 2016-02-03
• 發明（設計）人: 劉洋
• 申請（專利權）人: 深圳市華星光電技術有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L21/77;H01L29/786;H01L21/34
• 代理公司: 廣州三環專利代理有限公司 44202
• 代理人: 郝傳鑫;熊永強

1.一種陣列基板，其特征在于，所述陣列基板包括呈矩陣分布的多個金屬氧化物半導體薄膜晶體管，所述金屬氧化物半導體薄膜晶體管包括：

基板；

柵極，所述柵極設置在所述基板的一個表面上；

柵極絕緣層，所述柵極絕緣層覆蓋所述柵極上；

有源層圖形，所述有源層圖形覆蓋在所述柵極絕緣層上；

源極及漏極，所述源極及漏極設置于所述有源層圖形上，且分別位于所述柵極的兩側；

第一覆蓋層，所述第一覆蓋層設置于所述有源層圖形上，且與所述有源層圖形電連接，所述第一覆蓋層未與所述源極及漏極接觸；其中，所述第一覆蓋層的金屬材質比所述有源層圖形中的金屬材質活潑；

鈍化層，所述鈍化層覆蓋在所述第一覆蓋層、源極、漏極及有源層圖形上。

2.如權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板還包括第二覆蓋層，所述第二覆蓋層設置于所述第一覆蓋層與所述鈍化層之間，用于保護第一覆蓋層。

3.如權利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述第二覆蓋層為金屬材質，所述第一覆蓋層的金屬材質比所述第二覆蓋層的金屬材質活潑。

4.如權利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述第二覆蓋層為絕緣材質。

5.如權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述第一覆蓋層的金屬材質為元素周期表中的第IIA及IVA族材料。

6.一種顯示器，其特征在于，所述顯示器包括如權利要求1-5任意一項所述的陣列基板。

7.一種陣列基板的制備方法，其特征在于，所述陣列基板的制備方法包括：

提供一基板；

在所述基板上沉積金屬膜層，以形成柵極，從而得到第一半成基板；

在所述第一半成基板上沉積柵極絕緣層，從而得到第二半成基板；

在所述第二半成基板上沉積有源層，以形成有源層圖形，從而得到第三半成基板；

在所述第三半成基板上沉積覆蓋層，從而得到第四半成基板，其中，所述覆蓋層位于所述有源層圖形上，所述覆蓋層的金屬材質比所述有源層圖形40的金屬材質活潑；

在所述第四半成基板上沉積金屬膜層，以形成源極及漏極，以得到第五基板，其中，所述源極及漏極設置于所述有源層圖形上，且分別位于所述柵極的兩側，所述覆蓋層未與所述源極及漏極接觸；

在所述第五基板上沉積鈍化層，以使所述鈍化層覆蓋所述覆蓋層、源極、漏極及有源層圖形，從而得到所述陣列基板。

8.如權利要求7所述的陣列基板的制備方法，其特征在于，所述步驟“在所述第三半成基板上沉積覆蓋層”包括以下步驟：

在所述第三半成基板上沉積第一子覆蓋層；其中，所述第一覆蓋層為金屬材質；

在所述第一覆蓋層上沉積第二子覆蓋層，用于保護第一覆蓋層，其中，所述第一覆蓋層與所述第二覆蓋層構成所述覆蓋層。

9.如權利要求8所述的陣列基板的制備方法，其特征在于，所述第二子覆蓋層為金屬材質，所述第一子覆蓋層的金屬材質比所述第二子覆蓋層的金屬材質活潑。

10.如權利要求8所述的陣列基板的制備方法，其特征在于，所述第一子覆蓋層的金屬材質為元素周期表中的第IIA及IVA族材料。