[發明專利]半導體結構及其制造方法

在審

• 申請號: 201510823680.1
• 申請日: 2015-11-24
• 公開（公告）號: CN105470143A
• 公開（公告）日: 2016-04-06
• 發明（設計）人: 不公告發明人
• 申請（專利權）人: 青島金智高新技術有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L29/78
• 代理公司: 青島申達知識產權代理有限公司 37243
• 代理人: 蔣遙明

技術領域

本發明是有關于半導體結構及其制造方法，特別是有關于具有隔離區的半導體結構及其制造方法。

背景技術

在近幾十年間，半導體業界持續縮小半導體結構的尺寸，并同時改善速率、效能、密度及集成電路的單位成本。

縮小裝置面積通常會嚴重犧牲半導體結構的電性效能。為了維持半導體結構的電性效能，特別在半導體結構為高壓裝置的情況下，必須使用大的裝置面積，然而，這會阻礙半導體結構微縮化的發展。

發明內容

本發明是有關于一種半導體結構及其制造方法，該半導體結構具有增進的效能。

本發明提供了一種半導體結構，該半導體結構包括襯底、裝置區、第一摻雜區與柵結構；第一摻雜區形成在鄰近裝置區的襯底中；柵結構位于第一摻雜區上；第一摻雜區與柵結構是互相重疊的。

本發明提供了一種半導體結構，該半導體結構包括襯底、裝置區、第一摻雜區與柵結構；第一摻雜區形成在襯底中并鄰近裝置區；柵結構位于第一摻雜區上；第一摻雜區與柵結構其中至少之一具有對稱的形狀。

本發明還提供了一種半導體結構的制造方法，該方法包括以下步驟：形成第一摻雜區于鄰近裝置區的襯底中；形成柵結構于第一摻雜區上；第一摻雜區與柵結構是互相重疊的。

下文特舉較佳實施例，并配合所附圖式，作詳細說明如下：

附圖說明

圖1繪示根據一實施例的半導體結構的上視圖。

圖2繪示根據一實施例的半導體結構的剖面圖。

圖3繪示根據一實施例的半導體結構的剖面圖。

【主要元件符號說明】

102、1302～襯底；104、304A、304B、604～第一摻雜區；106、606～第二摻雜區；108、608～第三摻雜區；110～第四摻雜區；112～第一裝置區；114～第二裝置區；116～第三裝置區；118～隔離區；120、820～介電結構；122～下摻雜區；124、524、1324、1424～上摻雜區；126～摻雜埋藏層；128～摻雜阱區；130、230A、230B、430A、430B、430C、430D、430E～頂摻雜區；132、134、136～摻雜接觸區；138、738A、738B、738C、838～介電結構；

140～柵極；142～摻雜埋藏層；144、146、148、648～摻雜阱區；150、152、154、156～摻雜接觸區；158～介電層；160、162～導電插塞；164、166、964、1064A、1064B、1164、1166A、1166B1264A、1264B、1264C～導電層；168～摻雜區；170～摻雜埋藏層；172～摻雜阱區；174～摻雜接觸區；176～介電結構；178～柵結構；180～第一柵側邊；182～第二柵側邊；184～第一摻雜側邊；186～第二摻雜側邊；188、190～摻雜接觸區；92～摻雜埋藏層；94～摻雜阱區；196～摻雜區；198～介電結構；900A、1000B、1100B、1200B～第一層介電層；D1、D2、K1、K2、M1、M2、W1、W2～間距。

具體實施方式

圖1繪示根據一實施例的半導體結構的上視圖，其僅繪示半導體結構的襯底102、第一摻雜區104、第二摻雜區106、第三摻雜區108、第四摻雜區110與裝置區。于實施例中，形成在襯底102中的第一摻雜區104、第二摻雜區106、第三摻雜區108與第四摻雜區110具有相同的第一導電型，例如P導電型。

請參照圖1，裝置區包括第一裝置區112、第二裝置區114與第三裝置區116。于實施例中，第一裝置區112、第二裝置區114與第三裝置區116是分別用以設置不同類型的裝置。舉例來說，第一裝置區112為超高壓裝置區，用以設置例如超高壓(UHV)MOS或其他合適的裝置。第二裝置區114可用作高壓側(highside)區(例如大于650V)，例如用以設置LVMOS、BJT、電容(capacitor)、電阻或其他合適的裝置。第三裝置區116可用作低壓裝置區，用以設置例如LVMOS或其他合適的裝置。

請參照圖1，舉例來說，第一摻雜區104與第三摻雜區108位于第一裝置區112的外緣，換句話說，第一裝置區112可利用第一摻雜區104與第三摻雜區108定義。第一摻雜區104與第四摻雜區110位于第二裝置區114的外緣，換句話說，第二裝置區114可利用第一摻雜區104與第四摻雜區110定義。第二摻雜區106位于第一裝置區112中。第二摻雜區106是分開于第一摻雜區104與第三摻雜區108。第四摻雜區110是分開于第一摻雜區104與第三摻雜區108。于實施例中，第一摻雜區104是用作隔離，例如用以隔離第一裝置區112與第二裝置區114。