[發明專利]半導體結構及其制造方法

在審

• 申請號: 201510823680.1
• 申請日: 2015-11-24
• 公開（公告）號: CN105470143A
• 公開（公告）日: 2016-04-06
• 發明（設計）人: 不公告發明人
• 申請（專利權）人: 青島金智高新技術有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L29/78
• 代理公司: 青島申達知識產權代理有限公司 37243
• 代理人: 蔣遙明

1.一種半導體結構，包括：一

襯底；

一裝置區；一第一摻雜區，形成在鄰近該裝置區的

該襯底中；以及

一柵結構，位于該第一摻雜區上，其中該第一摻雜區與該柵結構是互相重疊的。

2.一種半導體結構，包括：一

襯底；

一裝置區；一第一摻雜區，形成在該襯底中并鄰近

該裝置區；以及

一柵結構，位于該第一摻雜區上，其中該第一摻雜區與該柵結構其中至少 之一具有對稱的形狀。

3.根據權利要求1或2所述的半導體結構，其中該裝置區包括一第一裝置區 與一第二裝置區，該第一摻雜區是用以隔離該第一裝置區與該第二裝置區。

4.根據權利要求3所述的半導體結構，其中該第一摻雜區具有一對稱的形狀 并位于該第一裝置區的外緣。

5.根據權利要求1或2所述的半導體結構，更包括一柵極，其中該裝置區包括 一第一裝置區與一第二裝置區，該第一摻雜區是介于該第一裝置區與該第二裝 置區，該柵極位于該第一裝置區中。

6.根據權利要求5所述的半導體結構，其中該柵極具有相對的一第一柵側邊 與一第二柵側邊，該第一摻雜區與該第一柵側邊之間的一最小間距等于該第一 摻雜區與該第二柵側邊之間的一最小間距，或者，該柵結構與該第一柵側邊之 間的一最小間距等于該柵結構與該第二柵側邊之間的一最小間距。

7.根據權利要求1或2所述的半導體結構，更包括一第二摻雜區，其中該裝置 區包括一第一裝置區與一第二裝置區，該第一摻雜區是介于該第一裝置區與該 第二裝置區，該第二摻雜區位于該第一裝置區中的該襯底中，互相分開的該第 一摻雜區與該第二摻雜區具有相同的導電型。

8.根據權利要求7所述的半導體結構，其中該第二摻雜區具有相對的一第一 摻雜側邊與一第二摻雜側邊，該第一摻雜區與該第一摻雜側邊之間的一最小間 距等于該第一摻雜區與該第二摻雜側邊之間的一最小間距。

9.根據權利要求7所述的半導體結構，其中該第二摻雜區具有相對的一第一 摻雜側邊與一第二摻雜側邊，或者，該柵結構與該第一摻雜側邊之間的一最 小間距等于該柵結構與該第二摻雜側邊之間的一最小間距。

10.一種半導體結構的制造方法，包括：形成一第一摻雜區于鄰近一裝置區 的一襯底中；以及形成一柵結構于該第一摻雜區上，其中該第一摻雜區與該 柵結構是互相重疊的。