[發明專利]宇航級VMOS管功能性完好的測試方法

在審

• 申請號: 201510819911.1
• 申請日: 2015-11-23
• 公開（公告）號: CN105467290A
• 公開（公告）日: 2016-04-06
• 發明（設計）人: 謝永權;柳金生
• 申請（專利權）人: 上海衛星裝備研究所
• 主分類號: G01R31/26
• 分類號: G01R31/26;G01R27/02
• 代理公司: 上海漢聲知識產權代理有限公司 31236
• 代理人: 郭國中

技術領域

本發明涉及航天測量技術領域，具體涉及宇航級VMOS管功能性完好的測試方法，尤其是印制板上或裸片宇航級VMOS管功能性完好的測試方法。

背景技術

目前VMOS管在航天領域被廣泛應用，其產品制造過程復雜，從插件裝焊、整機裝聯、包裝運輸直至產品應用，都在靜電的威脅之下。在整個電子產品生產過程中，每一個階段中的每一個小步驟，靜電敏感元件都可能遭受靜電的影響或受到破壞。

VMOS管的輸入阻抗很高而柵極和源極間的電容非常小。以P型VMOS管IRHN9150SCS(2N7422U)為例，其Ciss＝1100PF，極易受外界電磁場或靜電感應而帶電，極少的電荷就可在極間電容上形成相當高的電壓U＝Q/Ciss，使VMOS管G-S失效。根據人體靜電放電模型：人體靜電電壓一般在幾千伏到幾萬伏，令V_b＝2000V，人體等效電容C_b一般為100～250PF，令C_b＝100PF，則人體所帶電荷Q_b＝C_bV_b＝2×10^-7C，極間電容上形成的電壓(V_GS為VMOS管的柵源耐壓)，使VMOS管的G-S失效。

因此，VMOS管的使用也給航天電子產品的制造帶來了一個全新的課題，即如何有效的防止制造過程中VMOS管的靜電擊穿，對其功能性完好做出判斷，從而克服后續才發現問題增加制造成本的弊端。

發明內容

針對現有技術中的缺陷，本發明的目的是提供一種宇航級VMOS管功能性完好的測試方法。

根據本發明提供的一種宇航級VMOS管功能性完好的測試方法，測試設備采用MF500型指針式萬用表，具體地，用調至R×1K檔位的MF500型指針式萬用表歐姆檔，測量VMOS管的源極和漏極之間、柵極和源極之間、柵極和漏極之間的電阻值；MF500型指針式萬用表采用內部1.5V電池供電，該電池電壓值低于VMOS管的閾值電壓VGS(th)。

優選地，測試條件包括：

-整個測試在防靜電工作區內進行；

-整個測試在離子風狀態下進行；

-VMOS的阻抗特性參數的測量必須在環境溫度20±5℃、環境濕度30-75％的條件下進行；

-防靜電腕帶接地系統電阻的大小取1MΩ～10MΩ；

-防靜電工作區接地電阻小于4Ω。

優選地，測試人員要求包括：

-測試前，測試人員穿戴防靜電工作衣、防靜電工作鞋、防靜電工作帽，并戴好防靜電腕帶和防靜電手套；

-測試人員在進入防靜電工作區測試前將人體靜電釋放，觸摸靜電釋放棒直到靜電釋放完畢。

優選地，測試技術要求包括：

-用MF500型指針式萬用表的表筆將VMOS管的源極S、漏極D、柵極G這三個電極同時短路，使柵極的電荷釋放；

-每次測量完畢，將柵極與源極間短路，以釋放極間電荷。

優選地，測試方法為采用MF500型指針式萬用表測量VMOS管的源極和漏極之間、柵極和源極之間、柵極和漏極之間的電阻值，若這些電阻值與要求值相符，則認為VMOS管功能完好，否則，則認為VMOS管功能不完好。

優選地，所述測試方法，包括如下步驟：

測試阻抗參數前，將MF500型指針式萬用表的紅表筆和黑表筆短接一次，測量柵極與漏極間阻值R_GD的值，先將紅表筆連接至漏極，然后將黑表筆連接至柵極進行測量，記錄R_GD的值，R_GD測量完畢，先將黑表筆從柵極移開，再將紅表筆從漏極移開；

將紅表筆與黑表筆短接一次，繼續測量漏極與柵極間阻值R_DG的值，先將黑表筆連接至漏極，然后將紅表筆連接至柵極進行測量，記錄R_DG的值，R_DG測量完畢，先將紅表筆從柵極移開，再將黑表筆從漏極移開；

將紅表筆與黑表筆短接一次，繼續測量R_GS的值，先將萬用表紅表筆連接至源極，然后將黑表筆連接至柵極進行測量，記錄R_GS的阻值，R_GS測量完畢，先將黑表筆從柵極移開，再將紅表筆從源極移開；