[發(fā)明專利]宇航級(jí)VMOS管功能性完好的測(cè)試方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201510819911.1
• 申請(qǐng)日: 2015-11-23
• 公開（公告）號(hào): CN105467290A
• 公開（公告）日: 2016-04-06
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 謝永權(quán);柳金生
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 上海衛(wèi)星裝備研究所
• 主分類號(hào): G01R31/26
• 分類號(hào): G01R31/26;G01R27/02
• 代理公司: 上海漢聲知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31236
• 代理人: 郭國(guó)中

1.一種宇航級(jí)VMOS管功能性完好的測(cè)試方法，其特征在于，測(cè)試設(shè)備采用MF500型指針式萬用表，具體地，用調(diào)至R×1K檔位的MF500型指針式萬用表歐姆檔，測(cè)量VMOS管的源極和漏極之間、柵極和源極之間、柵極和漏極之間的電阻值；MF500型指針式萬用表采用內(nèi)部1.5V電池供電，該電池電壓值低于VMOS管的閾值電壓VGS(th)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的宇航級(jí)VMOS管功能性完好的測(cè)試方法，其特征在于，測(cè)試條件包括：

-整個(gè)測(cè)試在防靜電工作區(qū)內(nèi)進(jìn)行；

-整個(gè)測(cè)試在離子風(fēng)狀態(tài)下進(jìn)行；

-VMOS的阻抗特性參數(shù)的測(cè)量必須在環(huán)境溫度20±5℃、環(huán)境濕度30-75％的條件

下進(jìn)行；

-防靜電腕帶接地系統(tǒng)電阻的大小取1MΩ～10MΩ；

-防靜電工作區(qū)接地電阻小于4Ω。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的宇航級(jí)VMOS管功能性完好的測(cè)試方法，其特征在于，測(cè)試人員要求包括：

-測(cè)試前，測(cè)試人員穿戴防靜電工作衣、防靜電工作鞋、防靜電工作帽，并戴好防靜電腕帶和防靜電手套；

-測(cè)試人員在進(jìn)入防靜電工作區(qū)測(cè)試前將人體靜電釋放，觸摸靜電釋放棒直到靜電釋放完畢。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的宇航級(jí)VMOS管功能性完好的測(cè)試方法，其特征在于，測(cè)試技術(shù)要求包括：

-用MF500型指針式萬用表的表筆將VMOS管的源極S、漏極D、柵極G這三個(gè)電極同時(shí)短路，使柵極的電荷釋放；

-每次測(cè)量完畢，將柵極與源極間短路，以釋放極間電荷。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的宇航級(jí)VMOS管功能性完好的測(cè)試方法，其特征在于，測(cè)試方法為采用MF500型指針式萬用表測(cè)量VMOS管的源極和漏極之間、柵極和源極之間、柵極和漏極之間的電阻值，若這些電阻值與要求值相符，則認(rèn)為VMOS管功能完好，否則，則認(rèn)為VMOS管功能不完好。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的宇航級(jí)VMOS管功能性完好的測(cè)試方法，其特征在于，所述測(cè)試方法，包括如下步驟：

測(cè)試阻抗參數(shù)前，將MF500型指針式萬用表的紅表筆和黑表筆短接一次，測(cè)量柵極與漏極間阻值R_GD的值，先將紅表筆連接至漏極，然后將黑表筆連接至柵極進(jìn)行測(cè)量，記錄R_GD的值，R_GD測(cè)量完畢，先將黑表筆從柵極移開，再將紅表筆從漏極移開；

將紅表筆與黑表筆短接一次，繼續(xù)測(cè)量漏極與柵極間阻值R_DG的值，先將黑表筆連接至漏極，然后將紅表筆連接至柵極進(jìn)行測(cè)量，記錄R_DG的值，R_DG測(cè)量完畢，先將紅表筆從柵極移開，再將黑表筆從漏極移開；

將紅表筆與黑表筆短接一次，繼續(xù)測(cè)量R_GS的值，先將萬用表紅表筆連接至源極，然后將黑表筆連接至柵極進(jìn)行測(cè)量，記錄R_GS的阻值，R_GS測(cè)量完畢，先將黑表筆從柵極移開，再將紅表筆從源極移開；

將紅表筆與黑表筆短接一次，繼續(xù)測(cè)量源極與柵極間阻值R_SG的值，先將黑表筆連接至源極，然后將紅表筆連接至柵極進(jìn)行測(cè)量，記錄R_SG的值，R_SG測(cè)量完畢，先將紅表筆從柵極移開，再將黑表筆從源極移開；

將紅表筆與黑表筆短接一次，繼續(xù)測(cè)量漏極與源極間阻值R_DS的值，先將紅表筆連接至源極，然后將黑表筆連接至漏極進(jìn)行測(cè)量，記錄R_DS的值；

將紅表筆與黑表筆短接一次，繼續(xù)測(cè)量源極與漏極間阻值R_SD的值，先將紅表筆連接至漏極，然后將黑表筆連接至源極進(jìn)行測(cè)量，記錄R_SD的值。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的宇航級(jí)VMOS管功能性完好的測(cè)試方法，其特征在于，裸片測(cè)試時(shí)，N型溝道VMOS管需滿足R_GD、R_DG、R_GS、R_SG、R_DS阻抗∞，R_SD幾千歐至十幾千歐；裸片測(cè)試時(shí)，P型溝道VMOS管需滿足R_GD、R_DG、R_GS、R_SG、R_SD阻抗∞，R_DS幾千歐至十幾千歐。