[發(fā)明專利]包圍集成電路布線附近的貫通基板通孔的非連續(xù)虛擬結(jié)構(gòu)有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201510813213.0 | 申請(qǐng)日: | 2015-11-20 |
| 公開(公告)號(hào): | CN105633013A | 公開(公告)日: | 2016-06-01 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 陳奮;穆克塔·G·法魯克;約翰·M·薩夫蘭 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 格羅方德半導(dǎo)體U.S.2有限責(zé)任公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/768 | 分類號(hào): | H01L21/768;H01L23/522 |
| 代理公司: | 北京康信知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11240 | 代理人: | 梁麗超;王紅艷 |
| 地址: | 美國(guó)*** | 國(guó)省代碼: | 美國(guó);US |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說(shuō)明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 包圍 集成電路 布線 附近 貫通 基板通孔 連續(xù) 虛擬 結(jié)構(gòu) | ||
1.一種包括形成在基板上的多個(gè)堆疊式介電層級(jí)的三維集成電路布 線,所述三維集成電路布線包括:
多個(gè)金屬層級(jí),所述多個(gè)金屬層級(jí)在相應(yīng)的介電層中被圖案化, 每個(gè)介電層均限定所述三維集成電路布線的介電層級(jí);
多個(gè)電路過(guò)孔,所述多個(gè)電路過(guò)孔被圖案化為將相應(yīng)介電層級(jí) 中的至少一個(gè)第一金屬層級(jí)連接至不同的相應(yīng)介電層級(jí)中的至少一 個(gè)第二金屬層級(jí);
電路布線排除區(qū)域,所述電路布線排除區(qū)域與貫通基板通孔相 關(guān)聯(lián);以及
多個(gè)非連續(xù)的虛擬墻元件,所述多個(gè)非連續(xù)的虛擬墻元件在所 述三維集成電路布線中限定的電路布線排除區(qū)域內(nèi)的對(duì)應(yīng)介電層級(jí) 中被圖案化。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的三維集成電路布線,進(jìn)一步包括形成在所述 電路布線排除區(qū)域中的至少一個(gè)貫通基板通孔,所述至少一個(gè)貫通 基板通孔垂直延伸穿過(guò)所述基板和多個(gè)介電層級(jí)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的三維集成電路布線,其中,所述至少一個(gè)貫 通基板通孔以第一垂直距離垂直延伸穿過(guò)所述三維集成電路布線, 并且其中,所述非連續(xù)的虛擬墻元件以第二垂直距離垂直延伸穿過(guò) 所述三維集成電路布線,并且其中,所述第二垂直距離比所述第一 垂直距離小至少一個(gè)介電層級(jí)。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的三維集成電路布線,進(jìn)一步包括將第一金屬 層級(jí)電連接至所述第二金屬層級(jí)的至少一個(gè)過(guò)孔元件。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的三維集成電路布線,其中,每個(gè)非連續(xù)的虛 擬墻元件均包括彼此分離的多個(gè)獨(dú)立墻單元。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的三維集成電路布線,其中,所述獨(dú)立墻單元 沿著第一方向彼此對(duì)齊。
7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的三維集成電路布線,其中,每個(gè)非連續(xù)的虛 擬墻元件均包括沿著所述第一方向和與所述第一方向相對(duì)的第二方 向分離的多個(gè)獨(dú)立墻段。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的三維集成電路布線,其中,所述獨(dú)立墻段沿 著所述第一方向并且沿著所述第二方向彼此對(duì)齊。
9.根據(jù)權(quán)利要求4所述的三維集成電路布線,其中,至少一個(gè)集成電 路布線與所述電路布線排除區(qū)域的外側(cè)間隔開。
10.根據(jù)權(quán)利要求4所述的三維集成電路布線,其中,電路布線與所述 電路布線排除區(qū)域的所述外側(cè)鄰接。
11.一種形成三維集成電路布線的方法,所述方法包括:
將多個(gè)介電層級(jí)堆疊在基板上,以限定所述三維集成電路布線 的厚度;
執(zhí)行后端線路處理,以在所述介電層級(jí)的至少一個(gè)中圖案化金 屬層級(jí)和過(guò)孔;
在相應(yīng)金屬層級(jí)處圖案化多個(gè)非連續(xù)的虛擬墻元件;
并且在相關(guān)聯(lián)的電路布線排除區(qū)域中形成貫通基板通孔。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法,進(jìn)一步包括:在使用所述非連續(xù)的虛 擬墻元件保護(hù)相應(yīng)金屬層級(jí)的集成電路布線的同時(shí),形成垂直穿過(guò) 所述三維集成電路布線的貫通基板通孔。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法,進(jìn)一步包括:使所述非連續(xù)的虛擬墻 元件以第一垂直距離垂直延伸穿過(guò)所述三維集成電路布線,并且進(jìn) 一步使所述貫通基板通孔以第二垂直距離垂直延伸穿過(guò)所述三維集 成電路布線,其中,所述第二垂直距離比所述第一垂直距離大至少 一個(gè)介電層級(jí)。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法,進(jìn)一步包括:將第一金屬層級(jí)電連接 至第二金屬層級(jí)。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法,其中,每個(gè)非連續(xù)的虛擬墻元件均包 括彼此分離的多個(gè)獨(dú)立墻單元。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法,進(jìn)一步包括:使所述獨(dú)立墻單元沿著 所述第一方向?qū)R。
17.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法,其中,每個(gè)非連續(xù)的虛擬墻元件均包 括沿著所述第一方向和與所述第一方向相對(duì)的第二方向彼此分離的 多個(gè)獨(dú)立墻段。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于格羅方德半導(dǎo)體U.S.2有限責(zé)任公司,未經(jīng)格羅方德半導(dǎo)體U.S.2有限責(zé)任公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201510813213.0/1.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來(lái)源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 上一篇:半導(dǎo)體封裝件
- 下一篇:互連結(jié)構(gòu)及其制造方法
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





