[發(fā)明專利]一種磁控濺射制備耐酸堿納米哈氏合金涂層的方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201510810772.6 | 申請日: | 2015-11-20 |
| 公開(公告)號: | CN105349956A | 公開(公告)日: | 2016-02-24 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 張俊喜;鐘慶東;肖軼;吳世權(quán);史茜;舒明勇;韓洪波 | 申請(專利權(quán))人: | 江蘇尚大海洋工程技術(shù)有限公司 |
| 主分類號: | C23C14/35 | 分類號: | C23C14/35;C23C14/16 |
| 代理公司: | 上海泰能知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所 31233 | 代理人: | 黃志達(dá) |
| 地址: | 226011 江蘇省南通*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 磁控濺射 制備 耐酸 納米 合金 涂層 方法 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明屬于耐酸堿合金涂層的制備領(lǐng)域,特別涉及一種磁控濺射制備耐酸堿納米哈氏合金涂層的方法。
背景技術(shù)
磁控濺射鍍膜技術(shù)是指在真空室中,利用用帶有幾十電子伏以上動能的高能粒子轟擊材料表面,通過粒子動量的傳遞打出靶材中的粒子,將材料激發(fā)為氣態(tài),最終使其沉積在基體上形成薄膜的技術(shù)。由于濺射鍍膜的粒子往具有極高的能量,物質(zhì)是以高能態(tài)微粒的形式沉積在基片上,這就使得濺射沉積所得薄膜最突出的特點是膜的密度極高且膜基結(jié)合力極強(qiáng)。但磁控濺射由于存在“高能低溫”的特點,涂層中晶體普遍以柱狀晶的形式存在,這樣造成涂層晶粒粗大,使其耐腐蝕性能造成較大影響。磁控濺射納米涂層的制備不同于其他涂層制備工藝,其并非是納米粉體原料直接制備,而是在制備過程中控制其濺射工藝及涂層晶體的成核過程,目前磁控濺射技術(shù)納米薄膜的獲得主要通過兩種途徑:(1)在非晶薄膜晶化的過程中控制納米結(jié)構(gòu)的形成;(2)在薄膜的成核生長過程中控制納米結(jié)構(gòu)的形成,其中薄膜沉積條件的控制極為重要。
納米晶由于其晶體半徑小,擺列整齊致密,晶隙較小,其晶體性能遠(yuǎn)遠(yuǎn)優(yōu)于柱狀晶。尤其是納米晶可更好的阻礙耐蝕介質(zhì)穿透,其耐腐蝕性能遠(yuǎn)遠(yuǎn)優(yōu)于柱狀晶涂層。
C-276哈氏合金由于是一種耐酸堿性能很強(qiáng)的合金,但由于其加入貴金屬元素,制備成本較高,在使用上只能用于高尖端領(lǐng)域,而在普通工器件的使用少還較少,所以C-276哈氏合金的強(qiáng)耐酸堿性能的應(yīng)用由于其塊材的高成本因素而受到極大的影響。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是提供一種磁控濺射制備耐酸堿納米哈氏合金涂層的方法,本發(fā)明工藝簡單,效果明顯,對環(huán)境無污染;在濺射過程中,采用高的濺射氣壓、低的濺射易于得到納米結(jié)構(gòu)的薄膜。納米晶由于其晶體半徑小,擺列整齊致密,晶隙較小,其晶體性能遠(yuǎn)遠(yuǎn)優(yōu)于柱狀晶,尤其是納米晶可更好的阻礙耐蝕介質(zhì)穿透,其耐腐蝕性能遠(yuǎn)遠(yuǎn)優(yōu)于柱狀晶涂層。
本發(fā)明的一種磁控濺射制備耐酸堿納米哈氏合金涂層的方法,包括:
將哈氏合金作為靶材,同時將Q235低碳鋼作為基片置于沉積室內(nèi)的基片架上,進(jìn)行磁控濺射,在低碳鋼表面沉積一層哈氏合金涂層;其中磁控濺射沉積過程中工作氣壓為0.1-0.18Pa,N2流速為20-24mL/min(標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài)),靶材由中頻脈沖電源控制,固定功率為350-400W,頻率為80-100kHz;沉積過程中,基片施加-90V的中頻脈沖偏壓,基片溫度控制為260-300℃,沉積時間為1-2h。
所述哈氏合金為C-276哈氏合金;低碳鋼為Q235低碳鋼。
低碳鋼經(jīng)超聲清洗,并用氮氣吹凈后置于基片架上。
所述超聲清洗為經(jīng)過丙酮、乙醇和去離子水超聲清洗。
基片到靶材的距離為7-10cm。
磁控濺射沉積前背底真空小于8×10-5Pa。在此真空條件下所鍍薄膜雜質(zhì)較少
磁控濺射沉積前進(jìn)行10-20min的預(yù)濺射來清理靶表面,以提高膜層質(zhì)量。
磁控濺射沉積過程中,樣品臺的轉(zhuǎn)速為12-18r/min。
為了提高樣品的均勻性,樣品臺的轉(zhuǎn)速為14r/min。
本發(fā)明將納米技術(shù)與磁控濺射技術(shù)相結(jié)合制備耐酸堿納米磁控濺射哈氏涂層。主要機(jī)理是利用納米晶尺度小、排列整齊致密的優(yōu)勢,從而有效改善普通晶粒磁控濺射應(yīng)高能低溫而造成涂層中主要以粗大柱狀晶為主的現(xiàn)象,有效提高涂層耐蝕性能。在納米涂層制備工藝上,本發(fā)明通過調(diào)整磁控濺射流程及參數(shù),制備出具備納米晶的哈氏合金涂層。
有益效果
(1)本發(fā)明將納米技術(shù)及磁控濺射技術(shù)有效結(jié)合,通過對磁控濺射工藝及參數(shù)的精確調(diào)整,制備了納米晶粒涂層的磁控濺射涂層,從而解決了傳統(tǒng)磁控濺射制備的涂層晶粒呈現(xiàn)出粗大柱狀晶的問題,極大提高了涂層的性能;
(2)哈氏合金具有極強(qiáng)的耐酸堿性能,但由于其造價昂貴而限制其使用范圍,本發(fā)明通過納米技術(shù)及磁控濺射技術(shù),制備出具有精細(xì)晶粒及強(qiáng)的耐酸堿腐蝕性能的哈氏合金涂層,可在一定范圍內(nèi)代替塊體哈氏合金使用;
(3)本發(fā)明工藝簡單,效果明顯,對環(huán)境無污染,且在制備過程中使用普通的哈氏合金塊材作為靶材,即可制備出具有納米晶的哈氏合金涂層,所以具有生產(chǎn)成本低的特點,由于以上優(yōu)勢,本發(fā)明適宜工業(yè)化大規(guī)模生產(chǎn)。
具體實施方式
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- 專利分類
C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴(kuò)散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C14-00 通過覆層形成材料的真空蒸發(fā)、濺射或離子注入進(jìn)行鍍覆
C23C14-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C14-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物
C23C14-06 .以鍍層材料為特征的
C23C14-22 .以鍍覆工藝為特征的
C23C14-58 .后處理





