[發明專利]一種基于非對稱天線效應的CMOS片上恒穩定ID產生電路在審
| 申請號： | 201510808575.0 | 申請日： | 2015-11-19 |
| 公開（公告）號： | CN105404739A | 公開（公告）日： | 2016-03-16 |
| 發明（設計）人： | 唐枋;李世平;周喜川;胡盛東;甘平;葉楷;舒洲;陳卓;殷鵬;陳銀暉;譚躍;王忠杰;黃莎琳;李明東 | 申請（專利權）人： | 重慶大學 |
| 主分類號： | G06F17/50 | 分類號： | G06F17/50 |
| 代理公司： | 北京同恒源知識產權代理有限公司 11275 | 代理人： | 趙榮之 |
| 地址： | 400044 重*** | 國省代碼： | 重慶;50 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 基于 對稱 天線 效應 cmos 片上恒 穩定 id 產生 電路 | ||
【權利要求書】：
1.一種基于非對稱天線效應的CMOS片上恒穩定ID產生電路，其特征在于：包括NMOS管M1、NMOS管M5、PMOS管M2和反相器，所述PMOS管M2的源極和柵極、反相器的電源端分別與電源VDD連接，PMOS管M2的漏極與反相器的輸入端連接并同時接輸入信號；所述反相器的輸出端作為整個電路的輸出端，所述PMOS管M2的漏極分別與NMOS管M1的源極、NMOS管M1的漏極連接，所述NMOS管M1的柵極與NMOS管M5的柵極分別接地，所述NMOS管M5的源極與漏極連接并懸空；
所述反相器包括PMOS管M4和NMOS管M3，所述PMOS管M4的源極與電源VDD連接，PMOS管M4的柵極與NMOS管M3的柵極連接并接輸入信號，PMOS管M4的漏極與NMOS管M3的漏極連接并作為整個電路的輸出端，NMOS管M3的源極接地。
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