[發明專利]薄膜晶體管結構及制造方法

在審

• 申請號: 201510796665.2
• 申請日: 2015-11-18
• 公開（公告）號: CN105448932A
• 公開（公告）日: 2016-03-30
• 發明（設計）人: 張占東;趙瑜;陳辰;張嘉偉
• 申請（專利權）人: 武漢華星光電技術有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L21/77
• 代理公司: 深圳翼盛智成知識產權事務所(普通合伙) 44300
• 代理人: 黃威

1.一種低溫多晶硅薄膜晶體管結構，其特征在于，包括有：

一基層；

一有源層位在該基層的上方；

一柵極層位該有源層的上方，包括有一柵極位在該有源層的正上方和一獨立電極；

一源/漏極層位在該柵極層的上方，具有相互分離的一源極和該有源層相連接，一漏極和該有源層相連接，和第一導電材料和該獨立電極相連接，該漏極有一橫向延伸部位在該獨立電極的上方；

一共同電極層位在該源/漏極層的上方，具有一體的一第二導電材料和該第一導電材料相連接；及

一像素電極層位在該源/漏極層的上方，具有一像素電極和該漏極相連接，該像素電極層和該共同電極層構成一第一儲存電容器，該漏極橫向延伸部和該獨立電極構成一第二儲存電容器。

2.如權利要求1所述的低溫多晶硅薄膜晶體管結構，其特征在于：進一步包括有一緩沖層位于該基層和該有源層之間。

3.如權利要求2所述的低溫多晶硅薄膜晶體管結構，其特征在于：進一步包括有一柵極絶緣層位在該緩沖層之上并包覆該有源層在其中。

4.如權利要求3所述的低溫多晶硅薄膜晶體管結構，其特征在于：進一步包括有一內部介電層位在該柵極絶緣層之上并包覆該柵極和獨立電極在其中，該源極和該漏極系向下延伸穿過該內部介電層和該柵極絶緣層來和該有源層相連接。

5.如權利要求4所述的低溫多晶硅薄膜晶體管結構，其特征在于：該柵極系位在該源極和漏極之間。

6.如權利要求4所述的低溫多晶硅薄膜晶體管結構，其特征在于：進一步包括有一有機材料層位在該內部介部電層上方并包覆該源極、漏極橫向延伸部和該第一導電材料在其中，該共同電極層系形成在該有機材料層上，該第二導電材料系向下延伸穿過該有機材料層來和該第一導電材料相連接。

7.如權利要求6所述的低溫多晶硅薄膜晶體管結構，其特征在于：進一步包括有一鈍化層位在該共同電極層的上方并覆蓋該共同電極層在其中，該像素電極層系位在該鈍化層之上，該像素電極系向下延伸穿過該鈍化層來和該漏極相連接。

8.一種制造低溫多晶硅薄膜晶體管結構的方法，其特征在于，該方法包括有以下的步驟：

a.形成一基層；

b.形成一緩沖層在該基層上；

c.形成一有源層在該緩沖層之上，該有源層由半導體材料所制成；

d.成形一第一絶緣層在該緩沖層之上并包覆該有源層在其中；

e.形成一柵極層在該絶緣層之上，包括有一柵極和一獨立電極；

f.形成一內部介電層位在該絶緣層上并包覆該柵極層在其中；

g.形成一源/漏極層和第一導電材料在該內部介電層上，該源/漏極層有一源極向下延伸穿過該內部介電層和該絶緣層來和該有源層的一端相連接，和一漏極向下延伸穿過該內部介電層和該絶緣層來和該有源層的另一端相連接，該漏極有一橫向延伸部位在該獨立電極的上方,該第一導電材料向下延伸穿過該內部介部電層來和該獨立電極相連接；

h.形成一第二絶緣層在該內部介部電層之上；

i.形成一共同電極在該第二絶緣層之上，該共同電極有一一體的第二導電材料向下延伸穿過該第二絶緣層來和該第一導電材料相連接；

j.形成一鈍化層位在該共同電極層之上；及

k.形成一像素電極層位在該鈍化層之上，該像素電極層有一部分向下延伸穿過該鈍化層來和該漏極相連接；

其中，一第一貯存電容器系形成介于該像素電極層和該共同電極層之間，而一第二貯存電容器系形成介于該漏極橫向延伸部和該獨立電極之間。

9.如權利要求8所述的制造低溫多晶硅薄膜晶體管結構的方法，其特征在于：該第二絶緣層為一有機材料層。

10.如權利要求8所述的制造低溫多晶硅薄膜晶體管結構的方法，其特征在于：該柵極系位在該源極和該漏極之間。