[發明專利]一種OLED顯示像素電路及驅動方法

在審

• 申請號: 201510765183.0
• 申請日: 2015-11-11
• 公開（公告）號: CN105280141A
• 公開（公告）日: 2016-01-27
• 發明（設計）人: 王漪;倫志遠;叢瑛瑛;趙飛龍;董俊辰;韓德棟
• 申請（專利權）人: 北京大學
• 主分類號: G09G3/3258
• 分類號: G09G3/3258
• 代理公司: 北京萬象新悅知識產權代理事務所(普通合伙) 11360
• 代理人: 賈曉玲

技術領域

本發明屬于平板顯示技術領域，具體涉及一種OLED顯示像素驅動電路及其像素電路的驅動方法。

背景技術

有源矩陣有機發光二極管(ActiveMatrixOrganicLight-EmittingDiode,AMOLED)顯示因具有快響應、高亮度、高對比度、低功耗以及易實現柔性透明等優點，被認為是下一代主流的顯示技術。有源矩陣即薄膜晶體管(ThinFilmTransistor,TFT)構成的像素電路陣列，是AMOLED顯示中的關鍵部分。目前，用于AMOLED驅動的TFT技術主要有非晶硅TFT、低溫多晶硅TFT和新興的金屬氧化物TFT三種。然而，這三種TFT技術都存在閾值電壓漂移、閾值電壓不均勻等缺陷；使得它們在驅動OLED時，不能提供穩定、均勻的電流，影響AMOLED顯示的質量。為解決這一問題，電路設計人員提出多種能夠補償TFT的閾值電壓不均勻或閾值電壓漂移現象的像素電路。到目前為止，這些像素電路大多具有較多的TFT數目或控制信號線，這無疑將占用較大的顯示面積，制約像素開口率和顯示分辨率的提高；而僅包含兩、三個TFT的像素電路又需要較復雜的控制時序，給外圍驅動的實現增加了難度。因此，既具有補償作用，又具有簡單結構、易于操作的像素電路仍然是顯示產業界需要亟待解決的技術難題之一。

另一方面，隨著近年來對雙柵結構TFT研究的進展，基于雙柵TFT的像素電路也被提出。這些像素電路能夠實現閾值電壓補償功能的同時，也具有較簡單的配置結構。這讓我們看到了采用雙柵TFT設計像素電路的潛在優勢。雙柵TFT與單柵TFT相比，不但具有更高的遷移率、更低的亞閾值斜率等優勢，而且其器件更穩定，工作電壓更低。因此，雙柵TFT更適合用于像素電路的設計。

發明內容

本發明意在解決AMOLED像素電路結構復雜、不易實現其驅動的難題，提出一種基于雙柵結構TFT的像素電路。

本發明提供的技術方案如下：

一種OLED顯示像素驅動電路包括：第一晶體管T1、第二晶體管T2、第三晶體管T3、存儲電容Cs和有機發光二極管OLED；以及兩條柵控制線、一條數據線、一條電源線和接地端口，其中：

第一晶體管T1為雙柵薄膜晶體管，第一晶體管T1的第一柵電極連接第二晶體管T2的漏極、第二晶體管T2的第一柵電極和存儲電容Cs的一端；第一晶體管T1的第二柵電極和第二晶體管T2的第二柵電極一起連接一條柵控制線EN；第一晶體管T1的漏極和存儲電容Cs的另一端一起連接電源線；第一晶體管T1的源極接有機發光二極管OLED的陽極；或者，第一晶體管T1的漏極接有機發光二極管OLED的陰極；第一晶體管T1的源極連接接地端口；

第二晶體管T2為雙柵薄膜晶體管，第二晶體管T2的第一柵電極和第二晶體管T2的漏極一起連接存儲電容Cs的一端和第一晶體管T1的第一柵電極；第二晶體管T2的第二柵電極與第一晶體管T1的第二柵電極一起連接柵控制線EN；第二晶體管T2的源極接第三晶體管T3的漏極；

第三晶體管T3為單柵薄膜晶體管或雙柵薄膜晶體管，第三晶體管T3的源極連接數據線DATA，第三晶體管T3的漏極連接第二晶體管T2的源極；當第三晶體管T3為單柵TFT時，第三晶體管T3的柵電極連接柵控制線SEL；當第三晶體管T3為雙柵TFT時，第三晶體管T3的第二柵電極與第一柵電極一起連接柵控制線SEL或懸空；

存儲電容Cs的一端與第一晶體管T1的漏極一起接電源線V_DD，存儲電容Cs的另一端接第一晶體管T1的第一柵電極、第二晶體管T2的第一柵電極和第二晶體管T2的漏極；或者，存儲電容Cs的一端與有機發光二極管OLED的陽極一起連接電源線，存儲電容Cs的另一端接第一晶體管T1的第一柵電極、第二晶體管T2的第一柵電極和第二晶體管T2的漏極；

有機發光二極管OLED的陽極接第一晶體管T1的源極，有機發光二極管OLED的陰極連接接地端口；或其有機發光二極管OLED的陽極與存儲電容的一端連接并連接電源線V_DD，其陰極接第一晶體管T1的漏極。

或者，本發明OLED顯示像素驅動電路的結構還可以是：