[發明專利]一種OLED顯示像素電路及驅動方法

在審

• 申請號: 201510765183.0
• 申請日: 2015-11-11
• 公開（公告）號: CN105280141A
• 公開（公告）日: 2016-01-27
• 發明（設計）人: 王漪;倫志遠;叢瑛瑛;趙飛龍;董俊辰;韓德棟
• 申請（專利權）人: 北京大學
• 主分類號: G09G3/3258
• 分類號: G09G3/3258
• 代理公司: 北京萬象新悅知識產權代理事務所(普通合伙) 11360
• 代理人: 賈曉玲

1.一種OLED顯示像素驅動電路，其特征在于，該像素驅動電路包括：第一晶體管T1、第二晶體管T2、第三晶體管T3、存儲電容Cs和有機發光二極管OLED；以及兩條柵控制線、一條數據線、一條電源線和接地端口，其中：

所述第一晶體管T1為雙柵薄膜晶體管，第一晶體管T1的第一柵電極連接第二晶體管T2的漏極、第二晶體管T2的第一柵電極和存儲電容Cs的一端；第一晶體管T1的第二柵電極和第二晶體管T2的第二柵電極一起連接一條柵控制線EN；第一晶體管T1的漏極和存儲電容Cs的另一端一起連接電源線；第一晶體管T1的源極接有機發光二極管OLED的陽極；或者，第一晶體管T1的漏極接有機發光二極管OLED的陰極；第一晶體管T1的源極連接接地端口；

所述第二晶體管T2為雙柵薄膜晶體管，第二晶體管T2的第一柵電極和第二晶體管T2的漏極一起連接存儲電容Cs的一端和第一晶體管T1的第一柵電極；第二晶體管T2的第二柵電極與第一晶體管T1的第二柵電極一起連接柵控制線EN；第二晶體管T2的源極接第三晶體管T3的漏極；

所述第三晶體管T3為單柵薄膜晶體管或雙柵薄膜晶體管，第三晶體管T3的源極連接數據線DATA，第三晶體管T3的漏極連接第二晶體管T2的源極；當第三晶體管T3為單柵TFT時，第三晶體管T3的柵電極連接柵控制線SEL；當第三晶體管T3為雙柵TFT時，第三晶體管T3的第二柵電極與第一柵電極一起連接柵控制線SEL或懸空；

所述存儲電容Cs的一端與第一晶體管T1的漏極一起接電源線V_DD，存儲電容Cs的另一端接第一晶體管T1的第一柵電極、第二晶體管T2的第一柵電極和第二晶體管T2的漏極；或者，存儲電容Cs的一端與有機發光二極管OLED的陽極一起連接電源線，存儲電容Cs的另一端接第一晶體管T1的第一柵電極、第二晶體管T2的第一柵電極和第二晶體管T2的漏極；

所述有機發光二極管OLED的陽極接第一晶體管T1的源極，有機發光二極管OLED的陰極連接接地端口；或其有機發光二極管OLED的陽極與存儲電容的一端連接并連接電源線V_DD，其陰極接第一晶體管T1的漏極。

2.一種OLED顯示像素驅動電路，其特征在于，該像素驅動電路包括：第一晶體管T1、第二晶體管T2、第三晶體管T3、存儲電容Cs和有機發光二極管OLED；以及兩條柵控制線、一條數據線、一條電源線和接地端口，其中：

所述第一晶體管T1為雙柵薄膜晶體管，第一晶體管T1的第一柵電極連接第二晶體管T2的漏極、第二晶體管T2的第一柵電極和存儲電容Cs的一端；第一晶體管T1的第二柵電極和第二晶體管T2的第二柵電極一起連接一條柵控制線EN；第一晶體管T1的漏極直接連接電源線；第一晶體管T1的源極接有機發光二極管OLED的陽極；或者，第一晶體管T1的漏極接有機發光二極管OLED的陰極；第一晶體管T1的源極連接接地端口；

所述第二晶體管T2為雙柵薄膜晶體管，第二晶體管T2的第一柵電極和第二晶體管T2的漏極一起連接存儲電容Cs的一端和第一晶體管T1的第一柵電極；第二晶體管T2的第二柵電極與第一晶體管T1的第二柵電極一起連接柵控制線EN；第二晶體管T2的源極接第三晶體管T3的漏極；

所述第三晶體管T3為單柵薄膜晶體管或雙柵薄膜晶體管，第三晶體管T3的源極連接數據線DATA，第三晶體管T3的漏極連接第二晶體管T2的源極；當第三晶體管T3為單柵TFT時，第三晶體管T3的柵電極連接柵控制線SEL；當第三晶體管T3為雙柵TFT時，第三晶體管T3的第二柵電極與第一柵電極一起連接柵控制線SEL或懸空；

所述存儲電容Cs的一端接第一晶體管T1的第一柵電極、第二晶體管T2的第一柵電極和第二晶體管T2的漏極；存儲電容Cs的另一端直接接地端口；

所述有機發光二極管OLED的陽極接第一晶體管T1的源極，有機發光二極管OLED的陰極連接接地端口；或有機發光二極管OLED的陽極直接連接電源線V_DD，其陰極接第一晶體管T1的漏極。

3.如權利要求1或2所述的像素驅動電路，其特征在于，所述雙柵薄膜晶體管是指多晶硅薄膜晶體管或金屬氧化物半導體薄膜晶體管。