[發明專利]一種去除焊盤缺陷的方法

在審

• 申請號: 201510762520.0
• 申請日: 2015-11-10
• 公開（公告）號: CN105428211A
• 公開（公告）日: 2016-03-23
• 發明（設計）人: 胡海波;汪亞軍
• 申請（專利權）人: 武漢新芯集成電路制造有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02
• 代理公司: 上海申新律師事務所 31272
• 代理人: 俞滌炯

技術領域

本發明涉及半導體制造技術領域，尤其涉及一種去除焊盤缺陷的方法。

背景技術

在半導體制造工藝中，焊盤結晶缺陷(PadCrystaldefect)是一種常見的工藝缺陷，該缺陷在IC芯片出貨目檢過程中會被判定為外觀異常，如果不能夠返工去除就有報廢的風險。

焊盤缺陷在OM(目檢)情況下體現為焊盤的突起，SEM(電子顯微鏡下)下體現為一團Al異常生長的產物。

目前常規的返工去除(rework)焊盤缺陷的方式有兩種：第一種是首先在非PAD區域覆蓋光阻；其次進行表面高能量離子轟擊；然后去光阻，進行表面去氟清洗以及表面鈍化處理，該方法能夠有效去除焊盤缺陷，但是該方法的弊端是去除工藝復雜，成本(cost)高昂，還可能會造成干法刻蝕(dryetch)機臺零部件(parts)損傷(damage)。第二種是采用含氫氟酸的DSP溶液(HFDSP)(HF+H2SO4+H2O2)進行轉速制程(Spinprocess)溶解、沖洗缺陷，該方法的弊端是去除缺陷能力有限，如果時間加長會造成Pad金屬損傷太多，甚至會損傷(damage)到焊盤本身，這些都是本領域技術人員所不期望的。

發明內容

針對上述存在的問題，本發明公開了一種去除焊盤缺陷的方法，包括：

步驟S1，提供一形成有焊盤的襯底，且所述焊盤上形成有結晶缺陷；

步驟S2，利用不含有氫氟酸(HF)的DSP溶液清洗所述襯底后，對所述襯底進行沖洗工藝；

步驟S3，重復進行所述步驟S2多次，以去除所述結晶缺陷。

上述的去除焊盤缺陷的方法，其中，所述不含有氫氟酸的DSP溶液中H2O：H2SO4：H2O2＝50：3：7。

上述的去除焊盤缺陷的方法，其中，所述步驟S2中，利用不含有氫氟酸的DSP溶液清洗所述襯底的時間為25～35s。

上述的去除焊盤缺陷的方法，其中，所述步驟S2中，采用DSP高低轉速搭配(multichuckspeed)的方法利用不含有氫氟酸的DSP溶液清洗所述襯底，其中，該高低轉速搭配的轉速為500～1000rpm/min。

上述的去除焊盤缺陷的方法，其中，所述步驟S2中，利用去離子水對所述襯底進行沖洗工藝。

上述的去除焊盤缺陷的方法，其中，所述步驟S2中，利用二氧化碳和去離子水對所述襯底進行沖洗工藝。

上述的去除焊盤缺陷的方法，其中，所述步驟S3中，重復進行所述步驟S23～5次以去除所述焊盤的結晶缺陷。

上述的去除焊盤缺陷的方法，其中，所述焊盤為鋁(Al)焊盤。

上述的去除焊盤缺陷的方法，其中，所述結晶缺陷為含氟(F)、氧(O)和鋁(Al)元素的化合物。

上述的去除焊盤缺陷的方法，其中，所述方法還包括：

步驟S4，對所述襯底進行干燥工藝。

上述發明具有如下優點或者有益效果：

本發明公開了一種去除焊盤缺陷的方法，在利用不含有氫氟酸的DSP溶液清洗焊盤后，對該焊盤進行沖洗工藝，并循環多次進行該清洗和沖洗工藝以去除焊盤缺陷，由于DSP溶液中不含有氫氟酸，從而可以減少去除焊盤缺陷過程中的焊盤損傷，減少凹點(pits)缺陷；且由于采用DSP高低轉速搭配能夠增加繞流以增加化學(chemical)清洗能力，采用多次循環(multicycle)清洗、沖洗的方式可以提高DSP溶液中硫酸和雙氧水的作用，從而可以有效去除焊盤缺陷；進而可以減少報廢，提升良率，節約返工成本。

附圖說明

通過閱讀參照以下附圖對非限制性實施例所作的詳細描述，本發明及其特征、外形和優點將會變得更加明顯。在全部附圖中相同的標記指示相同的部分。并未可以按照比例繪制附圖，重點在于示出本發明的主旨。

圖1是本發明實施例中去除焊盤缺陷的方法的流程圖。

具體實施方式

下面結合附圖和具體的實施例對本發明作進一步的說明，但是不作為本發明的限定。

如圖1所示，本實施例涉及一種去除焊盤缺陷的方法，包括：

步驟一，提供一形成有焊盤的襯底，且該焊盤上形成有結晶缺陷；由于該具有焊盤的襯底的技術可采用本領域技術人員所熟知的技術，其具體的制備工藝在此便不予贅述。

在本發明的一個優選的實施例中，該焊盤為鋁焊盤，相應的，該結晶缺陷為含氟(F)、氧(O)和鋁(Al)元素的化合物。該結晶缺陷形成的機理是：鋁焊盤及其氧化物在氟離子及水汽存在的情況下反應生成氫氧化鋁，之后再與H+F-反應生成該含氟、氧以及鋁的化合物。