[發(fā)明專利]一種去除焊盤缺陷的方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201510762520.0 | 申請日： | 2015-11-10 |
| 公開（公告）號： | CN105428211A | 公開（公告）日： | 2016-03-23 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 胡海波;汪亞軍 | 申請（專利權(quán)）人： | 武漢新芯集成電路制造有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/02 | 分類號： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海申新律師事務(wù)所 31272 | 代理人： | 俞滌炯 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 國省代碼： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 去除 缺陷 方法 | ||
1.一種去除焊盤缺陷的方法，其特征在于，包括：
步驟S1，提供一形成有焊盤的襯底，且所述焊盤上形成有結(jié)晶缺陷；
步驟S2，利用不含有氫氟酸的DSP溶液清洗所述襯底后，對所述襯底進(jìn)行沖洗工藝；
步驟S3，重復(fù)進(jìn)行所述步驟S2多次，以去除所述結(jié)晶缺陷。
2.如權(quán)利要求1所述的去除焊盤缺陷的方法，其特征在于，所述不含有氫氟酸的DSP溶液中H2O：H2SO4：H2O2＝50：3：7。
3.如權(quán)利要求1所述的去除焊盤缺陷的方法，其特征在于，所述步驟S2中，利用不含有氫氟酸的DSP溶液清洗所述襯底的時(shí)間為25～35s。
4.如權(quán)利要求1所述的去除焊盤缺陷的方法，其特征在于，所述步驟S2中，采用DSP高低轉(zhuǎn)速搭配的方法利用不含有氫氟酸的DSP溶液清洗所述襯底。
5.如權(quán)利要求1所述的去除焊盤缺陷的方法，其特征在于，所述步驟S2中，利用去離子水對所述襯底進(jìn)行沖洗工藝。
6.如權(quán)利要求1所述的去除焊盤缺陷的方法，其特征在于，所述步驟S2中，利用二氧化碳和去離子水對所述襯底進(jìn)行沖洗工藝。
7.如權(quán)利要求1所述的去除焊盤缺陷的方法，其特征在于，所述步驟S3中，重復(fù)進(jìn)行所述步驟S23～5次以去除所述焊盤的結(jié)晶缺陷。
8.如權(quán)利要求1所述的去除焊盤缺陷的方法，其特征在于，所述焊盤為鋁焊盤。
9.如權(quán)利要求8所述的去除焊盤缺陷的方法，其特征在于，所述結(jié)晶缺陷為含氟、氧和鋁元素的化合物。
10.如權(quán)利要求1所述的去除焊盤缺陷的方法，其特征在于，所述方法還包括：
步驟S4，對所述襯底進(jìn)行干燥工藝。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
