[發明專利]半導體裝置的制造方法

有效

• 申請號: 201510740864.1
• 申請日: 2015-11-04
• 公開（公告）號: CN105575891B
• 公開（公告）日: 2019-10-18
• 發明（設計）人: 谷田一真;蘆立浩明
• 申請（專利權）人: 東芝存儲器株式會社
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 張世俊

1.一種半導體裝置的制造方法，其特征在于包含以下步驟：

在設于第1基板及第2基板的各表面的絕緣層的表面形成開口；

在所述開口埋入金屬；

使所述絕緣層的表面活化；

通過碳酸水對表面活化后的所述絕緣層的表面與埋入所述開口的金屬的表面進行清洗，而自該埋入的金屬的表面去除氧化膜；

以所述絕緣層的表面彼此接合的方式，將所述第1基板與所述第2基板貼合；以及

通過對貼合后的所述第1基板及所述第2基板實施熱處理，使所述第1基板的表面活化后的所述絕緣層及所述第2基板的表面活化后的所述絕緣層，通過共價鍵結進行直接接合，且將所述第1基板的所述埋入的金屬與所述第2基板的所述埋入的金屬連接。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于：所述埋入的金屬為電極。

3.根據權利要求1所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于：包含通過所述碳酸水對所述第2基板的所述埋入的金屬的表面進行清洗的步驟。

4.根據權利要求1所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于：包含通過向形成有所述埋入的金屬的所述絕緣層的整個表面供給所述碳酸水，而清洗所述埋入的金屬的表面的步驟。

5.根據權利要求1所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于：所述碳酸水的pH為3.8～6.0。

6.根據權利要求1所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于：所述碳酸水的比電阻為0.02MΩ·cm～1.9MΩ·cm。

7.根據權利要求1所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于：所述半導體裝置進一步具備第3基板，于所述第1基板至所述第3基板的各個基板的正反兩面上具有絕緣層與埋入該絕緣層的金屬，

將所述第1基板至所述第3基板的正反兩面的所述絕緣層的表面活化後，

通過碳酸水對所述第1基板至所述第3基板的正反兩面的所述絕緣層及所述埋入的金屬的表面進行清洗，自該埋入的金屬的表面去除氧化膜，

以所述第1基板與所述第2基板的所述絕緣層的表面彼此，及所述第2基板與所述第3基板的所述絕緣層的表面彼此接合的方式，將所述第1基板至所述第3基板貼合，

對貼合后的所述第1基板至所述第3基板實施熱處理，使所述第1基板與所述第2基板的活化后的所述絕緣層彼此，及所述第2基板與所述第3基板的活化后的所述絕緣層彼此，通過共價鍵結進行直接接合，且將所述第1基板與所述第2基板的所述埋入的金屬彼此，及所述第2基板與所述第3基板的所述埋入的金屬彼此連接。

8.根據權利要求1所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于：通過碳酸水對所述第1基板的所述埋入的金屬的表面進行清洗的步驟包含：

使所述第1基板產生的靜電經由所述碳酸水而放電的步驟。

9.根據權利要求3所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于：通過碳酸水對所述第2基板的所述埋入的金屬的表面進行清洗的步驟包含：

使所述第2基板產生的靜電經由所述碳酸水而放電的步驟。

10.根據權利要求1所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于：通過碳酸水對所述第1基板的所述埋入的金屬的表面進行清洗的步驟包含：

對一塊所述第1基板利用所述碳酸水進行持續1秒鐘～120秒鐘的清洗的步驟。

11.根據權利要求3所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于：通過碳酸水對所述第2基板的所述埋入的金屬的表面進行清洗的步驟包含：

對一塊所述第2基板利用所述碳酸水進行持續1秒鐘～120秒鐘的清洗的步驟。

12.根據權利要求1所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于：通過碳酸水對所述第1基板的所述埋入的金屬的表面進行清洗的步驟包含：

將多塊所述第1基板一次性浸漬于碳酸水而進行清洗的步驟。