[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置的制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201510740864.1
• 申請(qǐng)日: 2015-11-04
• 公開（公告）號(hào): CN105575891B
• 公開（公告）日: 2019-10-18
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 谷田一真;蘆立浩明
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 東芝存儲(chǔ)器株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01L21/768
• 分類號(hào): H01L21/768
• 代理公司: 北京律盟知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11287
• 代理人: 張世俊

實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法包含以下步驟：在設(shè)于第1基板及第2基板的各表面的絕緣層的表面形成開口；向開口埋入金屬；使絕緣層的表面活化；通過碳酸水對(duì)第1基板側(cè)的開口所埋入的金屬的表面進(jìn)行清洗；以及將第1基板側(cè)的絕緣層與第2基板側(cè)的絕緣層貼合，而將第1基板側(cè)的埋入的金屬與第2基板側(cè)的埋入的金屬連接。

[關(guān)聯(lián)申請(qǐng)]

本申請(qǐng)享有2014年11月4日申請(qǐng)的日本專利申請(qǐng)案號(hào)2014-224491的優(yōu)先權(quán)的利益，且將此日本專利申請(qǐng)的全部?jī)?nèi)容援用于本申請(qǐng)。

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)施方式一般來說涉及一種半導(dǎo)體裝置的制造方法。

背景技術(shù)

之前，有一種半導(dǎo)體裝置，通過將半導(dǎo)體芯片多段地積層而可減小占據(jù)面積。該半導(dǎo)體裝置是通過例如將形成有半導(dǎo)體元件、集成電路的基板多段地貼合，并以半導(dǎo)體芯片為單位進(jìn)行切割而制造。

在貼合后的各基板的表面設(shè)有絕緣層，在各絕緣層的表面的對(duì)應(yīng)位置，設(shè)有通過貼合基板而連接的多個(gè)電極。然而，在電極的表面有因自然氧化而形成金屬的氧化膜的情況。該情況下，若基板彼此貼合，則有電極的接合部分發(fā)生接合不良的狀況。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的實(shí)施方式提供一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，能夠抑制通過基板貼合而連接的電極的接合部分產(chǎn)生連接不良。

根據(jù)本實(shí)施方式，提供一種半導(dǎo)體裝置的制造方法。半導(dǎo)體裝置的制造方法包含在設(shè)于第1基板及第2基板的各表面的絕緣層的表面形成開口的步驟。半導(dǎo)體裝置的制造方法包含在所述開口埋入金屬的步驟。半導(dǎo)體裝置的制造方法包含使所述絕緣層的表面活化的步驟。

半導(dǎo)體裝置的制造方法包含通過碳酸水清洗埋入所述第1基板側(cè)的所述開口的金屬的表面的步驟。半導(dǎo)體裝置的制造方法包含將所述第1基板側(cè)的所述絕緣層與所述第2基板側(cè)的所述絕緣層貼合，而將所述第1基板側(cè)的所述埋入的金屬與所述第2基板側(cè)的所述埋入的金屬連接的步驟。

附圖說明

圖1A～圖1C是表示實(shí)施方式的電極的形成步驟的說明圖。

圖2A～圖2C是表示實(shí)施方式的電極的形成步驟的說明圖。

圖3A及圖3B是表示實(shí)施方式的活化步驟的說明圖。

圖4是實(shí)施方式的清洗裝置的說明圖。

圖5是銅相關(guān)的波貝克斯圖。

圖6A及圖6B是表示實(shí)施方式的清洗步驟的說明圖。

圖7A～圖7D是表示實(shí)施方式的基板的貼合步驟的說明圖。

圖8A～圖8C是表示實(shí)施方式的基板的直接接合的結(jié)構(gòu)的說明圖。

圖9A～圖9B是表示實(shí)施方式的基板的直接接合的結(jié)構(gòu)的說明圖。

具體實(shí)施方式

以下參照附圖，詳細(xì)地說明實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法。另外，本發(fā)明并非由該實(shí)施方式限定。以下，列舉將形成有邏輯電路的第1基板、與形成有影像傳感器的第2基板貼合的所謂Wafer on Wafer為例進(jìn)行說明，但本實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法也可適用于Chip on Wafer或Chip on Chip。另外，形成于第1基板、第2基板的電路并不限于邏輯電路、影像傳感器，也可為任意的半導(dǎo)體集成電路。

首先，參照?qǐng)D1A～圖2C，對(duì)在設(shè)于基板的表面的絕緣層形成電極的制造步驟進(jìn)行說明。圖1A～圖2C是表示實(shí)施方式的電極的形成步驟的說明圖。另外，在第1基板側(cè)的絕緣層形成電極的步驟、與在貼合于第1基板的第2基板側(cè)的絕緣層形成電極的步驟相同。