[發明專利]一種壓接式IGBT組成的多級H橋串聯閥段在審
| 申請號: | 201510734608.1 | 申請日: | 2015-11-02 |
| 公開(公告)號: | CN105428346A | 公開(公告)日: | 2016-03-23 |
| 發明(設計)人: | 范彩云;何青連;夏克鵬;姚釗;高仕龍;李華君;肖晉;王超 | 申請(專利權)人: | 許繼電氣股份有限公司;國家電網公司 |
| 主分類號: | H01L25/11 | 分類號: | H01L25/11;H01L29/739 |
| 代理公司: | 鄭州睿信知識產權代理有限公司 41119 | 代理人: | 崔旭東 |
| 地址: | 461000 河*** | 國省代碼: | 河南;41 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 壓接式 igbt 組成 多級 串聯 | ||
技術領域
本發明涉及一種壓接式IGBT組成的多級H橋串聯閥段。
背景技術
大功率壓接式IGBT是近年才投放市場的大功率高壓IGBT,在大電流大功率電力電子領域有著廣泛的應用前景。在壓接式IGBT出現前,由IGBT組成的H橋結構都是由模塊式IGBT組成,模塊式IGBT由于體積小、散熱功率小、結構簡單,常采用把四個IGBT模塊安裝在一個散熱器上。壓接式IGBT由于其特殊的結構,需要采用特殊的壓接式結構把IGBT壓接在一起。
發明內容
本發明的目的是提供一種壓接式IGBT組成的多級H橋串聯閥段,用以填補現有技術的空白。
為實現上述目的,本發明的方案包括:
一種壓接式IGBT組成的多級H橋串聯閥段,包括在一個框架上并列設置的第一組件和第二組件,兩組件均為壓接式IGBT組件,壓接式IGBT組件包括依次交錯設置的散熱器和IGBT;第一組件與第二組件的對應IGBT之間對應設置有用于導電連接的連接母排,以形成若干串聯的H橋,第一組件中的IGBT為所述各H橋的上半區的串聯的正向IGBT和反向IGBT;第二組件中的IGBT為所述各H橋的下半區的串聯的正向IGBT和反向IGBT。
進一步的,所述散熱器為水冷散熱器或自然冷卻散熱器。
進一步的,所述第一組件、第二組件均為頂壓式結構的壓接式IGBT組件。
進一步的,所述連接母排(8)兩端分別固定在第一、第二組件對應的散熱器上。
本發明提高了一種由壓接式IGBT組成的多級H橋串聯閥段的結構,通過合理的布局,組成一個完整的有多級H橋串聯的閥段;結構簡潔,適于H橋串聯。
附圖說明
圖1是實施例1的閥段前視圖;
圖2是實施例1的閥段俯視圖;
圖3是實施例1的閥段立體圖;
圖4是H橋電路原理圖;
圖5是H橋串聯的電路原理圖;
圖6是實施例2的閥段前視圖;
圖7是實施例2的閥段俯視圖;
圖8是實施例2的閥段立體圖。
具體實施方式
下面結合附圖對本發明做進一步詳細的說明。
實施例1
如圖1、2、3所述的一種壓接式IGBT組成的多級H橋串聯閥段,包括兩個并列設置的壓接式IGBT組件,即第一組件和第二組件。壓接式IGBT組件由若干散熱器和壓接式IGBT依次交錯設置成一串,如圖1所示,從左至右依次是散熱器、壓接式IGBT(即壓接式IGBT模塊,本文發明內容以及下文中也簡稱為IGBT)、散熱器、壓接式IGBT…,每個組件共計六片散熱器和六片壓接式IGBT。
將若干散熱器和壓接式IGBT交錯設置成串,形成組件,當然還涉及具體的固定和安裝方式,固定、安裝及工藝均屬于現有技術。比如申請號為200910065332.7、201010229544.7、201010591847.3、201310259052.6的專利文獻,均涉及晶閘管閥段的裝配。這些文獻中涉及的各種裝配方式,將晶閘管模塊替換為壓接式IGBT后,均可以用于本發明的壓接式IGBT組件。
具體來說,本實施例中采用頂壓式的結構,包括:壓接式IGBT驅動模塊1、頂壓螺栓7,鎖緊螺母6,壓緊彈簧5、水冷散熱器3(11為水冷管路)、端板4、緊固絕緣拉桿10等部分,兩個組件安裝在一個框架9上。壓緊時,有液壓壓緊機構擠壓頂壓螺栓7以及彈簧5,待壓緊力達到要求的值時,停止擠壓頂壓螺栓,然后用扳手緊固鎖緊螺母6,同時緊固絕緣拉桿10。具體連接結構類似于文獻201310259052.6公開的內容,因此不再過多展開。
第一組件中的六片壓接式IGBT,分別屬于三個H橋上半區的串聯的正向IGBT和反向IGBT。這里指的上半區,可以參照圖4所示的H橋電路來看,圖中虛線框內即為上半區,其中兩個IGBT是反向串聯的。
第二組件中的六片壓接式IGBT,分別屬于三個H橋下半區的串聯的正向IGBT和反向IGBT。
圖3結合圖5來看,第一組件與第二組件之間設有連接母排8。連接母排8用于第一組件與第二組件相應IGBT節點之間的導電連接,以形成H橋串聯的電路結構,如圖5顯示的那樣,第一組件、第二組件之間,每隔兩個IGBT設一條連接母排。需要指出的是,第一組件中,IGBT排布的順序是:一個正向IGBT、一個負向IGBT、一個正向IGBT、…;第二組件中順序也是對應的,總之是兩個連接母排之間的IGBT會形成如圖4所示的H橋電路。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于許繼電氣股份有限公司;國家電網公司,未經許繼電氣股份有限公司;國家電網公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201510734608.1/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類





