[發(fā)明專利]一種壓接式IGBT組成的多級H橋串聯(lián)閥段在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201510734608.1 | 申請日： | 2015-11-02 |
| 公開（公告）號： | CN105428346A | 公開（公告）日： | 2016-03-23 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 范彩云;何青連;夏克鵬;姚釗;高仕龍;李華君;肖晉;王超 | 申請（專利權(quán)）人： | 許繼電氣股份有限公司;國家電網(wǎng)公司 |
| 主分類號： | H01L25/11 | 分類號： | H01L25/11;H01L29/739 |
| 代理公司： | 鄭州睿信知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 41119 | 代理人： | 崔旭東 |
| 地址： | 461000 河*** | 國省代碼： | 河南;41 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 壓接式 igbt 組成 多級 串聯(lián) | ||
1.一種壓接式IGBT組成的多級H橋串聯(lián)閥段，其特征在于，包括在一個框架上并列設(shè)置的第一組件和第二組件，兩組件均為壓接式IGBT組件，壓接式IGBT組件包括依次交錯設(shè)置的散熱器和IGBT；第一組件與第二組件的對應(yīng)IGBT之間對應(yīng)設(shè)置有用于導(dǎo)電連接的連接母排，以形成若干串聯(lián)的H橋，第一組件中的IGBT為所述各H橋的上半?yún)^(qū)的串聯(lián)的正向IGBT和反向IGBT；第二組件中的IGBT為所述各H橋的下半?yún)^(qū)的串聯(lián)的正向IGBT和反向IGBT。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種壓接式IGBT組成的多級H橋串聯(lián)閥段，其特征在于，所述散熱器為水冷散熱器或自然冷卻散熱器。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種壓接式IGBT組成的多級H橋串聯(lián)閥段，其特征在于，所述第一組件、第二組件均為頂壓式結(jié)構(gòu)的壓接式IGBT組件。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2或3所述的一種壓接式IGBT組成的多級H橋串聯(lián)閥段，其特征在于，所述連接母排(8)兩端分別固定在第一、第二組件對應(yīng)的散熱器上。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于許繼電氣股份有限公司;國家電網(wǎng)公司，未經(jīng)許繼電氣股份有限公司;國家電網(wǎng)公司許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201510734608.1/1.html，轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L25-00 由多個單個半導(dǎo)體或其他固態(tài)器件組成的組裝件
H01L25-03 .所有包含在H01L 27/00至H01L 51/00各組中同一小組內(nèi)的相同類型的器件，例如整流二極管的組裝件
H01L25-16 .包含在H01L 27/00至H01L 51/00各組中兩個或多個不同大組內(nèi)的類型的器件，例如構(gòu)成混合電路的
H01L25-18 .包含在H01L 27/00至H01L 51/00各組中兩個或多個同一大組的不同小組內(nèi)的類型的器件
H01L25-04 ..不具有單獨容器的器件
H01L25-10 ..具有單獨容器的器件
